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「トランジスタ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「トランジスタ」に関する情報が集まったページです。

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製造マネジメントニュース:
2025年の有機トランジスタ世界市場は1800億円に、2045年には10.9倍に成長
矢野経済研究所は、次世代有機デバイスの世界市場を調査し、有機トランジスタにおける世界市場規模の予想を発表した。2025年の同市場は1800億円に拡大し、2045年には2025年対比で10.9倍となる1兆9690億円の成長を見込む。(2024/1/17)

100kHzでの高速動作を検証:
ダイヤモンドMOSFET相補型パワーインバーター開発へ
Power Diamond Systems(PDS)は、pチャネル型のダイヤモンドMOSFETとnチャネル型のSiC-MOSFET/GaN-HEMTを組み合わせた相補型パワーインバーターの開発に着手した。トランジスタの動作周波数を高速化することで構成部品を小型化でき、インバーター自体もさらなる小型化と軽量化が可能となる。(2023/12/28)

歩留まり向上や顧客獲得が障壁か:
GAA採用で「一番乗り」も、最先端プロセスで苦戦するSamsung
2022年に、GAA(Gate-All-Around)トランジスタ構造を適用した3nm世代プロセスでの量産を開始したSamsung Electronics。「業界初」(同社)をうたい、開始した3nm世代だが、難易度が高いGAA/ナノシート技術には、Samsungも苦戦しているようだ。(2023/12/27)

0.015Kまでの電気特性を測定:
超極低温動作トランジスタのスイッチング特性を解明
産業技術総合研究所(産総研)は、0.015K(−273.135℃)という超極低温におけるトランジスタのスイッチング特性を解明した。研究成果は量子コンピュータ用制御回路の設計などに適用できるとみられている。(2023/12/20)

6G/7G超高速無線通信に適用:
感度を一桁以上向上、テラヘルツ波検出素子を開発
東北大学と理化学研究所の研究グループは、インジウムリン系高電子移動度トランジスタ(HEMT)をベースとしたテラヘルツ波検出素子で、新たな検出原理が現れることを発見。この原理を適用して、検出感度を従来に比べ一桁以上も高めることに成功した。6G/7G超高速無線通信を実現するための要素技術として注目される。(2023/12/6)

新開発の結晶技術を採用:
GaN HEMTの出力密度を2倍に、住友電工が開発
住友電気工業は、新たに開発した結晶技術を用いることで、出力密度を従来の2倍に高めた窒化ガリウムトランジスタ(GaN HEMT)を開発した。ポスト5G基地局向け増幅器の小型化と高性能化が可能となる。(2023/11/22)

材料技術:
世界最高クラスの高出力密度のGaN HEMTを開発
住友電工は、NEDOが委託する「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」の一環で、新規結晶技術を用いて従来比で2倍となる高出力密度を実現した窒化ガリウムトランジスタを開発したと発表した【訂正あり】。(2023/11/21)

強く束縛したペア(励起子)を生成:
シリコントランジスタ上で同時に電子と正孔が存在
静岡大学と島根大学の研究チームは、ゲート電圧を制御することにより、シリコントランジスタ上で同時に電子と正孔を存在させることに成功した。しかも、電子と正孔の距離は約5nmと極めて接近しており、「強く束縛したペア(励起子)」を生成していることが分かった。(2023/11/10)

電子機器設計/組み込み開発メルマガ 編集後記:
2層トランジスタ画素積層型CIS、やっぱりiPhone 15に載ってた
Appleの「iPhone 15」。やっぱり2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー(CIS)を採用しているようです。(2023/10/30)

研究開発の最前線:
強誘電体トランジスタを活用し、メモリ機能を内蔵した不揮発光位相器を開発
東京大学は、強誘電体トランジスタを用いて、電源をオフにしても光位相の情報を失わない不揮発光位相器を開発した。メモリとして強誘電体を用いることで、電源オフの状態でも不揮発動作を光位相器に付与することに成功した。(2023/10/26)

強誘電体中のメモリ効果を利用:
光位相器を不揮発化、強誘電体トランジスタで駆動
東京大学は、光位相器を強誘電体トランジスタで駆動させる新たな手法を開発した。強誘電体中のメモリ効果を利用することで、光位相器の不揮発化に成功した。(2023/10/12)

「ムーアの法則」をさらに加速! Intelが2020年代後半に「ガラス基板」のCPUを実用化 1兆個のトランジスタの集積を目指して
Intelが、有機素材の代わりにガラス素材を使った基板を用いたCPU(半導体)の製造を2020年代後半に開始することを表明した。ガラス基板を用いることで回路の集積度や電力効率のさらなる向上、ゆがみの減少による歩どまりの改善が期待される。(2023/9/18)

医療技術ニュース:
マイクロ流路を備え、溶液中で溶質を検出する分子センサーを開発
東北大学は、マイクロ流路を備え、溶液センサーに特化した原子レベル薄膜二硫化モリブデン電界効果トランジスタを作成し、有機ELなどに使用される分子を溶液中で精密に検出することに成功した。(2023/9/13)

AI機能搭載端末機器などに応用:
神経系の動作をマネ、高速動作の電気二重層トランジスタ
物質・材料研究機構 (NIMS)と東京理科大学の研究チームは、セラミックス薄膜とダイヤモンドを用い、従来に比べ8.5倍も高速動作する電気二重層トランジスタを開発した。このトランジスタはニューロモルフィック動作を高速かつ高い精度で行えるという。(2023/7/13)

物理リザバーとして優れた性能示す:
東京理科大、全固体酸化還元型トランジスタを開発
東京理科大学らの研究グループは、リチウムイオン伝導性ガラスセラミック基板上にタングステン酸リチウム薄膜を積層した「全固体酸化還元型トランジスタ」を開発した。この素子を物理リザバーに用いれば、機械学習を高速かつ低消費電力で実行できる「ニューロモルフィックコンピューティング」技術を実現できるという。(2023/7/5)

材料技術:
2nm半導体プロセスの開発は順調、ナノシートトランジスタの完成度は80%以上
TSMCは、横浜市の会場で会見を開き、量産に向け開発を進める2nm世代半導体プロセス「N2」の開発が順調だと明かした他、N2で構築されるナノシートトランジスタの技術完成度は目標の80%以上を達成していると発表した。(2023/7/4)

AlNを用いSBDとMESFETを作製:
半導体素子、800℃を超える環境でも安定に動作
筑波大学は、窒化アルミニウム(AlN)半導体を用い、ダイオードは827℃まで、トランジスタは727℃まで、それぞれ極めて高い温度環境で、安定に動作させることに成功した。地下資源掘削や宇宙探索、エンジン周辺など、高い温度環境でも半導体素子の利用が可能となる。(2023/7/4)

約20万円の「Xperia 1 V」は誰向けか Xperia 1 IVユーザーが感じた“進化と課題”
ソニーのハイエンドモデル「Xperia 1 V」が2023年6月16日に発売された。Xperia 1 Vはメインの広角カメラに使うセンサーを大判化するとともに、2層トランジスタ画素積層型CMOSセンサーの「Exmor T for mobile」を世界で初めて採用したのが大きなポイント。実機を借りたので、先代の「Xperia 1 IV」と比べて、何が違うのかをチェックしていく。(2023/6/26)

量子ビット制御用集積回路を構成:
極低温動作のトランジスタ、ノイズ発生源を特定
産業技術総合研究所(産総研)は、極低温で動作する量子ビット制御用集積回路におけるノイズ発生の起源を特定した。量子コンピュータの高集積化や高性能化につながるものとみられる。(2023/6/14)

原子層堆積法で均一にナノ薄膜形成:
ナノシート酸化物半導体を用いたトランジスタ開発
東京大学と奈良先端科学技術大学院大学の共同研究グループは、低温で形成できるナノシート酸化物半導体をチャネル材料に用いて、高性能かつ高信頼のトランジスタを開発した。(2023/6/12)

新たな構造の2端子素子を作製:
東京大、酸化物素子で磁気抵抗比を10倍以上に
東京大学は、単結晶酸化物を用いて作製した強磁性体/半導体/強磁性体構造の横型2端子素子で、従来の10倍以上となる磁気抵抗比が得られたと発表した。この構造を用いて試作した3端子スピントランジスタ素子では、ゲート電圧によって電流を変調させることにも成功した。(2023/6/5)

Innovative Tech:
割り箸工作のような“木のトランジスタ” スウェーデンの研究者らが開発
スウェーデンのリンショーピング大学とスウェーデン王立工科大学に所属する研究者らは、木材から動作するトランジスタが作れることを実証した研究報告を発表した。(2023/5/18)

PCIM Europe 2023:
シリコン並みのコストで縦型GaN目指す、「YESvGaN」
ドイツで開催されたパワーエレクトロニクス関連の展示会「PCIM Europe 2023」で、シリコン並みのコストで縦型GaNパワートランジスタの実現を目指す欧州のコンソーシアム「YESvGaN」が、その取り組みを紹介した。(2023/5/12)

電子機器設計/組み込み開発メルマガ 編集後記:
23年度も大幅増収見込むソニー、2層トランジスタ画素積層型CISがiPhoneに?
ソニーのイメージセンサー事業は、22年度大幅な増収増益に。さらに、23年度も大幅な増収となる見通しを発表しました。(2023/5/1)

VIPerGaN65、VIPerGaN100:
GaNパワートランジスタ搭載コンバーター、STマイクロ
STマイクロエレクトロニクスは、GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタを用いたコンバーター「VIPerGaN65」「VIPerGaN100」を発表した。PWMコントローラーも備えていて、標準のオプトカプラを用いた二次側制御が可能となっている。(2023/4/28)

FAニュース:
ロジック半導体の性能向上に貢献、産総研と都立大が次世代トランジスタ材料を開発
産業技術総合研究所は、ロジック半導体の性能向上に貢献するトランジスタ材料を開発した。接触界面抵抗の低減技術の開発により、n型MoS2トランジスタの性能向上への貢献が期待できる。(2023/3/1)

半導体製造工程における耐熱性も:
MoS2トランジスタのコンタクト抵抗を大幅低減
産業技術総合研究所(産総研)は東京都立大学と共同で、二硫化モリブデン上に層状物質である三テルル化二アンチモンを成膜し、トランジスタのコンタクト抵抗を大きく低減させることに成功した。(2023/2/14)

有機半導体デバイスに有用な材料:
環状アミド構造を有するパイ電子系骨格群を開発
東京大学の研究グループは、環状アミド構造を有する新たなパイ電子系ベンゾ[de]イソキノリノ[1,8-gh]キノリンジアミド(BQQDA)骨格を開発し、有機電界効果トランジスタへの応用に成功した。(2023/1/20)

経営幹部が意見交換:
パワー半導体各社がみる「SiC/GaNの課題と未来」
ドイツ・ミュンヘンで開催された欧州最大規模のエレクトロニクス展示会「electronica 2022」(2022年11月15〜18日)では、パワー半導体メーカーの経営幹部らが、GaN/SiCパワートランジスタを巡る現在および将来の課題/チャンスについて議論を展開。特に、その製造と普及率に焦点を当てた。(2023/1/6)

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版:
景気低迷の露呈と進む分断:2022年の半導体業界を振り返る ―― 電子版2022年12月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2022年12月号を発行しました。今号のEE Exclusive(電子版限定先行公開記事)は、TSMC、Samsung Electronics、Intelのトランジスタ/製造プロセスのロードマップをまとめた『景気低迷の露呈と進む分断:2022年の半導体業界を振り返る』です。(2022/12/20)

頭脳放談:
第271回 Intelの未来予想図? ムーアの法則は続くよ、どこまでも
Intelが電子デバイスの学会「IEDM 2022」で、パッケージング上での10倍の実装密度向上を目指し、原子3個分の厚さの新素材でトランジスタの微細化を進める計画を発表した。果たして計画通りに進むのか、注目すべき点を解説しよう。(2022/12/19)

EE Exclusive:
それでも「ムーアの法則」は続く
今回は、TSMC、Samsung Electronics(以下、Samsung)、Intelのトランジスタ/製造プロセスのロードマップをまとめる。(2022/12/16)

シリコン光導波路をゲート電極に:
東京大とST、超高感度フォトトランジスタを開発
東京大学は、シリコン光回路中で動作する「超高感度フォトトランジスタ」を、STマイクロエレクトロニクスと共同で開発した。この素子を搭載するとシリコン光回路中の光信号をモニターすることができ、深層学習や量子計算に用いるシリコン光回路を、高速に制御することが可能となる。(2022/12/14)

フレキシブルCMOS回路の実現へ:
n型ポリマー半導体薄膜を作製、FETの動作を確認
奈良先端科学技術大学院大学は、一方向性フローティングフィルム・トランスファー法(UFTM)を用い、n型ポリマー半導体分子が一定方向に並んだ薄膜を作製することに成功した。液体表面に形成したこの薄膜を基板上に転写して、実用レベルの性能を持つnチャネル型FET(電界効果トランジスタ)を作製、その動作を確認した。(2022/12/13)

湯之上隆のナノフォーカス(55):
半導体の微細化は2035年まで続く 〜先端ロジックのトランジスタと配線の行方
2022年6月に開催された「VLSIシンポジウム」の講演のうち、最先端ロジック半導体に焦点を当てて解説する。ASMLが2023年から本格的に開発を始める次世代EUV(極端紫外線)露光装置「High NA」が実用化されれば、半導体の微細化は2035年まで続くと見られる。(2022/10/28)

より高出力、高周波の要求に対応:
住友電工、ポスト5Gに向けた「GaN-HEMT」を開発
住友電気工業は、GaN結晶にN極性を、ゲート絶縁膜にハフニウム(Hf)系の高耐熱高誘電材料を用いた「窒化ガリウムトランジスタ(GaN-HEMT)」を開発した。ポスト5G(第5世代移動通信)用通信機器に向ける。(2022/10/24)

米国での優位確立目指すIntel:
Intelのファウンドリー「No.1」顧客、米国防総省がGAAに照準
Intelの新しいファウンドリー部門であるIntel Foundry Services(IFS)のプレジデントを務めるRandhir Thakur氏は米国EE Timesに対して、「米国防総省(DoD)はIFSの“No.1”の顧客だ。IFSはDoDの最先端異種統合パッケージ(SHIP)プログラムに参加する計画だ」と語った。同プログラムには、高トランジスタ密度の3Dチップを促進するGAA(Gate-All-Around)技術に関する深い知識が必要となる。(2022/10/7)

Hot Chips基調講演:
「2030年までに1兆トランジスタ」繰り返し強調するIntel CEO
オンライン開催された今回のHot Chips 34(米国時間2022年8月21〜23日)でIntelのCEO(最高経営責任者)、Pat Gelsinger氏が行った基調講演は、特に新境地を切り開くような内容ではなかったが、同氏はそこで、「パッケージ当たりのトランジスタ数は2030年までに、10倍に増大する見込みだ」との予測について語った。(2022/10/4)

ノベルクリスタルテクノロジー:
酸化ガリウム反転型DI-MOSFETの基本動作を確認
ノベルクリスタルテクノロジーは、しきい値電圧6.6Vで耐圧1kVの酸化ガリウム反転型ダブルインプランティドMOSトランジスタ(DI-MOSFET)を試作し、その基本動作を確認した。今後は特性の改善などに取り組み、2025年の実用化を目指す。(2022/9/22)

Design Ideas パワー関連と電源:
シリコン/WBGパワーデバイスに有効な汎用絶縁型ゲートドライバ
MOSFET、IGBTならびにSiC(炭化ケイ素)トランジスタは高電力/高電圧アプリケーションでよく使用されるが、これらのゲートははるかに低い電圧で駆動されている。ゲート入力電圧の範囲が異なることに加え、これらデバイスの高電圧および低電圧回路におけるパスの全てが、製品とそのユーザーの両方を危険にさらし得る迷走電流を防止するためグランドから絶縁されていなければならない。本設計で提案している汎用絶縁型ゲートドライバ(UVIGD)は、これらの要件を満たすために作成したものだ。(2022/8/23)

ダイオーズ ULN62003A:
7チャネルのDMOSトランジスタアレイ
ダイオーズは、7チャンネルのDMOSトランジスタアレイ「ULN62003A」を発表した。ソレノイドやDCモーターなど、さまざまな負荷の駆動が可能で、洗濯機やエアコンなど家電製品での用途に適する。(2022/8/16)

「ムーアの法則」の限界突破に望み【後編】
IBM「夢の半導体チップ」がかなえる“冷却不要メインフレーム”の衝撃
チップにより多くのトランジスタを搭載するため、半導体ベンダーは技術開発を続けている。Intelが微細化の設計を表明する一方で、IBMはある特性を改善できる可能性のあるチップを発表した。(2022/7/20)

「ムーアの法則」の限界突破に望み【前編】
“1週間無充電で動くスマホ”も実現? IBMが開発した「夢の半導体チップ」とは
トランジスタを垂直に積み重ねる新しいチップ設計をIBMが発表した。半導体業界がスケーリング(微細化)の壁にぶつかる中で、このチップに集まる期待とは。(2022/7/11)

「ゲームチェンジャーになり得る」:
安価な製造法で高品質なAlGaNーHEMTの試作に成功
東京大学生産技術研究所教授の藤岡洋氏らは2022年7月、AlGaN(窒化アルミニウムガリウム)トランジスタを安価に製造できる手法を確立するとともに、同トランジスタを試作し実用性があること確認したと発表した。(2022/7/8)

Cr2O3薄膜とグラフェンを接合:
広島大、接合界面にスピン偏極電子状態の存在確認
広島大学は、放射光を活用した角度分解光電子分光実験により、クロム酸化物「Cr2O3」とグラフェンの接合界面にスピン偏極した電子状態が存在することを確認した。反強磁性体磁気メモリとスピントランジスタを直結した新しいデバイスの開発が期待される。(2022/7/5)

5nm比で電力効率は最大45%向上:
Samsung、GAAを適用した3nmプロセスの生産を開始
Samsung Electronics(以下、Samsung)は2022年6月30日(韓国時間)、GAA(Gate-All-Around)トランジスタ構造を適用した3nmプロセスノードの初期生産を開始したと発表した。まずは、高性能、低消費電力コンピューティングに向けたチップに適用し、その後モバイルプロセッサにも適用していく計画だ。(2022/6/30)

2nmについても言及:
TSMC、フィン構造を選べる3nmノードを発表
TSMCは、3nm FinFETノードを発表した。2022年後半に量産を開始する予定としている。同技術は、半導体設計における性能と電力効率、トランジスタ密度を向上させることができるだけでなく、これらのオプションのバランスを選択することも可能だという。(2022/6/24)

スイッチング損失を24%低減:
東芝、ダブルゲート構造の逆導通型IEGTを開発
東芝デバイス&ストレージと東芝は、ダブルゲート構造を採用することでスイッチング損失を低減した、耐圧4500Vの逆導通型IEGT(電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ)を開発したと発表した。2025年以降の実用化を目指す。(2022/6/20)

現行製造プロセスとも高い親和性:
FeFETによる機械学習、音声認識の精度は95.9%
東京大学は、強誘電体トランジスタ(FeFET)を用いた「リザバーコンピューティング」と呼ばれる機械学習方式を開発し、高い精度で音声認識を行うことに成功した。採用したFeEFTは現行の製造プロセスと親和性が高く、LSIの大規模化も比較的容易とみている。(2022/6/15)

高密度FeFETメモリの実現へ:
ALD法で酸化物半導体を三次元構造へ均一に成膜
東京大学と奈良先端科学技術大学院大学の共同研究グループは、酸化インジウムの成膜に原子層堆積(ALD)法を用いる技術を開発、この技術を活用して三次元垂直チャネル型の強誘電体/反強誘電体トランジスタメモリを開発した。(2022/6/13)


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にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。

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