GaNの量産／高耐圧化が次の段階へ 300mm工場、900V品も：5分で分かる！ 今週のエレクトロニクス業界（1/2 ページ）

[EE Times Japan]

　2026年10月24〜30日のエレクトロニクス業界の主な動きを、EE Times Japanの記事とともに振り返ります。

　今週は、窒化ガリウム（GaN）パワー半導体で量産拡大と高耐圧化に向けた動きがありました。AIデータセンターをはじめ、高効率な電力変換への需要が高まる中、GaNの適用範囲を広げる取り組みが進んでいます。

　Infineon Technologies（以下、Infineon）は、オーストリアのフィラッハ拠点に300mmウエハーを用いたGaNパワー半導体の量産施設を新設すると発表しました。同社によると、300mm GaNパワー半導体の量産施設は「世界で初めて」です。2034年までに約11億ユーロを投資し、2027年末までの生産開始を予定しています。300mm化によって、200mmウエハーと比べて1枚当たりに得られるチップ数を2.3倍に増やし、製造コスト低減につなげる狙いです。

　Infineonは米Enphase Energy向けに、900V耐圧のGaNモノリシック双方向スイッチ（BDS）を供給することも発表しました。「世界初」（同社）となる900V GaN BDSで、AIデータセンター向けソリッドステートトランスフォーマー（SST）への搭載を予定しています。双方向の電圧ブロッキングと電流導通機能を単一のデバイスに統合することで、電力変換段数や部品点数の削減につなげます。

　AIデータセンター需要は、国内半導体メーカーの業績や設備投資にも影響を与えています。ルネサス エレクトロニクスの2026年第3四半期（7〜9月）は、売上収益が前年同期比30.2％増の4352億円となりました。AIデータセンター向け需要を背景に増産投資も拡大していて、デジタルパワー製品の生産能力は2027年に2026年比で最大2.5倍になる見通しです。

　キヤノンは、AI関連需要の拡大を背景にメモリ向けKrF露光装置が好調に推移していると説明しました。広帯域メモリ（HBM）などに向けた成膜装置の受注も増加しています。ナノインプリントリソグラフィ（NIL）については、2027年からの量産適用に向けて顧客のウエハーを用いた検証を進めています。

Infineon、300mm GaN量産施設を新設へ

　Infineonは10月27日、オーストリアのフィラッハ拠点に300mmウエハーを用いたGaNパワー半導体の量産施設を新設すると発表しました。同社によると「世界初」で、2034年までに約11億ユーロを投資。2027年末までの生産開始を予定しています。今回の投資は、欧州半導体法（European Chips Act）に基づく支援の対象です。欧州委員会は、3億1900万ユーロの国家補助を承認していて、オーストリア政府による正式な助成決定は今後行われる見通しです。

「世界初」900V GaN双方向スイッチ、AIデータセンターへ

　Infineonは、900V GaNモノリシック双方向スイッチをEnphase EnergyのSST電源モジュール向けに供給します。高周波スイッチング特性を維持しながら動作電圧を900Vまで高め、AIデータセンター向けの高効率／高電力密度な電力変換に対応します。