ST、次世代「STM32」マイコンに向けたプロセス技術を発表：ベースは18nm FD-SOI＋ePCM技術

STMicroelectronicsは、次世代マイコンに向けて開発したプロセス技術を発表した。18nm FD-SOI（完全空乏型シリコンオンインシュレーター）と組み込み相変化メモリ（ePCM）技術をベースとしており、次世代マイコンの大幅な性能向上と消費電力の削減を目指す。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

電力効率は50％以上も向上、不揮発性メモリの実装密度は2.5倍に

　STMicroelectronics（以下、ST）は2024年3月、次世代マイコンに向けて開発したプロセス技術を発表した。18nm FD-SOI（完全空乏型シリコンオンインシュレーター）と組み込み相変化メモリ（ePCM）技術をベースとしており、次世代マイコンの大幅な性能向上と消費電力の削減を目指す。この技術を採用した「STM32マイコン」は、2024年後半から特定顧客向けにサンプル品の出荷を始める。量産は2025年後半に開始される見込みだ。

18nm FD-SOIと組み込み相変化メモリ技術を組み合わせた、次世代マイコン向けプロセス［クリックで拡大］ 出所：STMicroelectronics

　新たなプロセス技術は、STとSamsung Foundryが共同で開発した。現行の40nm組み込み不揮発性メモリ（eNVM）技術と比較して、電力効率（性能対電力比）を50％以上も向上させた。不揮発性メモリ（NVM）の実装密度も2.5倍に増え、オンチップメモリの大容量化が可能となる。また、AIやグラフィックアクセラレーター、セキュリティ機能などの集積度は3倍に向上する。さらに、RFノイズは3dB改善されるという。

　この他、3V動作でD-Aコンバーターやパワーマネージメント、リセットシステム、クロックソースといったアナログ機能への電源供給が可能である。もちろん、高温動作や放射線耐性、データ保持機能など、車載や産業機器向けで要求される信頼性も実現した。

　この技術を採用した「STM32マイコン」の第1弾は、機械学習やデジタル信号処理を高速に実行できよう最先端のArm Cortex-Mコアを搭載する。また、高速かつ柔軟性の高い外部メモリインタフェースや高度なグラフィック機能、豊富なアナログ／デジタル・ペリフェラル、認定取得済みの高度なセキュリティ機能などを集積した製品となる。