「世界最大級」フォトレジスト製造棟が完成 東京応化工業:郡山工場で2026年11月から稼働
東京応化工業は、郡山工場(福島県郡山市)に建設していた半導体用フォトレジストの新製造棟が完成したと発表した。2026年11月から稼働予定だ。
東京応化工業は2026年10月、郡山工場(福島県郡山市)に建設していた半導体用フォトレジストの新製造棟が完成したと発表した。2026年11月から稼働を予定する。
郡山工場では、極端紫外線(EUV)露光装置用やArF用のフォトレジストを始め、各種半導体用フォトレジストを製造している。半導体市場は今後も成長が見込まれることから、フォトレジストの高品質化や供給能力の拡大、生産効率の改善などを目的に新製造棟の建設を決めた。
新製造棟は2024年7月に着工し2026年10月に竣工した。建築面積は4800m2、投資額は約230億円である。新製造棟は「フォトレジストとしては世界最大級」(同社)だという。
新製造棟の外観[クリックで拡大] 出所:東京応化工業
東京応化がEUV向けフォトレジスト開発強化、英IMに出資
東京応化工業(TOK)は2026年2月、EUVリソグラフィ向けフォトレジスト材料の開発を加速するため、イギリスIrresistible Materialsに対し戦略的投資を行うとともに、共同開発を行うことで提携した。
UVナノインプリントによるシリコンフォトニクスプロセスを開発
東京科学大学と東京応化工業は、UVナノインプリントリソグラフィー(UV-NIL)を用いたシリコンフォトニクス半導体プロセスを開発した。開発した光硬化性樹脂と同プロセスを用いて試作したシリコン導波路は、電子線描画を用いて作製した光導波路と同等レベルの性能が得られることを確認した。
91本の電子線で数十倍速く微小欠陥を検査 日立ハイテク
日立ハイテクは、独ZEISS Semiconductor Manufacturing Technology(以下、ZEISS SMT)と共同で取り組んでいる半導体製造工程向けマルチビーム電子線検査装置の開発体制を強化する。従来の光学式では検出が難しい微小な欠陥を、シングルビーム電子線検査装置の数十倍の速度で検査できる装置の開発を加速する。
次は「ハイパーNA」 ASMLが示す露光装置の基礎と未来
最先端半導体の微細化を支える極端紫外線(EUV)露光装置。ASMLは現在量産に使われている開口数(NA)0.33のEUV露光装置から、0.55の高NA、さらに0.75の「ハイパーNA」へと技術開発を進めている。一方、AI時代の半導体では微細化だけでなく、生産性や重ね合わせ精度などの進化も欠かせない。ASMLが示した最新の露光技術ロードマップを紹介する。
Samsung、高NA EUVをDRAM量産に「業界初」導入へ 28年までに
Samsung ElectronicsとASMLは2026年9月8日、高開口数(NA)極端紫外線(EUV)露光および先進半導体製造技術に関する戦略的協業を拡大すると発表。2028年までに「業界初」(両社)となるDRAM量産への高NA EUV露光装置導入を実現する計画だ。
高効率EUV光発生法で露光装置の消費電力を低減
理化学研究所(理研)と宇都宮大学らによる国際共同研究グループは、波長2μmの固体レーザーとマルチレーザー照射法を組み合わせることで極端紫外線(EUV)光変換効率を40%も高めることに成功し、その有用性を実証した。EUV露光装置の省電力化につながるとみている。
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