DACチップの音の違いを楽しむ世界なので、音で増幅素子を選べるようになったらもっと楽しくなりそうです。
この記事は、2026年6月29日発行の「電子機器設計/組み込み開発 メールマガジン」に掲載されたEE Times Japan/EDN Japanの編集担当者による編集後記の転載です。
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2026年6月17日、インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(以下、インフィニオン)による窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)など次世代パワー半導体を用いたオーディオ用アンプのメディア向け説明会が開催されました。以前からGaNアンプのことが気になっていたので、それはもう、意気揚々と行って参りました。
パワーデバイスにおいては、GaNやSiCの高速スイッチングや低オン抵抗といった特徴が高効率に貢献しているわけですが、PWM方式のクラスDアンプでも、これらの特徴が良い効果をもたらすそうです。詳しくはEDN Japanに掲載した記事をご覧ください。
説明会ではGaN/SiCアンプの紹介に加え、GaNアンプと従来のシリコン(Si)アンプの聴き比べも行われました。インフィニオンによると、音質面では歪の低減や広帯域化による正確なオーディオ波形の表現などの効果があるそうですが、果たしてその実力たるや。
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