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「トランジスタ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「トランジスタ」に関する情報が集まったページです。

医療技術ニュース:
細胞内電位記録と同等の信号強度が得られる有機トランジスタセンサーを開発
東京大学、東京女子医科大学、早稲田大学は、共同開発した有機トランジスタのセンサーマトリクスにより、細胞内電位記録と同等の信号強度の心筋細胞電位を細胞外から多点で同時計測することに成功した。(2021/10/7)

GaN Systemsとの契約締結で:
BMW、GaNパワー半導体の供給確保へ
GaN Systemsは、BMWとGaN(窒化ガリウム)トランジスタのキャパシティー(生産能力)を確保する契約を締結したことを発表した。供給が保証されることで、BMWはサプライチェーンの信頼性を確保することができる。GaN SystemsのCEO(最高経営責任者)を務めるJim Witham氏はインタビューの中で、「GaN Systemsは連続生産によって複数のアプリケーションに対応したキャパシティーを提供する」と述べている。(2021/9/30)

同一の構造や有機材料で可能に:
光照射でフレキシブル有機電子回路の特性を制御
大阪大学らの研究チームは、有機トランジスタの絶縁層に、紫外光を照射すると分子構造が変化する高分子材料を用いることで、集積回路の電気特性を制御できる技術を開発した。応用分野に適したフレキシブル有機電子回路を、これまでに比べ容易に実現することが可能になる。(2021/9/28)

1000℃の熱処理にも耐える:
大阪市立大学ら、GaNとダイヤモンドを直接接合
大阪市立大学と東北大学、佐賀大学および、アダマンド並木精密宝石らの研究グループは、窒化ガリウム(GaN)とダイヤモンドの直接接合に初めて成功した。GaNトランジスタで発生する温度上昇を、従来の約4分の1に抑えることができ、システムの小型化や軽量化につながるという。(2021/9/14)

医療機器ニュース:
わずか2nm厚の超小型トランジスタで分子の認識に成功
東北大学は、厚さ2nm、縦横1μm程度の超小型半導体薄膜による分子認識センサーを開発した。センサー表面に微量の分子を吸着させ、光応答電流を測定することで分子を検出する。(2021/9/3)

最大出力は45Wと150Wに対応:
ST、「MasterGaN」として新たに2製品を追加
STマイクロエレクトロニクスは、シリコンベースのハーフブリッジゲートドライバーと、2個のGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタを集積したSiP製品プラットフォーム「MasterGaN」として、新たに2製品を追加した。(2021/8/31)

福田昭のデバイス通信(317) imecが語る3nm以降のCMOS技術(20):
10nm以下の極短チャンネルを目指す2次元(2D)材料のトランジスタ
今回は、2次元材料の特長と、集積回路の実現に向けた課題について紹介する。(2021/8/27)

福田昭のデバイス通信(316) imecが語る3nm以降のCMOS技術(19):
サブナノメートル時代を見据える2次元(2D)材料のトランジスタ
「IEDM2020」の講演内容を紹介するシリーズ。今回から、「さらにその先を担うトランジスタ技術(ポストシリコン材料)」の講演部分を解説する。(2021/8/24)

STマイクロ IDCH、IDDE、IDEVシリーズ:
商用、産業用のRF LDMOSトランジスタを追加
STマイクロエレクトロニクスは、RF LDMOSパワートランジスタ製品に「IDCH」「IDDE」「IDEV」の3シリーズ合計30品種を追加した。商用および産業用のRFパワーアンプ向けとなっている。(2021/8/11)

福田昭のデバイス通信(315) imecが語る3nm以降のCMOS技術(18):
次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破(後編)
後編となる今回は、「シーケンシャル(Sequential)CFET」の具体的な試作例を紹介する。(2021/8/5)

福田昭のデバイス通信(314) imecが語る3nm以降のCMOS技術(17):
次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破(前編)
今回と次回は「シーケンシャル(Sequential)CFET」の重要な特徴である、ボトム側とトップ側で異なるトランジスタ材料が選べることの利点と、実際にCFETを試作した事例を解説する。(2021/8/3)

福田昭のデバイス通信(313) imecが語る3nm以降のCMOS技術(16):
次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」が抱える、もう1つの課題
今回は前回に続いてシーケンシャルCFETの講演部分を説明する。モノリシックCFETに比べるとシーケンシャルCFETの製造プロセスは難しくない。ただし製造プロセスには大きな制約が付きまとう。前回はその1つである、ウエハーを貼り合わせる界面で欠陥が発生する問題と対策を述べた。今回はもう1つの課題である、温度条件を解説しよう。(2021/7/30)

Intel、nmではない新命名法でのロードマップを発表 次は「Intel 7」に
Intelがnm(ナノメートル)命名法をやめ、第12世代Alder Lakeは「Intel 7」になる。ゲルシンガーCEOがプロセッサのロードマップを発表した。Intel 7の4世代先の「Intel 20A」では新たなトランジスタアーキテクチャ「RibbonFET」を採用する。(2021/7/27)

福田昭のデバイス通信(312) imecが語る3nm以降のCMOS技術(15):
次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」の製造プロセス
今回は、下側(底側、ボトム側)のトランジスタを作り込んでから、その上に別のウエハーを貼り合わせて上側(頂側、トップ側)のトランジスタを作成する「シーケンシャル(Sequential)CFET」の製造プロセスを解説する。(2021/7/27)

福田昭のデバイス通信(311) imecが語る3nm以降のCMOS技術(14):
次々世代のトランジスタ「モノリシックCFET」の製造プロセス
今回から、2種類のCFETの製造プロセスを解説していく。始めは「モノリシックCFET」を取り上げる。(2021/7/21)

福田昭のデバイス通信(310) imecが語る3nm以降のCMOS技術(13):
次々世代のトランジスタ技術「コンプリメンタリFET」の構造と種類
今回はCFETのトランジスタ構造と、CFETは製造方法の違いによって2種類に分けられることを説明する。(2021/7/16)

福田昭のデバイス通信(309) imecが語る3nm以降のCMOS技術(12):
コンプリメンタリFET(CFET)でCMOS基本セルの高さを半分に減らす
引き続き、FinFETの「次の次」に来るトランジスタ技術(コンプリメンタリFET/CFET)の講演部分を紹介する。今回は、CFETがCMOS基本セルの微細化に与えるメリットを具体的に解説する。(2021/7/13)

福田昭のデバイス通信(308) imecが語る3nm以降のCMOS技術(11):
FinFETの「次の次」に来るトランジスタ技術
今回から、「FinFETの「次の次」に来るトランジスタ技術(コンプリメンタリFET)」の講演部分を解説する。(2021/7/9)

福田昭のデバイス通信(306) imecが語る3nm以降のCMOS技術(9):
フォークシート構造のCMOSロジック製造プロセス
今回は、フォークシート構造のCMOSロジックを製造するプロセスを解説するとともに、試作したトランジスタの断面を電子顕微鏡と蛍光X線分析で観察した画像を提示する。(2021/7/1)

福田昭のデバイス通信(305) imecが語る3nm以降のCMOS技術(8):
フォークシート構造のトランジスタが次世代以降の有力候補である理由
今回は、CMOSロジックの基本セル(スタンダードセル)を微細化する手法の変化と、フォークシート構造の利点について解説する。(2021/6/28)

福田昭のデバイス通信(304) imecが語る3nm以降のCMOS技術(7):
ナノシート構造を超える高い密度を実現するフォークシート構造のトランジスタ
前回に続き、「FinFETの次に来るトランジスタ技術(ナノシートFETとフォークシートFET)」の講演部分を紹介する。imecは、フォークシート構造のトランジスタの研究開発に力を入れている。(2021/6/24)

福田昭のデバイス通信(303) imecが語る3nm以降のCMOS技術(6):
フィンFET(FinFET)の次に来るトランジスタ技術
今回からは「FinFETの次に来るトランジスタ技術(ナノシートFETとフォークシートFET)」の講演部分を報告していく。(2021/6/21)

2021 Technology Symposium:
TSMCの微細化は2nmまで? 以降はパッケージングが肝に
ムーアの法則はこれまで長年にわたり、「半導体チップのトランジスタ密度は、2年ごとに2倍になる」との見解を維持してきたが、3nmプロセスにおいて数々の問題が提示されるようになった。それでもTSMCは、引き続き楽観的な見方をしているようだ。(2021/6/10)

組み込み開発ニュース:
性能とエネルギー効率に優れた2nmチップ技術を発表
IBMは、2nmのナノシート技術による新しい半導体デザインを発表した。指の爪ほどのチップに最大500億個のトランジスタを搭載可能で、7nmノードチップと比べて性能が45%向上し、エネルギー消費量を75%削減する。(2021/5/20)

離れた表面状態がワイル粒子で結合:
トポロジカル物質のFETで量子ホール効果を観測
東京工業大学らの研究グループは、作製したトポロジカル半金属の電界効果トランジスタ(FET)において、空間的に離れた表面の電子状態がワイル粒子によって結合し、量子化された3次元軌道運動として量子ホール効果を示すことを実証した。(2021/5/11)

GAAアーキテクチャを採用:
IBMが「2nm」プロセスのナノシートトランジスタを公開
IBMは、米国ニューヨーク州アルバニーにある研究開発施設で製造した「世界初」(同社)となる2nmプロセスを適用したチップを発表した。同チップは、IBMのナノシート技術で構築したGAA(Gate-All-Around)トランジスタを搭載している。(2021/5/10)

トランジスタ1738個はんだ付けした「地獄のキット」 7日がかりで作る自走CPUがすごい
これは大変な仕事だ……。(2021/4/20)

THzトランジスタの商用化を可能に:
製造コストを削減できるグラフェン製造法を開発
東北大学は、グラフェンを用い低環境負荷で超高速のデバイスを製造する方法を開発した。テラヘルツ(THz)帯で動作する高品質のグラフェントランジスタを、これまでに比べ100分の1以下という安価な製造コストで実現できるという。(2021/2/8)

ネクスペリア NHDTx、NHUMxシリーズ:
車載、高電圧回路向け80V抵抗内蔵トランジスタ
ネクスペリアは、48V車載システムや高電圧バス回路向けに、80V抵抗内蔵トランジスタ「NHDTx」「NHUMx」シリーズ42製品を発表した。従来の50V製品と同等のバイアス抵抗を採用しつつ、大きなスパイクやパルスにも対応できる。(2021/1/26)

デンソー 昇圧用パワーモジュール:
燃料電池自動車向けの昇圧用パワーモジュール
デンソーは、燃料電池自動車向けにSiCパワー半導体を搭載した次期型昇圧用パワーモジュールの量産を開始した。新開発の車載用SiCトランジスタと車載用SiCダイオードを組み合わせた、小型で効率的なモジュールだ。(2020/12/18)

200℃以下でSi層とGe層を積層:
日台が連携、2nm世代に向けた「hCFET」を開発
日本と台湾の国際共同研究グループは、2nm世代に向けた積層型Si/Ge異種チャネル相補型電界効果トランジスタ「hCFET」を開発した。(2020/12/10)

シリコンIGBTの性能向上を実証:
両面ゲートIGBT、スイッチング損失を6割低減
東京大学生産技術研究所は、シリコンIGBTの表裏両面にMOSトランジスタのゲートを設けた「両面ゲートIGBT」を作製し、表面だけの従来構造に比べ、スイッチング損失を62%低減できることを実証した。(2020/12/9)

n型有機半導体単結晶薄膜を利用:
4.3MHz動作の高速n型有機トランジスタを開発
東京大学と筑波大学の研究者らによる共同研究グループは、印刷が可能でバンド伝導性を示すn型有機半導体単結晶薄膜を用い、4.3MHzで動作する高速n型有機トランジスタを開発した。(2020/11/25)

600Vの産業用も、日本TI:
ドライバや保護回路を集積した車載用650V GaN FET
日本テキサス・インスツルメンツは2.2MHzの高速スイッチングゲートドライバや保護回路を集積した車載用650V耐圧GaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)製品を発表した。(2020/11/11)

最終製品の大幅な小型、軽量化を実現:
ハーフブリッジドライバとGaN-HEMTを集積したSiP
STマイクロエレクトロニクスは、ハーフブリッジゲートドライバと2つのGaN-HEMT(窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ)を集積したSiP(System in Package)製品プラットフォーム「MasterGaN」を開発した。(2020/11/6)

詳細なメカニズムの解明にも成功:
GaN-HEMT、表面電子捕獲の時空間挙動を直接観測
東北大学の研究グループと住友電気工業、高輝度光科学研究センターは、窒化ガリウム(GaN)を用いた超高速トランジスタ(GaN-HEMT)が動作している時に、表面電子捕獲の時空間挙動を直接観測することに成功し、その詳細なメカニズムも解明した。(2020/11/5)

遮断周波数は最速の45MHz:
有機半導体トランジスタの高速応答特性をモデル化
東京大学と産業技術総合研究所(産総研)、物質・材料研究機構(NIMS)の共同研究グループは、有機半導体トランジスタの高速応答特性をモデル化することに成功した。製造した有機半導体トランジスタの遮断周波数は、最速となる45MHzを達成した。(2020/9/29)

量子デバイスへの応用などに期待:
東北大とローム、GaN FET構造で量子ドットを観測
東北大学とロームの研究グループは、窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)構造で、量子ドットが形成されることを観測した。半導体量子ビットや量子センサーへの応用、材料内のミクロな不純物評価などへの活用が期待される。(2020/9/28)

組み込み開発ニュース:
インテルの新プロセッサ「Tiger Lake」、トランジスタやメタル改良で高性能化
インテルは2020年9月3日、報道関係者向けのプレスセミナーをオンライン開催し、動作周波数の向上と消費電力の削減を同時に達成する「SuperFinプロセステクノロジー」や、新グラフィック機能などを実装した第11世代インテル Core プロセッサ ファミリーを発表した。同プロセッサの開発コード名は「Tiger Lake」である。(2020/9/7)

高真空とリソのプロセスを不要に:
無電解めっきを用い高性能有機トランジスタを製造
東京大学らの共同研究グループは、「無電解めっき」でパターニングをした金電極を有機半導体に貼り付けた、「高性能有機トランジスタ」の製造に成功した。(2020/8/12)

アニメ「宇崎ちゃんは遊びたい!」2話振り返り トランジスタグラマー宇崎ちゃんはあっちもこっちもSUGOI
2人を観察する者、マスター登場回。(2020/7/19)

成膜速度は従来の2000倍以上:
有機トランジスタ用結晶膜成膜の高速化に成功
東京工業大学は、有機トランジスタ用半導体の超高速塗布成膜に成功した。ディップコート法と液晶性有機半導体を活用することで、従来の溶液プロセスに比べ成膜速度は2000倍以上も速い。(2020/7/9)

2次元配列の「配線問題」を解決:
多層ニューラルネットワークを1チップに多層構造で実装 東京大学生産技術研究所の小林正治氏らが3次元集積デバイスを開発
東京大学生産技術研究所の准教授を務める小林正治氏らは、IGZOトランジスタと抵抗変化型不揮発性メモリを3次元集積したデバイスの開発に成功した。ディープラーニングの多層ニューラルネットワークを1チップ上に多層構造で実装可能になる。(2020/6/18)

多層ニューラルネットを1チップに:
東京大、IGZOトランジスタとRRAMを3次元集積
東京大学生産技術研究所の小林正治准教授らは、膜厚が極めて薄い酸化物半導体「IGZO」を用いたトランジスタと、抵抗変化型不揮発性メモリ(RRAM)を3次元集積したデバイスを開発し、インメモリコンピューティングの機能実証に成功した。(2020/6/17)

研究開発の最前線:
半導体ナノ結晶を用いて光電流増幅効果の高い電界効果トランジスタを作製
電力中央研究所と早稲田大学、Fluximの共同研究グループは、二重構造を持つ半導体ナノ結晶を用いて、これまでより大きな光電流増幅効果を持つ電界効果トランジスタを作製することに成功した。(2020/3/2)

高移動度と短チャネル化を両立:
遮断周波数が38MHzの有機トランジスタを開発
東京大学らによる共同研究グループは、有機半導体単結晶の薄膜上でチャネル長1μmを実現する微細加工手法を開発した。この手法を用い、遮断周波数が38MHzの有機トランジスタを実現した。(2020/2/7)

実用レベルの移動度を実現:
東大、シールのように貼れる有機半導体膜を開発
東京大学は、印刷法で製膜をした極めて薄い有機半導体膜を、別の基板上に貼り付ける手法を開発した。この技術を用いて作製した電界効果トランジスタの移動度は、実用レベルの約10cm2/Vsを実現している。(2019/12/20)

頭脳放談:
第234回 ヤァヤァヤァ、有機トランジスタの時代がやってくる?
東京大学などが有機トランジスタの実用性を向上させる印刷技術を開発したという。有機トランジスタは、既存のシリコントランジスタを置き換えることができるのだろうか?(2019/11/18)

実用レベルの移動度を実現:
東大ら、簡便な印刷法で有機半導体ウエハー作製
東京大学らによる共同研究グループは、実用レベルの有機トランジスタを実現できる有機半導体ウエハーを、簡便な印刷法で作製することに成功した。(2019/11/8)

Beyond-Silicon:
MIT、カーボンナノチューブでRISC-Vプロセッサを開発
米Massachusetts Institute of Technology(MIT)の研究グループが、カーボンナノチューブ(CNT)トランジスタを使った16ビットのRISC-Vマイクロプロセッサの開発に成功したと発表した。業界標準の設計フローとプロセスを適用し、シリコンプロセッサと比べて10倍以上高いエネルギー効率を実現するという。(2019/9/13)


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