レゾナックが300mm SiC単結晶基板を開発：競争活発化、中国勢ら存在感

レゾナックは2026年9月15日、直径300mmの炭化ケイ素（SiC）単結晶の成長と基板加工に成功したと発表した。SiC基板では6インチから8インチへの移行が本格化する中、既に中国や米国のメーカーらがその先の300mm品について、相次いで開発成果を示していた。

[永山準，EE Times Japan]

　レゾナックは2026年9月15日、直径300mm（12インチ）の炭化ケイ素（SiC）単結晶の成長と基板加工に成功したと発表した。同社は「300mmは現在開発が進むSiC基板として世界最大級の口径であり、SiC基板およびSiCエピウエハーの大口径化と高品質化に向けた重要な技術的マイルストーンとなる」としている。

　SiC基板では6インチ（150mm）から8インチ（200mm）への移行が本格化する中、既に中国や米国のメーカーらがその先の300mm品について、相次いで開発成果を示していた。

今回開発した300mm（12インチ）SiC単結晶基板（右）［クリックで拡大］

「SiC単結晶基板／エピウエハーの技術革新」追求

　SiCはパワー半導体において、従来のシリコンウエハーを用いた場合と比べて電力変換時の損失や発熱が少なく、省エネルギー化に寄与する材料として注目されている。主な用途は電気自動車（EV）や再生可能エネルギー分野で、データセンター向け電源など高効率化が求められる領域でも活用が広がりつつある。レゾナックは現在、150mmのSiCエピウエハーを量産しているほか、200mmのSiCエピウエハーの出荷も開始している。

　レゾナックは2022年から、NEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）のグリーンイノベーション基金事業でSiCウエハーの大口径化などに取り組んできた。今回、これまで培ってきたSiC単結晶の成長技術と基板加工技術を活用し、300mm SiC単結晶の成長と基板加工に成功したとしている。

　同社は「今後も『ベスト・イン・クラス』をモットーに、SiC単結晶基板およびエピウエハーの技術革新を追求し、高性能／高信頼性のSiC材料の提供を通じて、パワーエレクトロニクス市場の進化と持続可能な社会の実現に貢献していく」と述べている。

中国が開発推進、米国競合も続く

　SiCの300mm化を巡っては、中国のSiC基板大手SICCが2024年11月、「業界初」をうたうN型SiC基板を発表。その後も中国では複数のメーカーが単結晶や基板の開発に成功しているとされる。2026年6月にドイツで開催された「PCIM Europe 2026」でも、中国SuperSiCが4H-SiCのN型300mm基板などを展示していた。

　また米国でもCoherentが2025年12月に300mm SiCプラットフォームの開発を発表し、2026年8月には300mmの高熱伝導SiC基板について、AI半導体メーカー向けのサンプル出荷を開始。Wolfspeedも同年1月、300mm SiC単結晶ウエハーの製造に成功したと発表している。

　SiC基板には、導電性を持つN型や電気抵抗が高い半絶縁型などがあり、用途によって使い分けられる。N型は主にSiCパワー半導体の基板として使われる一方、半絶縁型はRFデバイスのほか、ARスマートグラス向けなどへの応用も進められている。

　また、単結晶SiC材料は高い熱伝導率を持つことから、AIサーバや高性能コンピューティング（HPC）向け半導体の放熱基板、先端パッケージ基板などへの応用も注目されているという。