米IXYS社は2010年8月24日、SiC(炭化ケイ素)ダイオードと、Siを用いたMOSFETを1パッケージにまとめた「MKE 11R600DCGFC」を開発した(図1)。効率とパワー密度を高めたことが特徴。スイッチング電源や太陽光発電用のパワーコンディショナー(インバーター)、無停電電源、力率改善回路(PFC)を主な用途とする。
SiCダイオードを用いたことにより、スイッチング時の損失を低減できる。SiCダイオードとSi MOSFETを1パッケージ化したことで、配線の引き回しなどによる寄生インダクタンスを抑えた。MOSFETは耐圧が高くオン抵抗が低いスーパージャンクション構造を採る。ドイツInfineon Technologies社が開発したCoolMOS技術を適用した。
耐圧はMOSFET、SiCとも600V。MOSFETのオン抵抗は12A時に150mΩ。SiCダイオードの出力電流は12A。同社がISOPLUS i4と呼ぶ5端子のパッケージに封止した。寸法は20mm×42mm×5mm。
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