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「MRAM」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「MRAM」に関する情報が集まったページです。

関連キーワード

トポロジカル絶縁体とMJTを集積:
東京工大ら、SOT-MRAM素子の原理動作実証に成功
東京工業大学と米国カリフォルニア大学ロサンゼルス校を中心とした国際研究チームは、トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合(MTJ)を集積したスピン軌道トルク磁気抵抗メモリ(SOT-MRAM)素子を試作し、読み出しと書き込みの原理動作を実証した。(2021/11/5)

SOT-MRAM開発スタートアップ:
MRAMの制約を克服するスピン軌道トルク
AntaiosのCEO(最高経営責任者)を務めるJean-Pierre Nozières氏は米国EE Timesのインタビューで、「スピン軌道トルク(SOT)MRAMは、スピン伝達トルク(STT)MRAMが現在直面している“トリレンマ”に対処できる」と語った。(2021/10/11)

極薄Ta層で磁気記憶層を平たん化:
産総研、MRAMの磁気安定性を飛躍的に改善
産業技術総合研究所(産総研)は、原子層レベルで制御されたタンタル(Ta)を下地に用いることで、磁気抵抗メモリ(MRAM)の磁気安定性を飛躍的に改善する技術を開発した。(2021/7/26)

トンネル障壁層に新材料を採用:
MRAM用単結晶MTJ素子を300mmウエハー上に作製
産業技術総合研究所(産総研)は、MRAM用の単結晶MTJ(磁気トンネル接合)素子をシリコンLSIに集積化するための3次元積層プロセス技術を開発した。(2021/6/3)

福田昭のストレージ通信(199) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(24):
埋め込みフラッシュメモリをマイコンとFPGAに応用
今回と次回は、MRAM以外の埋め込みメモリを紹介する。今回は、フラッシュメモリをロジックLSIに埋め込んだ「eFLASH」の製品化事例を解説しよう。(2021/5/18)

福田昭のストレージ通信(196) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(23):
Samsungの埋め込みMRAMをソニーのGPSレシーバーLSIが搭載
今回は、Samsung Electronicsが開発した埋め込みMRAM技術の製品化事例を報告する。具体的には、Huaweiのスマートウォッチ「GT2」に搭載されているソニーセミコンダクタソリューションズのGPSレシーバーIC「CXD5605」に、SamsungのMRAMマクロが内蔵されていることが明らかになった。(2021/4/30)

福田昭のストレージ通信(195) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(22):
Everspinが3世代にわたって開発してきたMRAM技術の変遷
今回は、最も多くの出荷実績を有するMRAMベンチャーであるEverspin Technologiesについて解説する。(2021/4/27)

福田昭のストレージ通信(194) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(21):
米国のルネサスが販売している8MビットのSTT-MRAM
今回は、MRAMおよびSTTT-MRAMの開発ベンチャーであるAvalanche Technologyの製品事例を紹介する。(2021/4/23)

テラヘルツ電子デバイス実現に道筋:
反強磁性金属のスピン反転、10ピコ秒以下を実証
東京大学らの研究グループは、トポロジカル反強磁性金属においてスピン反転の時間が10ピコ秒以下と極めて速いことを実証した。読み書き速度は、現行のMRAMに比べ10〜100倍も早くなるという。(2021/4/19)

電子ブックレット(組み込み開発):
村田製作所が全固体電池を量産へ/ソニー製STT-MRAMがSSDに
MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2020年10〜12月に公開した組み込み開発関係のニュースをまとめた「組み込み開発ニュースまとめ(2020年10〜12月)」をお送りする。(2021/2/1)

IoT&5Gソリューション展:
ソニー製STT-MRAMをSSDに搭載、Nextorageがデモを披露
ソニーグループのメモリストレージベンダーであるNextorageは、「第6回 IoT&5Gソリューション展 秋」において、STT-MRAMを記憶媒体として用いたPCI-ExpressベースのSSDのデモンストレーションを披露した。STT-MRAMは、ソニーセミコンダクターソリューションズで開発中のものを使用している。(2020/10/30)

米新興企業:
Spin Memory、MRAM製造でArmやAppliedと協業へ
米国カリフォルニア州フリーモントに拠点を置く新興企業Spin Memoryは、ArmとApplied Materialsとの協業により、MRAM(磁気抵抗メモリ)を製造すると発表した。軍事、自動車、医療用機器などの幅広い分野への普及を実現できると期待されている。(2020/9/25)

書き込み60MHz、読み出し90MHzを達成:
「世界初」SOT-MRAMチップの動作実証に成功、東北大
東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター(以下、CIES)と同大電気通信研究所は2020年6月15日、スピン軌道トルク型磁気トンネル接合(SOT-MTJ)素子を用いた不揮発性メモリ(SOT-MRAM)チップを試作し、その動作実証に世界で初めて成功した、と発表した。(2020/6/18)

車載対応のデータ保持特性:
東北大学、Quad-MTJで高速動作などを確認
東北大学は、新たな4重界面磁気トンネル接合素子(Quad-MTJ)とその製造技術を開発し、STT-MRAM(スピン注入型磁気抵抗メモリ)に求められる「高速動作」の実証と「データ書き換え信頼性」について確認した。同時に車載用途で必要となる「データ保持特性」も実現した。(2020/6/19)

「ストレージクラスメモリ」総ざらい【後編】
ストレージクラスメモリ「STT-MRAM」「NRAM」とは? 「DRAM」と何が違う?
ストレージクラスメモリの一種である「MRAM」には幾つかの種類が存在する。それぞれどのような技術を採用していて、容量や性能の観点でどのような違いがあるのだろうか。(2020/3/31)

「ストレージクラスメモリ」総ざらい【中編】
「DRAM」と「MRAM」の決定的な違いとは?
メインメモリとストレージの在り方を変える可能性を秘める「ストレージクラスメモリ」。その主要技術「MRAM」とは何か。DRAMやNAND型フラッシュメモリと何が違うのか。(2020/3/12)

新たな磁気メモリの実用化近づく:
東北大学、SOT-MRAMセルの動作実証に成功
東北大学は、400℃の熱処理耐性と無磁場で350ピコ秒の高速動作、10年間データ保持を可能とする熱安定性を実現したスピン軌道トルク(SOT)型磁気トンネル素子の作製に成功した。SOT-MRAMセルとしての動作も確認した。(2019/12/12)

EE Exclusive:
拡大基調が見え始めたMRAM、鍵はエコシステムと製造技術
MRAM(磁気抵抗メモリ)の採用が拡大基調に突入しようとしている。ただし、採用がすぐに進むかどうかは、製造技術の進歩と、ディスクリートおよび組み込みMRAMデバイスの技術をサポートするエコシステムの発展の両方にかかっている。(2019/9/30)

アプライド マテリアルズ:
次世代メモリの本格量産を可能にする新PVD装置
アプライド マテリアルズ ジャパンは、東京都内で記者説明会を行い、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化型メモリ)など新型メモリの量産を可能にするPVD(物理蒸着)装置について、その特長などを紹介した。(2019/9/19)

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版:
拡大基調が見え始めたMRAM、鍵はエコシステムと製造技術 ―― 電子版2019年9月号
EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2019年9月号を発行致しました。今回の電子版先行公開記事(EE Exclusive)は、「拡大基調が見え始めたMRAM、鍵はエコシステムと製造技術」です。他にも、Micron Technology幹部インタビュー記事などを掲載しています。(2019/9/17)

150℃でも十分な熱安定性を実現:
東北大学、車載用途に対応可能なMTJ技術を開発
東北大学は、150℃の高温環境でも、十分なデータ保持時間(熱安定性)を確保できる磁気トンネル接合(MTJ)技術を開発した。車載システムへのSTT-MRAM応用が可能となる。(2019/6/17)

福田昭のストレージ通信(150) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(11):
磁気抵抗メモリ(MRAM)の技術動向と製品動向
今回は、MRAMの技術開発状況と製品化動向を取り上げる。特に、最近のMRAM開発で注目されている埋め込みメモリについて解説する。(2019/6/14)

福田昭のストレージ通信(149) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(10):
磁気抵抗メモリ(MRAM)の長所と短所
今回から磁気抵抗メモリ(MRAM)について解説する。まずはMRAMの構造と、長所、短所をそれぞれ説明しよう。(2019/6/11)

福田昭のストレージ通信(146) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(7):
次世代メモリ技術の最有力候補はPCMとMRAM、ReRAM
今回は、次世代メモリの立ち位置を再確認した上で、相変化メモリ(PCM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)という3つの最有力候補について解説する。(2019/5/22)

ロジックへの統合が容易:
Samsung、28nm FD-SOIプロセス適用のeMRAMを出荷へ
Samsung Electronics(以下、Samsung)は、28nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター、以下FDS)プロセスをベースにした最初のeMRAM(組み込み型磁気抵抗メモリ)製品の量産を発表した。(2019/3/12)

ISSCC 2019:
Intel、22nm FinEFT適用MRAMの概要を発表
Intelは、22nm FinFETプロセス適用デバイスで採用する、組み込みSTT-MRAM(スピン注入磁化反転方式の磁気抵抗メモリ)向け技術について、詳細を明らかにした。(2019/2/22)

福田昭のストレージ通信(135) 半導体メモリの勢力図(6):
次世代メモリの市場予測と3D XPointメモリの現状
今回は、次世代メモリのうち、MRAM(磁気抵抗メモリ)とクロスポイントメモリ(XPoint)について、市場予測と開発状況を説明する。(2019/2/15)

福田昭のストレージ通信(134) 半導体メモリの勢力図(5):
既存のメモリと次世代のメモリを比較する
今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化メモリ)といったエマージング・メモリ(次世代メモリ)の特徴を比較する。(2019/2/8)

高集積MRAM実現に向けて:
磁力の弱いナノ薄膜磁石を磁気のない金属から作製
東北大学材料科学高等研究所(AIMR)の鈴木和也助教と水上成美教授らの研究グループは2018年12月、磁気のない金属からナノ薄膜磁石(マンガンナノ薄膜磁石)を作ることに成功したと発表した。高集積MRAM(磁気抵抗メモリ)を実現するための材料開発に新たな視点を与える研究成果だとする。(2018/12/14)

スイッチング電流の測定技術確立:
STT-MRAMの不良解析を高精度・高効率で実現
東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター(CIES)の遠藤哲郎センター長らによる研究グループは、アドバンテストと共同でスピン注入型磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)のスイッチング電流を、高い精度で高速に測定する技術を確立した。(2018/11/5)

BiSbをSOT-MRAMに応用:
トポロジカル絶縁体で高性能純スピン注入源開発
東京工業大学は、トポロジカル絶縁体であるBiSb(ビスマスアンチモン)の(012)面方位を用いて、高性能の純スピン注入源を開発した。次世代スピン軌道トルク磁気抵抗メモリ(SOT-MRAM)を実現できる可能性が高まった。(2018/8/2)

福田昭のストレージ通信(110) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(10):
2xnm技術で試作した40Mビット埋め込みMRAM(後編)
2xnm世代のCMOSロジック製造技術によって記憶容量が40Mビット(5Mバイト)の埋め込みMRAMマクロを試作した結果を報告する後編である。ここでは、長期信頼性(書き換えサイクル数とデータ保持期間)とはんだ付け耐熱性に関する試験結果を紹介する。(2018/7/20)

福田昭のストレージ通信(109) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(9):
2xnm技術で試作した40Mビット埋め込みMRAM(前編)
2xnm世代のCMOSロジック製造技術によって記憶容量が40Mビット(5Mバイト)の埋め込みMRAMマクロを試作した結果を、前後編で報告する。前編では、高温動作での読み出し電圧マージンの確保と、低温動作での書き込み電圧マージンの維持について紹介する。(2018/7/18)

福田昭のストレージ通信(108) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(8):
磁気トンネル接合(MTJ)におけるSRAM代替用とフラッシュ代替用の違い
SRAM代替用MRAMとフラッシュメモリ代替用MRAMでは、磁気トンネル接合(MTJ)の特性がどのように異なるのだろうか。(2018/7/6)

Computer Weekly日本語版
期待のストレージクラスメモリ、Z-NAND、3D XPoint、MRAM
ダウンロード無料のPDFマガジン「Computer Weekly日本語版」提供中!(2018/6/30)

福田昭のストレージ通信(107) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(7):
埋め込みMRAMの磁気トンネル接合(MTJ)に要求される条件
多層配線の製造工程に磁気トンネル接合(MTJ)の製造プロセスを組み込むと、どのようなことがMTJに要求されるようになるのか。今回は、その要求を解説する。(2018/6/29)

SCMの時代がやって来た(前編)
期待のストレージクラスメモリ、Z-NAND、3D XPoint、MRAMを理解しよう
不揮発性で既存のSSDよりもはるかに高速な「ストレージクラスメモリ」。IntelとMicronの3D XPointを筆頭に、Z-NANDやMRAMなどが市場に登場している。有望な技術はどれだろうか。(2018/6/27)

福田昭のストレージ通信(106) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(6):
埋め込みMRAMのメモリセルと製造プロセス
今回は、ロジックへの埋め込みに向けたMRAMのメモリセルと製造プロセスについて解説する。(2018/6/21)

福田昭のストレージ通信(105) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(5):
MRAMのメモリセルと読み書きの原理
今回は、MRAMのメモリセルの構造と、データの読み出しと書き込みの原理をご説明する。(2018/6/12)

福田昭のストレージ通信(104) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(4):
IoT/自動車向けMRAMに対する要求仕様とデータ書き換え特性
埋め込みフラッシュメモリの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-F)と、埋め込みSRAMの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-S)が、IoT(モノのインターネット)や自動車で使われる場合、どういった仕様が要求されるのか。データの書き換え特性を中心に解説する。(2018/6/4)

福田昭のストレージ通信(103) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(3):
埋め込みMRAM技術がフラッシュとSRAMを置き換えへ
今回は、GLOBALFOUNDRIESが提供する埋め込みMRAMマクロの概要を解説する。(2018/5/25)

書き込み電流も同時に評価:
STT-MRAM用テスト装置、測定が2万倍高速に
東北大学とキーサイト・テクノロジーは、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)の信頼性評価を高速かつ正確に行う技術を開発した。従来システムに比べ2万倍も高速に測定することができる。(2018/5/17)

福田昭のストレージ通信(102) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(2):
微細化限界に達したフラッシュをMRAMで置き換え
埋め込みフラッシュメモリが直面する課題は、微細化の限界である。GLOBALFOUNDRIESは、2xnm以下の技術世代に向けた埋め込み不揮発性メモリとして、MRAM(磁気抵抗メモリ)を考えている。(2018/5/15)

福田昭のストレージ通信(101) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(1):
記憶容量と書き換え回数から最適な埋め込みメモリを選択
半導体デバイス技術に関する国際会議「IEDM」で行われたセミナー「Embedded MRAM Technology for IoT & Automotive(IoTと自動車に向けた埋め込みMRAM技術)」の概要を今回からシリーズで紹介する。(2018/5/9)

100GビットのSTT-MRAM実現へ:
磁気トンネル接合素子、直径3.8nmで動作確認
東北大学電気通信研究所の大野英男教授らによる研究グループは、不揮発性磁気メモリ「STT-MRAM(スピン移行トルク−磁気抵抗RAM)」の大容量化を可能とする磁気トンネル接合素子の新方式を提案し、動作実証に成功した。(2018/2/19)

市場の見通しは明るい:
「MRAMの導入は速く進む」 STTが強気な見解
MRAMを手掛ける数少ない新興企業の1つSpin Transfer Technologies(STT)は、MRAMの根本的な課題を解決する技術の開発を進めているという。CEOに着任したばかりのTom Sparkman氏は、「MRAMの導入は、予想よりもはるかに速く進むのではないか」との見方を示す。(2017/9/15)

高信頼性と低消費電力を実現:
電圧トルクMRAM、書き込みエラー率を低減
産業技術総合研究所(産総研)は、電圧書込み方式磁気メモリ(電圧トルクMRAM)の書込みエラー率を従来の200分の1に低減する技術を開発した。(2017/7/18)

大容量化と高性能化を可能に:
MRAMの3次元積層プロセス技術を開発
産業技術総合研究所(産総研)の薬師寺啓研究チーム長らは、不揮発性磁気メモリー「MRAM」の大容量化、高性能化につながる3次元積層プロセス技術を開発した。(2017/5/22)

Everspinが発表:
STT-MRAM採用のストレージアクセラレーター
MRAM(磁気メモリ)を手掛けるEverspin Technologiesが、STT-MRAM(スピン注入磁化反転型磁気メモリ)を採用したストレージアクセラレーターを発表した。同社にとって初となる、システムレベルのMRAM製品だという。(2017/3/13)

大容量化と大量生産を加速:
MRAM、参照層スペーサーにイリジウム採用
産業技術総合研究所(産総研)は、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の性能向上や大量生産を可能とする参照層を開発した。(2017/3/2)


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