「800V時代」のAIサーバ電源狙うローム EV減速を補う成長市場に：全部ロームで完結（1/3 ページ）

[永山準，EE Times Japan]

　AIサーバの急速な需要拡大を、パワー半導体の新たな成長機会として取り込む――。ロームが、AIサーバ向け電源市場への取り組みを加速している。現在主流の50V系に加え、将来の800V級電源アーキテクチャまでを見据え、炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）、シリコン（Si）のパワーデバイスから制御ICまでを組み合わせて提案する。

　「PCIM Europe 2026」（2026年6月9〜11日、ドイツ・ニュルンベルク）では、AIサーバ向け電源ソリューションを大きく打ち出した。現地で担当者に詳細を聞いた。

「全部ロームで完結する」AIサーバ電源に攻勢

　生成AIの普及によってGPUの消費電力が増大する中、AIサーバでは電源システムの大容量化、高効率化、高電力密度化が急速に進んでいる。従来の分散型サーバ電源は1電源ユニット（PSU）当たり3kW、1シェルフ当たり18kWだったが、AIサーバ向けのラック電源仕様「ORv3 HPR（High Power Rack）」では5.5kW/PSU、33kW/シェルフに増大。さらに次世代の「ORv3 HPR V2」では12kW/PSU、72kW/シェルフまで高まる。その先には、800V DCや±400V DCといった高電圧直流（HVDC）を活用する次世代電源アーキテクチャも見込まれている。

AIサーバ向け電源の進化について［クリックで拡大］

　こうした大電力化に対し、ロームが強みとして打ち出すのが、SiC、GaN、Siの各種パワーデバイスに加え、ドライバーやコントローラーなどのLSIまでそろえる包括的な製品ポートフォリオだ。担当者は「ロームはGaNとSiC、シリコンを全て持っているだけでなく、制御用のLSIなども有していて、全部自社で完結する」と強調した。

　ブースではこうした強みを生かす実例として、650V GaN SiP（System in Package）と600V Siスーパージャンクション（SJ）MOSFETを組み合わせた5kWトーテムポールPFCの評価キットを展示した。高周波スイッチングを担うファーストレグには650V GaN SiP、低周波側のスローレグには600V Si SJ MOSFETを採用。195〜277V AC入力、400V DC出力に対応し、最大出力は5kW。電力密度は108.2W/in³で、GaNを使う高周波側のスイッチング周波数は最大800kHz。変換効率のターゲットは99.0％としたものだ。GaNの高速スイッチング性能を生かしつつ、低周波側にはSi SJ MOSFETを使用、各デバイスの特性に応じた使い分けを示している。

650V GaN SiPと600V Si SJ MOSFETを組み合わせた5kWトーテムポールPFC評価キット。最大出力5kW、変換効率99.0％を目標とする［クリックで拡大］

　ロームの実際の展開例が、村田製作所グループのMurata Power Solutionsが量産する5.5kW出力のAIサーバ用PSUだ。ロームの650V GaN HEMTがPFC（力率改善）回路やLLCコンバーターに採用されているほか、Si製品など他のローム製品も使われているという。

Murata Power Solutionsが量産する5.5kW出力のAIサーバ用PSU。ロームの650V GaN HEMTなどを採用する［クリックで拡大］