ビシェイジャパンは、双方向非対称(BiAs)シングルラインESD(静電気放電)保護ダイオード「VCUT0714BHD1」を発表した。サイドウェッタブル端子付きの小型パッケージ「DFN1006-2A」で供給する。
ビシェイジャパンは2021年8月、双方向非対称(BiAs)シングルラインESD(静電気放電)保護ダイオード「VCUT0714BHD1」を発表した。サイドウェッタブル端子付きの小型パッケージ「DFN1006-2A」で供給する。
VCUT0714BHD1は、動作電圧範囲が−7〜14Vまたは−14〜7Vで、負荷容量は8pF(代表値)と低い。リーク電流は動作電圧7Vまたは14Vで0.1μA以下である。また、1mAで標準7.3Vまたは、14.5Vのブレークダウン電圧、3.6Aで15Vまたは、2Aで30Vの最大クランピング電圧を実現している。
VCUT0714BHD1は、車載向けの信頼性試験規格「AEC-Q101」に準拠した製品も用意している。パッケージはリードが短く小型であるため、ラインインダクタンスは極めて低いという。このため、ESDストライクのような高速過渡電圧を、最小限のオーバーシュートあるいはアンダーシュートに抑えて、クランプをすることが可能である。
この他、データラインに対する過渡電圧保護特性は、IEC 61000 4 2の±25kV(接触放電)および、±30kV(気中放電)という条件に適合している。また、J-STD-020基準の吸湿レベル(MSL)1を達成し、UL 94V-0準拠の難燃性を実現した。はんだ付けの検査も目視で確認できるという。
京セミ、アバランシェフォトダイオードを発表
新電元工業、エアコン向けブリッジダイオード発売
理想ダイオード機能搭載ロードスイッチIC、トレックス
ローム、SiC SBDを内蔵した耐圧650VのIGBTを開発
量産間近の酸化ガリウムSBD、評価ボードも入手可能
パワー半導体、2030年に4兆471億円規模へCopyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
記事ランキング