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IRのオーディオアンプ開発責任者「D級アンプはAB級を超えた」：オーディオ処理技術 D級アンプ（2/2 ページ）

» 2013年07月25日 17時50分公開

[竹本達哉，EE Times Japan]

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新世代パワーMOS FETの制御と保護
パワーMOS FETの進化に伴い、それを制御する側の設計に新たな課題が生じてきた。より高性能な機器の実現が可能になった半面、従来はケアする必要がなかった事柄にも留意しなければならなくなったのである。本稿では、筆者らがオーディオ用D級アンプ向けのPWMコントローラIC製品で実際に用いた技術の解説を通して、新世代パワーMOS FETの特質をフルに引き出す方法を明らかにする。
【TF2011】次世代パワーデバイスで音質を向上、IRジャパンがGaN-FETをD級オーディオ向けに提案
IRジャパンは、耐圧150VのGaN FETを用いたD級オーディオシステムをデモ展示した。「高音質、低歪（ひずみ）率、768kHzという高い変調周波数、電力損失の低減、オーディオシステムの基板面積の削減などのメリットが得られる」という。
SiCデバイスを採用したカーオーディオパワーアンプ、「音質の次元が違う」
インバータなどの電力効率を高める次世代パワーデバイスの用途で期待されているSiCデバイス。このSiCデバイスを搭載することにより音質を高めたカーオーディオ用パワーアンプが「東京モーターショー」に出展されている。