Micron Technologyは、第9世代(G9)となるTLC NANDフラッシュメモリを搭載したSSD(ソリッドステートドライブ)「Micron 2650 NVMe SSD」の量産出荷を始めた。競合製品に比べシーケンシャルリードで最大70%、シーケンシャルライトで最大103%も上回るなど、クラス最高レベルの性能を実現したという。
Micron Technologyは2024年7月、第9世代(G9)となるTLC NANDフラッシュメモリを搭載したSSD(ソリッドステートドライブ)「Micron 2650 NVMe SSD」の量産出荷を始めた。競合製品に比べシーケンシャルリードで最大70%、シーケンシャルライトで最大103%も上回るなど、クラス最高レベルの性能を実現したという。
最新のG9 NANDフラッシュメモリは、SSDに搭載されている従来品と比べ、データ転送を50%も高速にできるという。競合製品と比べて、ダイ当たりの書き込み帯域幅を最大99%、読み出し帯域幅を最大88%もそれぞれ向上させた。パッケージの外形寸法は11.5×13.5mmで、前世代のNANDフラッシュメモリと同じである。競合製品に比べ実装面積は28%も削減できるという。
G9 NANDフラッシュメモリを搭載したMicron 2650 NVMe SSDは、最大で毎秒7000Mバイトというシーケンシャルリード性能を提供する。競合する製品と比べ、シーケンシャルリードやシーケンシャルライトの性能だけでなく、ランダムリードで最大156%、ランダムライトで最大85%も向上させた。PCMark 10ベンチマークのスコアは、競合製品に比べ最大38%も高いという。
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