「プロセス技術（エレクトロニクス）」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

工場ニュース：
旭化成がリチウムイオン電池用乾式セパレータの合弁会社を中国に設立
旭化成は2021年9月22日、中国におけるリチウムイオン二次電池用乾式セパレータの合弁会社の設立について各国当局より認可を得られたため事業を開始すると発表した。（2021/9/24）

福田昭のデバイス通信（323） imecが語る3nm以降のCMOS技術（26）：
2層上下の配線層をダイレクトに接続する「スーパービア」の課題（前編）
今回から、スーパービアが抱える本質的な課題と、その解決策を前後編の2回に分けて解説する。（2021/9/22）

福田昭のデバイス通信（322） imecが語る3nm以降のCMOS技術（25）：
多層配線のビア抵抗を大幅に低減する「スーパービア」
今回は、奇数番号（あるいは偶数番号）で隣接する配線層（2層上あるいは2層下の配線層）を接続するビア電極の抵抗を大幅に下げる技術、「スーパービア（supervia）」について解説する。（2021/9/16）

LCDドライバパッケージング専門：
UMC、台湾Chipbondの株式を9%取得
台湾のUnited Microelectronics Corporation（以下、UMC）は、LCDドライバのパッケージングを専門に手掛けるChipbond Technology（以下、Chipbond）と株式の交換（スワップ）を行った。それにより、UMCはChipbondの株式の9％を保有することになった。（2021/9/16）

福田昭のデバイス通信（321） imecが語る3nm以降のCMOS技術（24）：
CMOS多層配線の高密度化を支えるビア電極の微細化
今回は、多層配線技術の中核を成すビア電極技術について解説する。（2021/9/13）

NORやSRAMを置き換える存在に：
次世代メモリ市場、2031年までに440億米ドル規模へ
米国の半導体市場調査会社であるObjective AnalysisとCoughlin Associatesは、共同執筆した年次レポートの中で「次世代メモリが、さらなる急成長を遂げようとしている」という見解を示した。次世代メモリ市場は2031年までに、440億米ドル規模に達する見込みだという。（2021/9/13）

32ビットマイコンで新たに20製品：
TXZ+ファミリ アドバンスクラスにM4Gグループ
東芝デバイス＆ストレージは、Arm Cortex-M4搭載32ビットマイコン「TXZ+ファミリ アドバンスクラス」として、新たに「M4Gグループ」20製品の量産を始めた。高速データ処理が求められるオフィス機器やFA機器、IoT（モノのインターネット）家電などの用途に向ける。（2021/9/13）

福田昭のデバイス通信（320） imecが語る3nm以降のCMOS技術（23）：
高アスペクト比、バリアレス、エアギャップが2nm以降の配線要素技術
今回は、銅配線からルテニウム配線への移行と微細化ロードマップについて紹介する。（2021/9/9）

EsperantoがHot Chips 33で発表：
1000コアを搭載、RISC-VベースのAIアクセラレーター
新興企業Esperantoは、これまで開発の詳細を明らかにしてこなかったが、2021年8月22〜24日にオンラインで開催された「Hot Chips 33」において、業界最高性能を実現する商用RISC-Vチップとして、ハイパースケールデータセンター向けの1000コア搭載AI（人工知能）アクセラレーター「ET-SoC-1」を発表した。（2021/9/8）

福田昭のデバイス通信（319） imecが語る3nm以降のCMOS技術（22）：
高融点金属の多層配線技術が2nm以降のCMOSを実現
前回から「次世代の多層配線（BEOL）技術」の講演内容を紹介している。今回は、銅（Cu）以外の配線技術を導入する際の候補となる高融点金属について解説する。（2021/9/6）

超低損失の窒化ケイ素導波路を利用：
XanaduとImec、フォトニック量子プロセッサを共同開発へ
フォトニック量子コンピューティングを専門とするXanaduは、超低損失の窒化ケイ素導波路をベースとした次世代フォトニック量子ビットの開発に向けて、ベルギーの研究開発センターであるImecと提携すると発表した。（2021/9/2）

福田昭のデバイス通信（318） imecが語る3nm以降のCMOS技術（21）：
3nm以降のCMOSロジックを支える多層配線技術
「IEDM2020」の講演内容を紹介するシリーズ。今回から、「次世代の多層配線（BEOL）技術」の講演内容を紹介していく。（2021/9/1）

実装面積を22％削減、TDK：
2012サイズで150℃保証の車載用インダクターを開発
TDKは2021年8月、従来品より実装面積を22％削減できる小型化を実現した車載電源回路用インダクター「TFM201210ALMAシリーズ」を開発したと発表した。同社は、「2012サイズで150℃に対応した金属パワーインダクターは『業界トップレベル』だ」としている。（2021/8/31）

福田昭のデバイス通信（317） imecが語る3nm以降のCMOS技術（20）：
10nm以下の極短チャンネルを目指す2次元（2D）材料のトランジスタ
今回は、2次元材料の特長と、集積回路の実現に向けた課題について紹介する。（2021/8/27）

福田昭のデバイス通信（316） imecが語る3nm以降のCMOS技術（19）：
サブナノメートル時代を見据える2次元（2D）材料のトランジスタ
「IEDM2020」の講演内容を紹介するシリーズ。今回から、「さらにその先を担うトランジスタ技術（ポストシリコン材料）」の講演部分を解説する。（2021/8/24）

“シリコン指紋”で信頼性を確保：
PUF技術が実現するIoTセキュリティ
物理複製困難関数（PUF：Physically Unclonable Function）をベースとしたセキュリティIPに注力している企業の1つ、Intrinsic ID。今回、そのCEOにIoTセキュリティの課題、量子コンピューティングなどのさまざまな脅威による潜在的影響への対応方法について聞いた。（2021/9/3）

PSoCとOPTIGAが融合：
PR：新生インフィニオンでこそ生まれた論理攻撃にも、物理攻撃にも強い万全のIoTセキュリティソリューション
2020年4月にサイプレス セミコンダクタを買収、統合したインフィニオン テクノロジーズ。それから1年が経過し、統合両社の強みを融合させた“クロスソリューション”が続々と市場展開されている。その中でも、IoTの普及を加速させるものとして特に注目を集めるのはセキュリティソリューションである。IoT端末に万全のセキュリティをもたらす、新生インフィニオンのクロスソリューションを紹介していこう。（2021/8/18）

大山聡の業界スコープ（44）：
日本の半導体産業を復興させるために ―― 経産省「半導体・デジタル産業戦略」を読み解く
2021年6月、経産省は「半導体・デジタル産業戦略」を公表した。経産省がどのようなことを半導体産業界に呼び掛けているのか。それに対して現状の半導体業界はどうなのか、私見を織り交ぜて分析してみたい。（2021/8/17）

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック：
IntelがIDM 2.0を掲げざるを得なかった理由
エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、Intelが7月のオンラインイベントで掲げた「IDM 2.0」の背景についてお届けする。（2021/8/16）

Apple Siliconの3nmプロセス生産は2022年後半？　AppleはTSMC「N3」の最初の顧客か
TSMCの最上位顧客であるAppleは最新の3nmプロセスでも他社に先行して量産を開始するらしい。（2021/8/12）

ラビ振動は従来比約10倍高速に：
大規模集積量子コンピュータ向けに集積構造を考案
産業技術総合研究所（産総研）は、シリコンスピン量子ビット素子を用いた大規模集積量子コンピュータ向けの新しい集積構造を考案した。従来構造に比べ、ラビ振動（スピンの操作速度）が約10倍高速となり、製造ばらつき耐性も大幅に改善できるという。（2021/8/12）

カナダのAIチップ新興企業：
Untether AI、Intel Capitalら主導の投資ラウンドで1億2500万ドル調達
データセンター向けAIチップを手掛けるカナダの新興企業Untether AI が、Tracker Capital ManagementとIntel Capitalが共同で主導した投資ラウンドにおいて、1億2500万米ドルの資金を調達した。（2021/8/4）

福田昭のデバイス通信（314） imecが語る3nm以降のCMOS技術（17）：
次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破（前編）
今回と次回は「シーケンシャル（Sequential）CFET」の重要な特徴である、ボトム側とトップ側で異なるトランジスタ材料が選べることの利点と、実際にCFETを試作した事例を解説する。（2021/8/3）

組み込みプロセッサとして期待：
「Cortex-M0」ベースのフレキシブルSoC「PlasticArm」
Arm Researchと英国のケンブリッジに拠点を置くPragmatICは2021年7月、英科学誌「Nature」に掲載された論文の中で、フレキシブル基板上でTFT（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を使って製造した、「Arm Cortex-M0」ベースのフレキシブルなSoC「PlasticArm」について詳細を明らかにした。（2021/8/2）

福田昭のデバイス通信（313） imecが語る3nm以降のCMOS技術（16）：
次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」が抱える、もう1つの課題
今回は前回に続いてシーケンシャルCFETの講演部分を説明する。モノリシックCFETに比べるとシーケンシャルCFETの製造プロセスは難しくない。ただし製造プロセスには大きな制約が付きまとう。前回はその1つである、ウエハーを貼り合わせる界面で欠陥が発生する問題と対策を述べた。今回はもう1つの課題である、温度条件を解説しよう。（2021/7/30）

過熱する半導体投資：
2021年上半期の半導体業界を振り返る
新型コロナウイルス感染症（COVID-19）は猛威をふるい続け、ワクチン接種という明るい兆しはあれど、感染の収束のメドは立たず厳しい状況は続いている。そうした中、COVID-19による勤務環境や生活環境の変化がけん引力となり、半導体市場は力強く回復している。今回は、半導体不足に加え、企業動向や技術動向も含め、2021年上半期を振り返ってみたい。（2021/8/3）

“100日レビュー”の結果を報告：
米国、レジリエントなサプライチェーン構築への第1歩
米国は、技術サプライチェーンを再構築するための長期的取り組みをスタートさせた。その背景には、「初期段階の取り組みを進めることで、最終的には、半導体をはじめとする重要なエネルギー関連技術の製造／販売のためのレジリエントな枠組みの実現へとつながるだろう」とする慎重な楽観論がある。（2021/7/27）

福田昭のデバイス通信（312） imecが語る3nm以降のCMOS技術（15）：
次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」の製造プロセス
今回は、下側（底側、ボトム側）のトランジスタを作り込んでから、その上に別のウエハーを貼り合わせて上側（頂側、トップ側）のトランジスタを作成する「シーケンシャル（Sequential）CFET」の製造プロセスを解説する。（2021/7/27）

福田昭のデバイス通信（311） imecが語る3nm以降のCMOS技術（14）：
次々世代のトランジスタ「モノリシックCFET」の製造プロセス
今回から、2種類のCFETの製造プロセスを解説していく。始めは「モノリシックCFET」を取り上げる。（2021/7/21）

車載では当面不足が続くが：
半導体市場、2024年には過剰供給に陥るリスクも
TSMCのチェアマンであるMark Liu氏は、米放送局CBSのジャーナリストであるLeslie Stahl氏の取材に対し、「世界的な半導体不足は、2022年も続くだろう」と述べた。Liu氏のこのコメントから、「需要に対応すべく新たな生産能力を急速に拡大させているという現在の状況は、半導体価格の上昇や、最終的に過剰供給などを発生させる可能性がある」という問題が提起されている。（2021/7/20）

福田昭のデバイス通信（310） imecが語る3nm以降のCMOS技術（13）：
次々世代のトランジスタ技術「コンプリメンタリFET」の構造と種類
今回はCFETのトランジスタ構造と、CFETは製造方法の違いによって2種類に分けられることを説明する。（2021/7/16）

SEMIが年央市場予測を発表：
世界半導体製造装置、2022年に1000億米ドル超へ
SEMIが世界半導体製造装置の年央市場予測を発表した。半導体製造装置（新品）の2022年世界販売額は、1000億米ドル規模に達し、過去最高を更新する見通しとなった。（2021/7/15）

福田昭のデバイス通信（309） imecが語る3nm以降のCMOS技術（12）：
コンプリメンタリFET（CFET）でCMOS基本セルの高さを半分に減らす
引き続き、FinFETの「次の次」に来るトランジスタ技術（コンプリメンタリFET／CFET）の講演部分を紹介する。今回は、CFETがCMOS基本セルの微細化に与えるメリットを具体的に解説する。（2021/7/13）

DRAM量産に初めてEUV装置採用：
SK hynix、EUV露光による1αnm世代DRAM量産を開始
SK hynixは2021年7月12日（韓国時間）、EUV（極端紫外線）露光装置を使用した初めてのDRAM量産を開始したと発表した。10nmプロセス技術の第4世代である「1α（アルファ）nm世代」の8Gビット LPDDR4 モバイルDRAMで、同年後半からスマートフォンメーカー向けに提供する予定だ。（2021/7/13）

組み込み開発ニュース：
単露光方式でダイナミックレンジが約8倍のCMOSイメージセンサー
ソニーセミコンダクタソリューションズは、セキュリティカメラ向け1.2分の1型4K解像度CMOSイメージセンサー「IMX585」を商品化する。同社従来品と比較して、単露光方式で約8倍のダイナミックレンジを有する。（2021/7/9）

福田昭のデバイス通信（308） imecが語る3nm以降のCMOS技術（11）：
FinFETの「次の次」に来るトランジスタ技術
今回から、「FinFETの「次の次」に来るトランジスタ技術（コンプリメンタリFET）」の講演部分を解説する。（2021/7/9）

Ambarellaが開発：
14ビデオストリーム上でAIを同時に実行可能なSoC
イメージプロセッサの専業メーカーであるAmbarellaは、新型SoC（System on Chip）「CV5S」と「CV52S」の2品種を発表した。（2021/7/7）

福田昭のデバイス通信（307） imecが語る3nm以降のCMOS技術（10）：
論理回路セルとSRAMセルを縮小するフォークシート構造
今回は基本的な論理回路セルとSRAMセルで、FinFETとナノシート構造、フォークシート構造のシリコン面積がどのくらい変化するかを説明する。（2021/7/5）

STマイクロ Stellar SR6：
ドメインコントローラーなど向けの車載マイコン
STマイクロエレクトロニクスは、車載用マイクロコントローラー「Stellar SR6」の提供を開始した。車両内の配線を簡素化するドメインコントローラー、ゾーンコントローラーとしての用途を想定している。（2021/7/2）

耐圧40V／60Vの12製品を発売：
ローム、低オン抵抗のデュアルMOSFETを開発
ロームは2021年7月、24V入力に対応した低オン抵抗のデュアルMOSFET「QH8Mx5／SH8Mx5シリーズ（Nch＋Pch）」を発表した。FA機器や基地局装置のファンモーター用途に向ける。（2021/7/2）

福田昭のデバイス通信（306） imecが語る3nm以降のCMOS技術（9）：
フォークシート構造のCMOSロジック製造プロセス
今回は、フォークシート構造のCMOSロジックを製造するプロセスを解説するとともに、試作したトランジスタの断面を電子顕微鏡と蛍光X線分析で観察した画像を提示する。（2021/7/1）

ダイナミックレンジが従来比約8倍：
ソニー、4K解像度CMOSイメージセンサーを開発
ソニーは、セキュリティカメラ向けの1/1.2型4K解像度CMOSイメージセンサー「IMX585」を開発した。単露光方式で従来製品の約8倍という広いダイナミックレンジを実現した。近赤外領域における感度も従来品に比べ約1.7倍と高い。（2021/7/1）

EE Exclusive：
スマホ搭載デバイス分析 〜完全分離されたAppleとHuaweiのエコシステム
米中間の貿易戦争が悪化の一途をたどる中、この2大経済大国の関係が破綻する可能性を示す、「デカップリング（Decoupling、分断）」というバズワードが登場している。しかし目の前の問題として、「本当に分断は進んでいるのだろうか」「マクロ経済レベルではなく、世界エレクトロニクス市場のサプライチェーンレベルの方が深刻な状況なのではないだろうか」という疑問が湧く。（2021/6/30）

福田昭のデバイス通信（305） imecが語る3nm以降のCMOS技術（8）：
フォークシート構造のトランジスタが次世代以降の有力候補である理由
今回は、CMOSロジックの基本セル（スタンダードセル）を微細化する手法の変化と、フォークシート構造の利点について解説する。（2021/6/28）

福田昭のデバイス通信（304） imecが語る3nm以降のCMOS技術（7）：
ナノシート構造を超える高い密度を実現するフォークシート構造のトランジスタ
前回に続き、「FinFETの次に来るトランジスタ技術（ナノシートFETとフォークシートFET）」の講演部分を紹介する。imecは、フォークシート構造のトランジスタの研究開発に力を入れている。（2021/6/24）

応答速度は従来品に比べ約300倍：
ギャップ長20nmのナノギャップガスセンサーを開発
東京工業大学は、抵抗変化型ガスセンサーの電極間隔（ギャップ長）を20nmと狭くしたナノギャップガスセンサーを開発した。ギャップ長が12μmの一般的な酸素ガスセンサーに比べ、約300倍の応答速度を実現した。（2021/6/23）

湯之上隆のナノフォーカス（39）：
日本の半導体ブームは“偽物”、本気の再生には学校教育の改革が必要だ
今や永田町界隈は「半導体」の大合唱であるが、筆者はそれを「偽物のブーム」と冷めた目で見ている。もはや“戦後の焼け野原状態”である日本の半導体産業を本気で再生するには、筆者は学校教育の改革から必要だと考えている。（2021/6/22）

福田昭のデバイス通信（303） imecが語る3nm以降のCMOS技術（6）：
フィンFET（FinFET）の次に来るトランジスタ技術
今回からは「FinFETの次に来るトランジスタ技術（ナノシートFETとフォークシートFET）」の講演部分を報告していく。（2021/6/21）

福田昭のデバイス通信（302） imecが語る3nm以降のCMOS技術（5）：
電源供給配線網（PDN）をシリコンダイの裏面に配置して電源をさらに安定化
今回は、CMOSロジックの基本セル（スタンダードセル）に電源を分配する電源供給配線網（PDN：Power Delivery Network）のレイアウトを解説する。（2021/6/17）

福田昭のデバイス通信（301） imecが語る3nm以降のCMOS技術（4）：
埋め込み電源配線の構造と材料選択
今回は、BPR（Buried Power Rail）の複雑な構造を説明する略語を定義するとともに、金属材料の候補を解説する。（2021/6/11）