日立ハイテクは、独ZEISS Semiconductor Manufacturing Technology(以下、ZEISS SMT)と共同で取り組んでいる半導体製造工程向けマルチビーム電子線検査装置の開発体制を強化する。従来の光学式では検出が難しい微小な欠陥を、シングルビーム電子線検査装置の数十倍の速度で検査できる装置の開発を加速する。
日立ハイテクは2026年9月、独ZEISS Semiconductor Manufacturing Technology(以下、ZEISS SMT)と共同で取り組んでいる半導体製造工程向けマルチビーム電子線検査装置の開発体制を強化すると発表した。微小な欠陥を「シングルビーム電子線検査装置の数十倍」(日立ハイテク)の速度で検査できる装置の開発を加速する。
先端半導体デバイスメーカーでは、2nmノードデバイスの量産開始や開口数(NA)の大きいHigh-NA 極端紫外線(EUV)露光技術の導入が進んでいる。こうした中、回路パターン形成後のウエハー検査において、従来の光学式検査装置では微小な欠陥を安定して検出するのが難しかったという。一方、シングルビーム電子線検査装置はホットスポットなどの検査に用いられているが、量産ラインで用いるには検査速度に課題があった。
こうした課題に対して、検査感度と検査速度を両立させるソリューションとして期待されているのがマルチビーム電子線検査装置だ。膜中の欠陥検査や電圧コントラスト検査にも活用できるという。
そこで日立ハイテクは、測長SEMで培ってきた高精度ステージや、AIによる画像処理などの技術と、ZEISS SMTが開発した91本のビームからなるマルチビームカラム技術を組み合わせ、先端半導体の量産現場向け検査装置の開発に取り組んできた。
既に試作機を用いたオンサイト評価を始めている。従来の光学式検査装置では検出が難しい微細な欠陥を、シングルビーム電子線検査装置の数十倍の速度で検査できることを確認している。
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半導体製造の露光工程における検査時間を大幅短縮Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
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