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スタンレー電気米子会社、100mmAlN基板を製品化：今後はさらなる大口径化を目指す

スタンレー電気の米国子会社HexaTechは、直径100mm単結晶窒化アルミニウム（AlN）基板を製品化した。この製品は、熊本県で開催されている「13th International Workshop on Nitride Semiconductors 2026（IWN 2026）」（2026年11月8～13日）の会場に展示している。

» 2026年11月10日 10時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

単結晶AlN基板の大口径化で半導体デバイスのコスト低減が可能に

　スタンレー電気は2026年11月6日、米国子会社のHexaTechが直径100mm単結晶窒化アルミニウム（AlN）基板を製品化したと発表した。この製品は、熊本県で開催されている「13th International Workshop on Nitride Semiconductors 2026（IWN 2026）」（2026年11月8～13日）の会場に展示している。

　単結晶AlNは、ワイドバンドギャップ半導体材料の1つ。シリコンに比べ高電圧や高温などの環境でも優れた特性を発揮する。このため、次世代のパワー半導体や高周波デバイス、発光デバイスなどへの活用が期待されている。本格的な実用化に向けては、半導体デバイスのコスト低減や大量生産を可能にする基板の大口径化が課題となっていた。

　HexaTechは、米国ノースカロライナ州に拠点を置く半導体基板メーカー。2001年の設立以来、20年以上も単結晶AlNの材料・製造技術の開発に取り組んできた。2020年にはスタンレー電気の100％子会社となった。

　2026年2月に直径76.2mm（3インチ）のAlN基板を製品化し、今回は100mm基板の製品化に成功した。今後は直径150mm以上の大口径化に取り組む計画だという。

直径100mmの単結晶AlN基板の外観［クリックで拡大］出所：スタンレー電気

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スタンレー電気米子会社、100mmAlN基板を製品化：今後はさらなる大口径化を目指す

単結晶AlN基板の大口径化で半導体デバイスのコスト低減が可能に

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