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TSMCがGaN事業撤退へ、ロームは「さまざまな可能性を協議」：「現時点で大きな影響は無い」

TSMCが2027年7月までにGaNファウンドリー事業から撤退すると決定した。同社と協業するロームは「協業体制の維持、深化に向けて、引き続き互いの強みを融合させることで市場／顧客ニーズに適切に対応していく」と述べている。

» 2025年07月07日 16時40分公開

[永山準，EE Times Japan]

　TSMCが2027年7月までにGaN（窒化ガリウム）ファウンドリー事業から撤退すると決定した。同社と協業し、一部製品の製造を委託しているロームは「協業体制の維持、深化に向けて、引き続き互いの強みを融合させることで市場／顧客ニーズに適切に対応していく。その一環として、将来的な（2027年以降の）開発／生産体制については、さまざまな可能性を協議、検討していく予定だ」と述べている。

　TSMCはEE Times Japanの取材に対し、今後2年間かけてGaN事業から段階的に撤退することを決定したと明かした。同社はこの決定について「市場ダイナミクスに基づくもので、当社の長期事業戦略に沿ったものだ」と説明している。なお、この期間中も顧客と緊密に協力し、ニーズに対応するとしていて「私たちの焦点は引き続き、パートナーと市場に持続的な価値を提供することだ」とも述べている。

　この決定を受けて、TSMCに製造を委託しているNavitas Semiconductorは、今後段階的にTSMCからPSMCへと製造を移行する計画を発表している。

　日本メーカーでは、近年GaNパワーデバイス事業の展開を強化しているロームも、TSMCと提携し、650V GaN HEMTプロセスを採用し650V品をTSMCで製造。2024年12月にはTSMCと車載GaNパワーデバイス開発と量産に関する戦略的パートナーシップ締結を発表するなど連携を強化してきた。

　ロームはTSMCと共同でスイッチング損失低減にかかわる出力電荷量Q_ossの改善に取り組んでいて、現行品からQ_ossを大幅に削減する650V耐圧GaN HEMTの第3世代を2025年内に量産開始予定であることなども公表している。

　今回ロームはEE Times Japanの取材に対し、まず「現時点で大きな影響は無い」としたうえで、「協業体制の維持、深化に向けて、引き続き互いの強みを融合させることで市場／顧客ニーズに適切に対応していく」とコメント。その一環として「将来的な（2027年以降の）開発／生産体制については、さまざまな可能性を協議、検討していく予定」だと説明した。

ロームとNVIDIA、AIファクトリー実現に向け協業
ロームは、次世代AIデータセンターに向けた「800V電力供給アーキテクチャ」の開発で、NVIDIAと協業する。新たなデータセンターの設計に対しロームは、Si（シリコン）に加え、ワイドバンドギャップ半導体のSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）など、最先端のパワー半導体デバイスを提供していく。
ローム初の高耐圧GaNデバイス向け絶縁ゲートドライバーIC
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ロームがマツダと車載GaNパワー半導体搭載品を共同開発
ロームとマツダが、GaNパワー半導体を用いた自動車部品の共同開発を開始した。2025年度中にコンセプトの具現化とデモ機によるトライアルを実施し、2027年度の実用化を目指す。
ついにAIサーバに、次は車載へ　GaNパワー半導体で攻めるローム
急速な成長を続ける窒化ガリウム（GaN）パワー半導体市場での展開で、ロームが新たな段階に入った。これまでは民生機器向けが中心だったが、AIサーバ用電源ユニットに初採用されたことを皮切りに、車載などのハイパワーアプリケーションでの採用拡大を狙う。
ローム、TSMCと車載GaN開発／量産で提携強化
ロームは2024年12月10日、TSMCと車載GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスの開発と量産に関する戦略的パートナーシップを締結したと発表した。
ロームのGaN採用で効率92.62%に、100Wの急速充電器デルタ電子
デルタ電子は、高速充電対応のUSB-C充電器「Innergie（イナジー） C10 Duo」の日本での新発売に伴う説明会を開催した。同製品にはローム製のGaN（窒化ガリウム）デバイスを採用している。