EPCが中国Innoscienceを提訴、GaNパワー半導体主要プレイヤー同士の特許紛争の行方は：電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記

GaN（窒化ガリウム）パワー半導体主要メーカーである、米国のEPCが2023年5月、中国Innoscienceを特許侵害で提訴しました。

[永山準，EE Times Japan]

　この記事は、2023年7月10日発行の「電子機器設計／組み込み開発 メールマガジン」に掲載されたEE Times Japan／EDN Japanの編集担当者による編集後記の転載です。

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GaNパワー半導体主要プレイヤー同士の特許紛争の行方

　省エネ化／低炭素社会のキーデバイスとして注目され、市場が急速に拡大を続けるGaN（窒化ガリウム）パワー半導体。その主要メーカーである米国のEPCが2023年5月、同じく同市場で高いシェアを有する中国Innoscienceを特許侵害で提訴しました。InnoscienceはEPCの主張を真っ向から否定し、「Innoscienceの競争優位性を損なうことを目的とした違法な競争戦術だ」と批判。EPCの申し立てを受けた米国際貿易委員会（ITC）は2023年6月28日（米国時間）、Innoscienceに対する調査の開始を決定し、この問題の行方に注目が集まっています。