東芝D＆S、4端子パッケージのSiC MOSFETを発売：スイッチング損失を低減

東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、4端子タイプTO-247-4L（X）パッケージを採用したSiC MOSFET「TWxxxZxxxCシリーズ」を開発、出荷を始めた。サーバや通信機器のスイッチング電源、EV充電スタンド、太陽光発電用インバーターなどの用途に向ける。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

耐圧650V製品を5品種、耐圧1200V製品を5品種

　東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は2023年8月、4端子タイプTO-247-4L（X）パッケージを採用したSiC MOSFET「TWxxxZxxxCシリーズ」を開発、出荷を始めた。サーバや通信機器のスイッチング電源、EV充電スタンド、太陽光発電用インバーターなどの用途に向ける。

TWxxxZxxxCシリーズの外観［クリックで拡大］ 出所：東芝D＆S

　TWxxxZxxxCシリーズとして今回発売したのは、耐圧650V製品を5品種と耐圧1200V製品を5品種。同社のSiC MOSFETとして、初めて4端子パッケージを採用した製品となる。4端子のため、ゲートドライブ用信号ソース端子をケルビン接続でき、スイッチング損失を低減できるという。

　TWxxxZxxxCシリーズは、ドレイン-ソース間のオン抵抗やゲート-ドレイン間の電荷量が小さく、順方向電圧（ダイオード）も−1.35V（代表値）と低い。耐圧1200V品の「TW045Z120C」の場合、3端子タイプTO-247パッケージを用いた従来製品「TW045N120C」と比較し、ターンオン損失を約40％、ターンオフ損失を約34％、それぞれ削減した。

　同社は、新製品を搭載した「SiC MOSFET応用3相インバーター」のレファレンスデザインを開発し、同社ウェブサイト上に公開している。

新製品を活用した3相インバーターのレファレンスデザイン［クリックで拡大］ 出所：東芝D＆S