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レゾナックが300mm SiC基板を初公開　サンプル提供も：150／200mm品の品質向上に活用

レゾナックは、炭化ケイ素（SiC）に関する国際会議「ICSCRM 2026」で、300mm SiC単結晶基板を初公開した。現時点で300mm SiCエピウエハーを開発／販売する計画はないものの、顧客から要望があれば単結晶基板のサンプル提供には対応する。300mm品の開発で得た知見を、150／200mm品の品質向上にも生かす考えだ。

» 2026年10月06日 10時30分公開

[浅井涼，EE Times Japan]

　レゾナックは、炭化ケイ素（SiC）に関する国際会議「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ICSCRM） 2026」（2026年9月27日～10月2日、パシフィコ横浜）で、300mm（12インチ）SiC単結晶基板を展示した。2026年9月15日に発表したもので、現物を公開するのは今回が初めてだ。

レゾナックが展示した300mm SiCインゴット（右）と単結晶基板（左）［クリックで拡大］

熱コントロールの改良で実現

　SiCデバイスの量産で現在主流なのは150mm（6インチ）基板で、200mm（8インチ）基板への移行が進みつつある状況だ。その先を見据え、中国のSICCや米国のWolfspeedなどは既に300mm品の開発成果を相次いで発表している。

　こうした中、レゾナックも300mm SiC単結晶の成長と基板加工に成功した。レゾナックによると、300mm化で大きな課題となったのが、結晶成長時の熱のコントロールだ。大口径になるほど中心部と外周部で温度差が生じやすく、温度分布を均一に制御することが難しくなる。装置の条件設定やプロセスの調整を重ねることで対応したという。

　基板加工にも工夫を加えた。SiCは硬く脆い材料なので、単結晶インゴットをウエハー状に切り出すスライス工程や、その後の研磨工程について技術を改良した。

　競合他社と比べたレゾナックのSiC基板の強みについて、同社の担当者は「品質とコストのバランスが良い」と話す。

300mmの知見を150／200mm品に

　レゾナックはSiC単結晶の成長や基板加工、エピタキシャル成長を手掛け、SiCエピウエハーを販売している。今回開発した300mm単結晶基板については、現時点でエピウエハーを開発／販売する具体的な計画はないという。300mmへの大口径化を通じて結晶成長や基板加工の技術力を高め、その知見を現在供給している150mmや200mm品の品質向上に生かす考えだ。

　一方で、顧客から要望があれば、300mm単結晶基板のサンプル提供などは対応可能だとしている。

徐々に大口径化が進んできたSiC単結晶基板［クリックで拡大］

レゾナックが300mm SiC単結晶基板を開発
レゾナックは2026年9月15日、直径300mmの炭化ケイ素（SiC）単結晶の成長と基板加工に成功したと発表した。SiC基板では6インチから8インチへの移行が本格化する中、既に中国や米国のメーカーらがその先の300mm品について、相次いで開発成果を示していた。
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