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「不揮発性メモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「不揮発性メモリ」に関する情報が集まったページです。

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PR:PCIe 4.0より速い!? リアルな検証で分かったIntel SSD 670pの真の実力
クライアントPCのストレージがSSDに移行して久しい。今では最新のPCIe 4.0対応のSSDが登場し、ベンチマークテストでは派手なスコアが飛び交って話題を集めているが、実際に一ユーザーとして使う場合、大切なのは実利用環境でのパフォーマンスだ。インテル最新のクライアントPC向けSSD「インテル SSD 670p」を使って、そのあたりの実情を確かめよう。(2021/9/13)

NORやSRAMを置き換える存在に:
次世代メモリ市場、2031年までに440億米ドル規模へ
米国の半導体市場調査会社であるObjective AnalysisとCoughlin Associatesは、共同執筆した年次レポートの中で「次世代メモリが、さらなる急成長を遂げようとしている」という見解を示した。次世代メモリ市場は2031年までに、440億米ドル規模に達する見込みだという。(2021/9/13)

新たな市場を切り開く:
CrossBar、ReRAMを用いた高信頼IoTセキュリティ実現へ
抵抗変化メモリ(ReRAM)を手掛けるCrossBarは、同社の技術をReRAMベースのPUF(物理的複製防止機能)キーとして、ハードウェアセキュリティアプリケーションで使用するために適用するという。(2021/8/30)

きちんと理解すれば難しくない!:
PR:NANDフラッシュの基礎知識
不揮発性メモリの代表格であるNAND型フラッシュメモリ。安価で大容量だが、高い可能性で発生する「エラー」を適切に対処する必要がある。本稿では、NANDフラッシュを機器に組み込む上で知っておきたい特性とともに、適切なNANDフラッシュの管理、制御を解説する。(2021/8/27)

極薄Ta層で磁気記憶層を平たん化:
産総研、MRAMの磁気安定性を飛躍的に改善
産業技術総合研究所(産総研)は、原子層レベルで制御されたタンタル(Ta)を下地に用いることで、磁気抵抗メモリ(MRAM)の磁気安定性を飛躍的に改善する技術を開発した。(2021/7/26)

組み込み開発ニュース:
車載規格AEC-Q100グレード1に準拠、4MビットFRAMの量産開始
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、車載規格AEC-Q100グレード1に準拠した4MビットFRAM「MB85RS4MTY」の量産を開始した。+125℃動作に対応した不揮発メモリで、ADASや高性能産業用ロボットに適する。(2021/7/20)

AEC-Q100グレード1に準拠:
4MビットFRAM追加、125℃対応で1.8〜3.6V動作
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、動作温度範囲が最大125℃で車載グレードに準拠した4MビットFRAM「MB85RS4MTY」の量産を始めた。(2021/7/8)

車載用アナログIC向け:
高耐圧LDMOSの静電破壊耐量と電力効率を両立
東芝デバイス&ストレージとジャパンセミコンダクターは2021年6月、車載アナログIC向け高耐圧LDMOSの「静電破壊耐量」と「電力効率」を両立させる技術を開発した。(2021/6/16)

トンネル障壁層に新材料を採用:
MRAM用単結晶MTJ素子を300mmウエハー上に作製
産業技術総合研究所(産総研)は、MRAM用の単結晶MTJ(磁気トンネル接合)素子をシリコンLSIに集積化するための3次元積層プロセス技術を開発した。(2021/6/3)

200mmの供給は限界間近か:
半導体不足、解消の鍵は「300mmウエハーへの移行」
8インチ(200mm)ウエハーのサプライチェーンは、控えめに言っても、かなり厳しい状況にある。これは、決して新しい問題ではない。台湾の市場調査会社TrendForceが2020年11月に発表したプレスリリースでは、「8インチウエハーの生産能力に関しては、2019年後半から深刻な不足状態が続いている」と述べている。(2021/5/25)

福田昭のストレージ通信(200) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(25):
埋め込みDRAMが大容量キャッシュの製造コスト低減に貢献
今回はDRAMをロジックLSIに埋め込む技術「eDRAM」の製品化事例を解説する。(2021/5/21)

自由層の磁化方向を斜めに:
Wi-Fiの2.4GHz帯電波で発電、東北大学らが開発
東北大学とシンガポール国立大学の共同研究チームは、Wi-Fiに利用される電波を活用して、効率よく発電を行う技術を開発した。実証実験では、2.4GHzの電磁波を直流電圧信号に変換しコンデンサーを5秒間充電したところ、LEDを1分間発光させることに成功した。(2021/5/21)

福田昭のストレージ通信(199) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(24):
埋め込みフラッシュメモリをマイコンとFPGAに応用
今回と次回は、MRAM以外の埋め込みメモリを紹介する。今回は、フラッシュメモリをロジックLSIに埋め込んだ「eFLASH」の製品化事例を解説しよう。(2021/5/18)

福田昭のストレージ通信(196) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(23):
Samsungの埋め込みMRAMをソニーのGPSレシーバーLSIが搭載
今回は、Samsung Electronicsが開発した埋め込みMRAM技術の製品化事例を報告する。具体的には、Huaweiのスマートウォッチ「GT2」に搭載されているソニーセミコンダクタソリューションズのGPSレシーバーIC「CXD5605」に、SamsungのMRAMマクロが内蔵されていることが明らかになった。(2021/4/30)

福田昭のストレージ通信(195) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(22):
Everspinが3世代にわたって開発してきたMRAM技術の変遷
今回は、最も多くの出荷実績を有するMRAMベンチャーであるEverspin Technologiesについて解説する。(2021/4/27)

xEV用バッテリー監視などに最適:
TDK、マルチホールアレイ内蔵の電流センサー発表
TDKは、子会社のTDKミクロナス製品として、マルチホールアレイを内蔵した高精度の電流センサー「CUR4000」を発表した。電動車(xEV)用バッテリー監視などの用途に向ける。(2021/4/26)

福田昭のストレージ通信(194) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(21):
米国のルネサスが販売している8MビットのSTT-MRAM
今回は、MRAMおよびSTTT-MRAMの開発ベンチャーであるAvalanche Technologyの製品事例を紹介する。(2021/4/23)

福田昭のストレージ通信(193) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(20):
次世代半導体メモリの開発ロードマップ
今回から、「次世代メモリ(Emerging Memory)」の講演部分を紹介する。(2021/4/20)

福田昭のストレージ通信(192) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(19):
10年後の3D NANDフラッシュはワンチップに4Tビットを記憶へ
今回は3D NANDフラッシュの高層化(ワード線の積層数の増加)と大容量化に関する2033年までの将来予測を報告する。(2021/4/16)

福田昭のストレージ通信(191) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(18):
1Gビット当たりのコストが1.0米セントに近づく最新3D NANDフラッシュ
今回は、3D NANDフラッシュ各社の製造コスト(記憶容量当たり)を比較する。コストは、ワード線の積層数と記憶容量によって大きく変動する。(2021/4/13)

福田昭のストレージ通信(190) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(17):
3D NANDフラッシュの製造歩留まりを高める2段階積層
今回は、3D NANDフラッシュの製造工程の中で最も困難とされる、「メモリスルーホール」の形成プロセスに関する講演部分をご報告する。(2021/4/9)

福田昭のストレージ通信(189) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(16):
急速にキャッチアップを進めたSK hynixの3D NAND技術
今回は、NANDフラッシュメモリ大手の一角を占めるSK hynixの3D NANDフラッシュ開発の軌跡をたどる。(2021/4/5)

福田昭のストレージ通信(188) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(15):
中国YMTCの3D NANDフラッシュメモリを搭載したストレージ製品
今回は、中国のNANDフラッシュベンチャーであるYMTCが開発した3D NANDフラッシュメモリ技術「Xtacking(エクスタッキング)」と、同社の3D NANDフラッシュメモリを搭載したストレージ製品を報告する。(2021/3/31)

福田昭のストレージ通信(187) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(14):
周辺回路とセルアレイを積層して3D NANDの密度をさらに高める
今回は、周辺回路とメモリセルアレイを積層することによって3D NANDフラッシュの記憶密度をさらに高める技術を説明する。(2021/3/26)

福田昭のストレージ通信(186) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(13):
3D NANDフラッシュの高層化と記憶密度の推移
今回は、3D NANDフラッシュ技術の高密度化をけん引してきた高層化と多値化の推移について解説する。(2021/3/23)

福田昭のストレージ通信(185) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(12):
3D NANDフラッシュの技術開発史
今回からは、3D NANDフラッシュのベンダー各社のメモリアーキテクチャと要素技術を比較検討する。(2021/3/19)

福田昭のストレージ通信(184) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(11):
スマートフォンが搭載してきたNANDフラッシュの変遷
今回は、スマートフォンが搭載してきたNANDフラッシュメモリの変遷をたどる。(2021/3/16)

福田昭のストレージ通信(183) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(10):
3D NANDフラッシュメモリの開発ロードマップ
今回から、TechInsightsのJeodong Choe氏による講演の内容を紹介する。まずは、3D NANDフラッシュメモリ各社の開発ロードマップを解説している。(2021/3/12)

福田昭のストレージ通信(182) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(9):
3D NANDフラッシュのGバイト単価は2025年に2米セント未満へ
今回は3D NANDフラッシュの製造コスト(記憶容量当たり)が低下する様子を2025年までHDDと比較しながら予測するとともに、事業環境の動向をまとめて示す。(2021/3/8)

福田昭のストレージ通信(181) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(8):
3D NANDフラッシュの製造コストを2022年まで予測
今回は3D NANDフラッシュのシリコンダイ製造コストが2020年〜2022年にどのように変化するかを解説する。(2021/3/1)

福田昭のストレージ通信(180) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(7):
3D NANDフラッシュのコスト削減モデル
今回は3D NANDフラッシュのウエハー当たり製造コスト(ウエハーコスト)が世代交代でどのように変わるかを解説する。(2021/2/24)

福田昭のストレージ通信(179) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(6):
次世代NANDフラッシュは176層とQLCでコストを大幅に削減
今回は、次世代の3D NANDフラッシュについて解説する。次世代3D NANDフラッシュでは、176層の高層化と、QLC(quadruple level cell)方式の多値化が主流になる。(2021/2/18)

高根英幸「クルマのミライ」:
EVはクルマか否か アップルも参入の戦いで「敗れる者」と「残れる者」
100年に一度の大転換期と言われる自動車市場。電動化を進める自動車メーカーの一方で、最初からEVで攻勢をかける新興勢力が続々と誕生している。その一方で北米市場では、テスラは顧客満足度では主要なブランドでは最下位となるほど、ユーザーは細かなトラブルに見舞われている。(2021/2/15)

福田昭のストレージ通信(178) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(5):
中国の3D NANDフラッシュメーカー「YMTC」の現状
今回は、中国の3D NANDフラッシュベンチャーであるYMTC(Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.)の現状に関する講演部分を紹介する。(2021/2/15)

福田昭のストレージ通信(177) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(4):
高層化の継続で、製造コストを爆下げする3D NANDフラッシュ
今回からは、半導体メモリのアナリストであるMark Webb氏の「Flash Memory Technologies and Costs Through 2025(フラッシュメモリの技術とコストを2025年まで展望する)」と題する講演の概要をご紹介する。(2021/2/9)

AI時代のストレージを支える技術【後編】
Intel「Optane」は“ヘビーユーザー向け”止まり? 次世代ストレージの本命は
高速なデータ処理への需要を受け、拡大しつつあるのがIntelの「Optane」などを含む新興メモリ市場だ。メモリ分野は将来的にどう変わるのか。(2021/2/2)

「グリーンストレージ」の基礎【前編】
「SSD」「HDD」を“省エネ”で比較 「グリーンストレージ」に適するのは?
ストレージの電力効率を考える上では、消費電力に加えて容量や寿命など、さまざまな要素を加味する必要がある。主要なストレージである「SSD」と「HDD」を電力効率の観点で比較してみよう。(2021/2/1)

福田昭のストレージ通信(174) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(3):
赤字続きでもIntelが開発を止めない3D XPointメモリ
今回は3D XPointメモリ(Intelの製品ブランド名は「Optane」)の講演部分を説明する。(2021/1/29)

不揮発性メモリ材料として期待:
反強磁性体で磁気熱量効果が最大となる物質発見
東京大学の研究グループは、東北大学や理化学研究所、金沢大学などの研究グループと協力し、反強磁性体物質において、ゼロ磁場での巨大な異常ホール効果を見いだした。ネルンスト効果と呼ばれる磁気熱量効果が、反強磁性体の中で最大値になることも発見した。(2021/1/27)

福田昭のストレージ通信(173) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(2):
中国の半導体自給率向上を阻む米中貿易摩擦
「FMS 2020」から、Jim Handy氏の講演内容を紹介するシリーズの2回目。今回は、中国の半導体市場と米中貿易摩擦について報告する。(2021/1/26)

福田昭のストレージ通信(172) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(1):
コロナ禍でも好調を維持する半導体メモリ市場
今回から、2020年11月にバーチャルで開催された「フラッシュメモリサミット(FMS:Flash Memory Summit)」の講演を紹介する。まずは、半導体メモリのアナリストJim Handy氏による講演「Annual Flash Update - The Pandemic's Impact(フラッシュメモリの年次アップデート-パンデミックの影響)」の要旨を報告したい。(2021/1/22)

AI時代のストレージを支える技術【中編】
NVIDIA「GPUDirect Storage」にIntel「Optane」――CPUを補う高速化技術
大容量データを扱う用途が広がってきたことで、コンピューティングの主役だったCPUだけでは対処できなくなりつつある。どのような新たな技術が役立つのか。GPUやメモリの観点で注目すべき点は。(2021/1/20)

ルネサス P9418:
Tx機能を併せ持つ60Wワイヤレス給電レシーバー
ルネサス エレクトロニクスは、60Wワイヤレス給電レシーバー「P9418」を発売した。同社独自のワイヤレス給電技術を採用し、レシーバーとしての急速充電に加え、他のデバイスへの給電が可能だ。(2021/1/19)

アプリが激変
知らないと損する「Optane DC Persistent Memory」の動作モード
Optane DC Persistent MemoryはSSDではない。単なるメモリでもない。使い方次第でアプリやシステムのパフォーマンスを劇的に向上させることができる。ただし2つの動作モードを理解する必要がある。(2021/1/15)

150℃でも高い熱安定性を維持:
直径2.3nmの新構造形状磁気異方性MTJ素子を開発
東北大学の研究グループは、直径が原子10個程度(2.3nm)と極めて小さい磁気トンネル接合(MTJ)素子を開発した。150℃の高温環境でも高いデータ保持特性を維持し、10ナノ秒という高速低電圧動作が可能なことも確認した。(2020/12/10)

FAニュース:
32軸/1ミリ秒で多軸同期制御ができるPLC、1Gbps通信に対応しデータ活用を強化
富士電機は、32軸1ミリ秒で多軸同期制御ができるプログラマブルコントローラー「MICREX-SX SPH5000M」を発売した。演算処理能力の向上により、同時制御軸数が倍増し、複雑な加工や加工の高速化に対応する。(2020/12/7)

STマイクロ STWLC88:
Qi規格準拠の50Wワイヤレス充電IC
STマイクロエレクトロニクスは、Qi規格準拠のワイヤレス充電IC「STWLC88」を発表した。50W出力で、スマートフォンやタブレット、ノートPCなどパーソナル電子機器を短時間で充電できる。(2020/11/25)

IoT&5Gソリューション展:
ソニー製STT-MRAMをSSDに搭載、Nextorageがデモを披露
ソニーグループのメモリストレージベンダーであるNextorageは、「第6回 IoT&5Gソリューション展 秋」において、STT-MRAMを記憶媒体として用いたPCI-ExpressベースのSSDのデモンストレーションを披露した。STT-MRAMは、ソニーセミコンダクターソリューションズで開発中のものを使用している。(2020/10/30)

米新興企業:
Spin Memory、MRAM製造でArmやAppliedと協業へ
米国カリフォルニア州フリーモントに拠点を置く新興企業Spin Memoryは、ArmとApplied Materialsとの協業により、MRAM(磁気抵抗メモリ)を製造すると発表した。軍事、自動車、医療用機器などの幅広い分野への普及を実現できると期待されている。(2020/9/25)

膜厚10nm以下でも発現を確認:
窒化アルミニウムスカンジウム薄膜、強誘電性示す
東京工業大学らの研究グループは、膜厚が10nm以下の窒化アルミニウムスカンジウム薄膜を作製。これまでより高い強誘電性を有することが確認された。(2020/9/24)


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にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。

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