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次世代パワー半導体ではシミュレータが不可欠に：電子ブックレット

EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、次世代パワー半導体を用いたパワーエレクトロニクスの設計において重要なシミュレータについて解説します。

» 2015年12月13日 12時00分公開

[EE Times Japan]

次世代パワー半導体ではシミュレータが不可欠に

　アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、次世代パワー半導体を用いたパワーエレクトロニクスの設計において重要なシミュレータについて解説します。

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次世代パワー半導体ではシミュレータが不可欠に

SiC/GaNを用いた次世代パワー半導体を使うパワーエレクトロニクスの設計において、シミュレータを使うという新しい動きがある。これまでは“ノウハウ”で乗り切れていたが、次世代パワー半導体ではノイズなど無視できない問題が顕著になってきたからだ。

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300mmウエハー対応のバンプ形成技術「IMS」
JSRと日本アイ・ビー・エム、千住金属工業の3社は2015年12月9日、半導体の高密度実装を可能にするはんだバンプの形成技術「IMS」を発表した。同技術は、2015年12月16～18日に東京ビッグサイトで開催される「SEMICON JAPAN 2015」で展示される予定である。
IoT市場を支える4～8インチ対応のFEB測長装置
日立ハイテクノロジーズは2015年11月、4～8インチウエハーサイズに対応した高分解能FEB（Field Emission Beam）測長装置「CS4800」を開発したと発表した。CS4800は、2015年12月16～18日に東京ビッグサイトで開催される「SEMICON JAPAN 2015」で展示される予定だ。
SiC/GaNデバイスの熱ストレス耐性を評価
OKIエンジニアリング（OEG）は、「300℃対応熱衝撃試験」サービスを開始した。次世代パワー半導体に対する熱ストレス耐性の評価が可能となる。
任意の電池に成り代わるバッテリーシミュレータ
ケースレーインスツルメンツは2015年9月14日、電池駆動のウェアラブル/モバイル機器開発向けに、任意のバッテリーの挙動を再現するバッテリーシミュレータ「2281S-20-6」を発売した。