ルネサスがGFと協業、米国での半導体製造を加速:柔軟で確実な供給体制の確保へ
ルネサス エレクトロニクスは、米国における半導体製造を加速させるため、GlobalFoundries(GF)と数十億米ドル規模の製造パートナーシップを結び、戦略的協業を拡大する。
ルネサス エレクトロニクスは2026年2月17日、米国における半導体製造を加速させるため、GlobalFoundries(GF)と数十億米ドル規模の製造パートナーシップを結び、戦略的協業を拡大すると発表した。まずは米国で製造を始め、その後はドイツなどGFが展開するグローバルな製造拠点も活用し、サプライチェーンの安全性と強靭(きょうじん)性を確保する。GFの一部プロセス技術をルネサスの国内製造拠点に移植することも検討していく。
GFとのパートナーシップ構築によりルネサスは、GFが保有するFDX(FD-SOI)技術やBCD技術、不揮発性メモリ機能を備えた高性能CMOS技術などを活用し、車載システムや産業機器に向けたSoC、パワーデバイス、マイコンなどをGFの工場で製造する計画である。これら製品のテープアウトは2026年半ばから始まる予定。
GFのCEOを務めるTim Breen氏は「本パートナーシップは両社の関係をさらに強化し、GFが重要な半導体技術における信頼できるパートナーであることを示すものである。私たちは最も重要な価値である安定供給と、次世代の車両を支える技術の提供に注力している」とコメントした。
ルネサスの社長兼CEOを務める柴田英利氏は「GFの幅広い技術が利用可能になることで、顧客が求める柔軟で確実な供給体制を確保できる。電動化やコネクティビティの進展に加えAIアプリケーションの拡大に伴い、求められるコンピューティング性能も急速に高度化している。こうしたニーズに応えていくため、CFとの連携強化は極めて重要」と述べた。
ルネサスとGFがパートナーシップを拡大[クリックで拡大]出所:ルネサス
ルネサスがGaN事業拡大、米国EPCとライセンス契約
ルネサス エレクトロニクスが窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス事業を強化する。同社は米国のGaN専業メーカーEPCと包括的なライセンス契約を締結。EPCの低耐圧GaN技術にアクセス可能となり、「AI向け電源アーキテクチャなど高ボリューム市場での機会を拡大する」としている。
ルネサスが6年ぶり最終赤字 Wolfspeed再建支援響く
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IDT買収から7年、ルネサスがタイミング事業をSiTimeに売却
ルネサス エレクトロニクス(以下、ルネサス)は2026年2月5日、同社のタイミングデバイス事業を米SiTimeに売却すると発表した。売却額は30億米ドル(約4680億円)。ルネサスは売却の理由について「中長期的な成長を見据え、事業の優先順位をこれまで以上に明確にした上で、戦略的な取り組みに最大限の資源を投じることを狙いとしたもの」だとしている。
「SDV開発の促進役」目指すルネサス 最新R-CarのデモをCESで初公開
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常時接続でも低消費電力 Wi-Fi 6/BLE対応マイコン、ルネサス
ルネサス エレクトロニクスが、Arm Cortex-Mコア搭載の32ビットマイコン製品群「RAファミリー」の新製品で、スマート家電やIoT用途向けの「RA6シリーズ」を発表した。Wi-Fi 6の2.4GHz/5GHzデュアルバンド対応品と、それに加えてBluetooth Low Energy(LE)にも対応した製品をそろえる。
DDR5 RDIMM向けRCD IC、ルネサスが第6世代品 サムスンが採用
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