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「NAND」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

Not AND

NANDフラッシュが手軽に組み込めるe.MMC入門:
PR:e.MMCを使いこなすための「6つのポイント」
NAND型フラッシュメモリーとコントローラー、ファームウェアが一体になったストレージ「e.MMC」。NANDフラッシュを手軽に機器に組み込めるe.MMCとはどのようなストレージかを紹介しつつ、使いこなすためのポイントを解説する。(2021/10/26)

ハイエンドSSDが新時代に! 176層/PCIe 4.0 x4の新製品2モデルを試す
176層の3D TLC NANDフラッシュメモリを搭載した、PCI Express 4.0 x4対応SSDが続々と登場している。Crucialと日本シーゲートの最新モデルをチェックした。(2021/10/15)

フラッシュメモリ価格とSSD、HDD【後編】
3DやQLCのフラッシュメモリに隠れて「HDD」が使われ続ける理由
NAND型フラッシュメモリの価格は緩やかに上昇して緩やかに下がる。変動要因の一つは需要の変化だ。大容量HDDとSSDなどフラッシュストレージの置き換えが進むのかどうかが鍵になる。(2021/10/8)

フラッシュメモリ価格とSSD、HDD【前編】
「SSD」を“慌てて買う”必要はない NAND型フラッシュ価格は緩やかに推移
今後NAND型フラッシュメモリの供給不足は解消に向かい、2022年にNAND型フラッシュメモリとSSDは値下がりに転じる可能性がある。市場の値動きを見るアナリストの見方は。(2021/10/1)

古田雄介の週末アキバ速報:
連休特価で1TB SSDが9000円切り!
大容量SSDが再び週末特価で目立つようになっている。Samsungの「870QVO」シリーズや、ウェスタンデジタル「WD BLUE 3D NAND」などの2.5インチ1TBモデルで9000円以下の値付けが見られた。(2021/9/18)

「OptiNAND」:
WD、NANDとHDDを組み合わせた新たなハードドライブを発表
Western Digital(以下、WD)はNAND型フラッシュメモリとスピニングディスクを組み合わせたドライブアーキテクチャ「OptiNAND」を発表した。(2021/9/14)

きちんと理解すれば難しくない!:
PR:NANDフラッシュの基礎知識
不揮発性メモリの代表格であるNAND型フラッシュメモリ。安価で大容量だが、高い可能性で発生する「エラー」を適切に対処する必要がある。本稿では、NANDフラッシュを機器に組み込む上で知っておきたい特性とともに、適切なNANDフラッシュの管理、制御を解説する。(2021/8/27)

新興メモリやSCMが拡大しても:
メモリコントローラーの未来は、まだNANDに依存
メモリコントローラーの未来は、それらが制御するメモリと切っても切れない関係にある。同様に、メモリコントローラーもムーアの法則に支配されている。新しいアーキテクチャによってストレージクラスメモリ(SCM:Storage Class Memory)が勢力を拡大する可能性があるが、メモリコントローラー市場は依然としてNAND型フラッシュメモリに支配されている。(2021/8/12)

再編の詳細は明かさず:
清華紫光集団が破産を認める、企業再編へ
債務超過に陥っている中国の半導体企業「Tsinghua Unigroup(清華紫光集団)」が、破産を認めた。3D NAND型フラッシュメモリベンチャーである YMTC(Yangtze Memory Technologies Corporation)や半導体設計を手掛けるUnisoc(Shanghai)Technologiesなどの半導体メーカーを傘下に持つ中国の持株会社である同社は、企業再編を進めることを明らかにした。(2021/7/14)

Micronが発表:
176層3D NAND搭載SSDや1αnm LPDDR4Xの量産を開始
Micron Technology(以下、Micron)は2021年6月2日(台湾時間)、オンラインで開催中の「COMPUTEX TAIPEI 2021」(2021年5月31日〜6月30日)で、176層の3D(3次元) NAND型フラッシュメモリを採用したPCIe Gen4対応SSDの量産出荷を発表した。(2021/6/2)

Micronがメモリ/ストレージの最新動向をアピール 176層NANDに1αnmのLPDDR4X/DDR5など
オンラインで開催されている「COMPTEX TAIPEI 2021」で、Micron Technologyが基調講演を行い、最新のフラッシュメモリ製品や次世代製品の取り組みを紹介した。(2021/6/2)

福田昭のストレージ通信(192) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(19):
10年後の3D NANDフラッシュはワンチップに4Tビットを記憶へ
今回は3D NANDフラッシュの高層化(ワード線の積層数の増加)と大容量化に関する2033年までの将来予測を報告する。(2021/4/16)

福田昭のストレージ通信(191) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(18):
1Gビット当たりのコストが1.0米セントに近づく最新3D NANDフラッシュ
今回は、3D NANDフラッシュ各社の製造コスト(記憶容量当たり)を比較する。コストは、ワード線の積層数と記憶容量によって大きく変動する。(2021/4/13)

福田昭のストレージ通信(190) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(17):
3D NANDフラッシュの製造歩留まりを高める2段階積層
今回は、3D NANDフラッシュの製造工程の中で最も困難とされる、「メモリスルーホール」の形成プロセスに関する講演部分をご報告する。(2021/4/9)

福田昭のストレージ通信(189) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(16):
急速にキャッチアップを進めたSK hynixの3D NAND技術
今回は、NANDフラッシュメモリ大手の一角を占めるSK hynixの3D NANDフラッシュ開発の軌跡をたどる。(2021/4/5)

福田昭のストレージ通信(188) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(15):
中国YMTCの3D NANDフラッシュメモリを搭載したストレージ製品
今回は、中国のNANDフラッシュベンチャーであるYMTCが開発した3D NANDフラッシュメモリ技術「Xtacking(エクスタッキング)」と、同社の3D NANDフラッシュメモリを搭載したストレージ製品を報告する。(2021/3/31)

福田昭のストレージ通信(187) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(14):
周辺回路とセルアレイを積層して3D NANDの密度をさらに高める
今回は、周辺回路とメモリセルアレイを積層することによって3D NANDフラッシュの記憶密度をさらに高める技術を説明する。(2021/3/26)

プレミアムコンテンツ:
Computer Weekly日本語版:NANDの後継はReRAM
特集はデータ保護手段としてのスナップショットのメリット/デメリット解説と生体認証の欠点と解決策。他にフラッシュメモリ後継技術の候補であるReRAMの解説と動向、量子コンピュータによる暗号解読リスク対抗策などの記事をお届けする。(2021/3/25)

湯之上隆のナノフォーカス(36):
高騰するDRAM価格と横ばいのNAND価格、“SSDコントローラー不足”も明らかに
DRAMとNAND型フラッシュメモリの価格を分析した結果、レガシーなDRAMのスポット価格が異常に高騰していることが分かった。また、SSDコントローラーが不足していることも明らかになった。なぜ、このような事態になっているのかを推測する。(2021/3/23)

福田昭のストレージ通信(186) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(13):
3D NANDフラッシュの高層化と記憶密度の推移
今回は、3D NANDフラッシュ技術の高密度化をけん引してきた高層化と多値化の推移について解説する。(2021/3/23)

福田昭のストレージ通信(185) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(12):
3D NANDフラッシュの技術開発史
今回からは、3D NANDフラッシュのベンダー各社のメモリアーキテクチャと要素技術を比較検討する。(2021/3/19)

福田昭のストレージ通信(184) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(11):
スマートフォンが搭載してきたNANDフラッシュの変遷
今回は、スマートフォンが搭載してきたNANDフラッシュメモリの変遷をたどる。(2021/3/16)

福田昭のストレージ通信(183) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(10):
3D NANDフラッシュメモリの開発ロードマップ
今回から、TechInsightsのJeodong Choe氏による講演の内容を紹介する。まずは、3D NANDフラッシュメモリ各社の開発ロードマップを解説している。(2021/3/12)

福田昭のストレージ通信(182) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(9):
3D NANDフラッシュのGバイト単価は2025年に2米セント未満へ
今回は3D NANDフラッシュの製造コスト(記憶容量当たり)が低下する様子を2025年までHDDと比較しながら予測するとともに、事業環境の動向をまとめて示す。(2021/3/8)

福田昭のストレージ通信(181) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(8):
3D NANDフラッシュの製造コストを2022年まで予測
今回は3D NANDフラッシュのシリコンダイ製造コストが2020年〜2022年にどのように変化するかを解説する。(2021/3/1)

福田昭のストレージ通信(180) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(7):
3D NANDフラッシュのコスト削減モデル
今回は3D NANDフラッシュのウエハー当たり製造コスト(ウエハーコスト)が世代交代でどのように変わるかを解説する。(2021/2/24)

福田昭のストレージ通信(179) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(6):
次世代NANDフラッシュは176層とQLCでコストを大幅に削減
今回は、次世代の3D NANDフラッシュについて解説する。次世代3D NANDフラッシュでは、176層の高層化と、QLC(quadruple level cell)方式の多値化が主流になる。(2021/2/18)

トランセンド、“SLCモード”を備えた高耐久仕様の産業用2.5インチSATA SSD
トランセンドジャパンは、SLC NANDと同等の耐久性を実現するというSLCモードを搭載した産業用2.5インチSATA SSD「SSD530K」シリーズを発表した。(2021/2/17)

福田昭のストレージ通信(178) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(5):
中国の3D NANDフラッシュメーカー「YMTC」の現状
今回は、中国の3D NANDフラッシュベンチャーであるYMTC(Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.)の現状に関する講演部分を紹介する。(2021/2/15)

eMMCの不具合でリコール:
Teslaの考え方は自動車メーカーというよりソフトウェア企業
eMMC対応のNAND型フラッシュメモリのウェアアウトによるTesla(テスラ)のリコールは、同社が、自動車メーカーというよりもソフトウェア企業のような考え方を持っていることの表れかもしれない。(2021/2/12)

より高いパワーレベルが利用可能に:
Lam、3Dメモリ向け絶縁膜エッチング技術を開発
Lam Research(ラムリサーチ)は、エッチングプラットフォーム「Sense.i(センスアイ)」向けに開発した絶縁膜エッチング技術「Vantex」を発表した。次世代の3D NAND型フラッシュメモリやDRAM製造におけるエッチング用途に向ける。【修正あり】(2021/2/12)

福田昭のストレージ通信(177) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(4):
高層化の継続で、製造コストを爆下げする3D NANDフラッシュ
今回からは、半導体メモリのアナリストであるMark Webb氏の「Flash Memory Technologies and Costs Through 2025(フラッシュメモリの技術とコストを2025年まで展望する)」と題する講演の概要をご紹介する。(2021/2/9)

デイリーユースでの性能を高めた高耐久SATA SSD「870 EVO」を試す
SamsungのSSDに新顔「870 EVO」が加わった。3D TLC NANDフラッシュメモリ搭載の2.5インチSSDで、「860 EVO」の後継に当たる。何が強化されたのか、細かく見ていこう。(2021/1/20)

サムスン、第6世代V-NANDを採用した2.5インチSATA SSD「870 EVO」
ITGマーケティングは、サムスン製2.5インチSATA SSD「870 EVO」の取り扱いを発表した。(2021/1/20)

スマートモジュラーテクノロジーズ BGAE440:
産業用組み込みアプリケーション向けeMMC
スマートモジュラーテクノロジーズは、産業用組み込みアプリケーション向けのeMMCファミリー「BGAE440」を発表した。3D NANDフラッシュメモリを搭載し、JEDECの「eMMC v5.1」規格に準拠。153および100ボールのBGAパッケージに対応する。(2021/1/15)

Intelが144層QLC採用の新型SSD「670p」「Optane Memory H20」を投入 2021年第1四半期から順次
Intelが144層QLC 3D NANDメモリを搭載するクライアントデバイス向けSSDを発表した。搭載製品は2021年第1四半期から順次発売される予定だ。(2020/12/16)

2022年春に土地整備完了予定:
キオクシア、製造棟新設に向け北上工場の敷地拡張へ
キオクシアは2020年12月9日、3次元NAND型フラッシュメモリの生産拡大のため、北上工場(岩手県北上市)の隣接地を取得する方針を決定したと発表した。(2020/12/9)

米中対立が続く中:
NANDで競合猛追を狙う中国YMTCの野心
中国の新興企業であるYangtze Memory Technologies Corp(YMTC)は、今後数年間で競合先にライセンス供与する可能性が高いNAND型フラッシュメモリ技術で、Samsung Electronics(以下、Samsung)やMicron Technology(以下、Micron)をリードする構えだ。YMTCの元代理チェアマンであるCharles Kau氏が明らかにした。(2020/11/30)

ダイの厚さは64層3D NANDと同等:
3つの技術で高密度化、Micronの176層3D NAND
Micron Technology(以下、Micron)は2020年11月18日、日本のメディア向けに、同年11月9日(米国時間)に発表した176層の3D NAND型フラッシュメモリ(以下、176層3D NAND)の説明会を行った。(2020/11/20)

組み込み開発ニュース:
マイクロンの176層NANDは3つの技術で実現、一気に「業界のリーダー」へ
マイクロン(Micron Technology)がオンラインで会見を開き、2020年11月9日に量産出荷を開始した「世界初」(同社)の176層3D NANDフラッシュメモリ(176層NAND)の技術について説明した。(2020/11/19)

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版:
NANDで競合猛追を狙う中国YMTCの野心 ―― 電子版2020年11月号
EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版2020年11月号。今号のEE Exclusive(電子版限定先行公開記事)では、中国の新興メモリメーカー・Yangtze Memory Technologies Corpの現状をレポートする「NANDで競合猛追を狙う中国YMTCの野心」をお送りする。(2020/11/16)

トップクラスのコスト効率を維持:
Micron、176層3D NANDフラッシュの出荷を開始
Micron Technologyは、世界で初めてという「176層3D NANDフラッシュメモリ」の出荷を始める。モバイル端末や車載システム、データセンター向けSSDなどの用途に提案していく。(2020/11/13)

マイクロン uMCP5:
LPDDR5搭載のマルチチップパッケージ
マイクロンテクノロジーは、LPDDR5 DRAMを搭載した、UFS規格対応のマルチチップパッケージ「uMCP5」を発売する。LPDDR5 DRAMに加え、NANDフラッシュ、UFS 3.1コントローラーを搭載し、5G対応スマートフォンなどで利用できる。(2020/10/30)

モノづくり総合版 メールマガジン 編集後記:
SK hynixがNANDでも世界2位に!Intelの事業売却で業界は新たなステージへ?
Samsung超えの大連合に?(2020/10/22)

Intel、NANDメモリ事業をSK hynixに90億ドルで売却
Intelが韓国SK hynixにNANDメモリおよびストレージ事業を90億ドル(約9500億円)で売却する。Intelは売却収益をAI、5Gネットワーキング、エッジ製品などの主力事業に投資していくとしている。(2020/10/20)

「3D XPoint」事業は維持:
Intel、SK hynixにNANDメモリ事業を90億ドルで売却へ
 IntelとSK hynixは2020年10月20日、IntelのNAND型フラッシュメモリ事業をSK hynixに90億米ドルで売却することに合意したと発表した。(2020/10/20)

大きなけん引役:
5Gが開くメモリの市場機会
DRAMおよびNAND型フラッシュメモリ企業の幹部は、メモリ市場の未来が次世代の携帯電話にいかにけん引されるかについてよく語っている。現在、大きなけん引役となっているのは5G(第5世代移動通信)だ。(2020/10/8)

サムスン、QLC NANDを採用した2.5インチSATA SSD「870 QVO」 最大8TBモデルまで用意
ITGマーケティングは、日本サムスン製のQLC NAND採用2.5インチSATA SSD「870 QVO」の取り扱いを発表した。(2020/7/29)

QLC SSDは第2世代でどう進化したか Samsung「870 QVO」を試す
次世代のQLC 3D NANDフラッシュメモリが登場した。8TBとさらなる大容量化を実現したSamsung「870 QVO」で、パフォーマンスをチェックしよう。(2020/7/2)

フラッシュメモリの今【後編】
NAND型よりも「NOR型フラッシュメモリ」を選ぶべき用途とは?
NOR型フラッシュメモリは自動車や医療をはじめ幅広い分野で活躍している。NAND型フラッシュメモリとの違いを踏まえつつ、NOR型フラッシュメモリの用途を探る。(2020/7/2)


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