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300mm SiCウエハーでパワー半導体、Infineonが実物を初公開：electronica 2026

Infineon Technologiesは、ドイツ・ミュンヘンで開催中のエレクトロニクス展示会「electronica 2026」（2026年11月10～13日）において、パワーデバイスを形成した300mmのSiCウエハーの実物を初公開した。EETimes Japanは会場で同社のパワー＆センサーシステムズ事業部プレジデントを務めるAdam White氏に話を聞いた。

» 2026年11月11日 13時00分公開

[永山準，EE Times Japan]

　Infineon Technologies（以下、Infineon）は、ドイツ・ミュンヘンで開催中のエレクトロニクス展示会「electronica 2026」（2026年11月10～13日）において、パワーデバイスを形成した300mm（12インチ）の炭化ケイ素（SiC）ウエハーの実物を初公開した。EE Times Japanは会場で同社のパワー＆センサーシステムズ事業部プレジデントを務めるAdam White氏に話を聞いた。

electronica 2026で展示された300mm SiCウエハー［クリックで拡大］

　Infineonが展示したのは、オーストリア・フィラッハ工場でパワーデバイスを形成した300mm SiCウエハーだ。同社によると、フルスケールの半導体製造工場環境で300mm SiCウエハーを用いた動作可能なパワーデバイスの製造に成功したのは「世界初」という。

　300mm SiCウエハーを巡っては近年、SICCやTanKeBlueらの中国勢に加え、Wolfspeedやレゾナックなどの材料メーカーが相次いで開発成果を発表している。Infineonはこれらの企業を含む複数のSiC材料メーカーと6インチや8インチのSiC材料について供給契約を結んでいて、2026年8月時点で認定済みの供給元は「6社超」としている。ただ、今回の300mm SiCウエハーの調達先については、White氏は具体的な社名を明かさなかった。

「量産規模が拡大すればコスト面の効果は明らかに」

　また、300mm SiCウエハーは現状ではまだかなり高価なのではないかと尋ねたところ、White氏は「どのような製品でも同じだが、生産数量が少ない段階では、当然ながらコストは割高になる」と説明。一方で「300mmに大口径化すれば、ウエハー1枚当たりに製造できるデバイスの数は大幅に増える。そして、大規模な量産に移行すれば、コスト構造がどうなるかは自ずと明らかになる。これはシリコンウエハーが4インチから6インチ、8インチ、12インチへと大口径化してきたのと同じ考え方であり、SiCにも同じ論理が当てはまる」と強調した。

　ウエハーの大口径化に伴い加工や取り扱いの難易度も高まるが、この点についてWhite氏は「当社には多くのノウハウと知識がある。社内の非常に優秀な、世界トップクラスのチームと協力し、今回の成果を実現した」と強調した。

　このほか、現時点の歩留まりについて具体的な数値は明かさなかったが「新しい技術を導入する際には、歩留まりを改善していくものだ。8インチから12インチへと移行する場合も同様だ。歩留まりについて解決できるという見通しがなければ、そもそもわれわれはこのような技術に取り組んでいない」と自信を示した。

　量産開始時期についても非公表としたうえで、White氏は「まずは開発を完了させる必要がある。今回の発表は、われわれがその技術と能力を備えていることを示している。今後は量産に向けた取り組みを進めていく」と語った。

厚さ20μmの300mmシリコンウエハーと300mmGaNウエハーと並べて展示されていた［クリックで拡大］

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Infineon Technologiesが、300mmのSiCウエハーを用いて、動作可能なパワー半導体デバイスの製造に成功した。同社によると、フルスケールの半導体製造工場で300mm SiCウエハーによるパワーデバイスの製造に成功したのは「世界初」という。
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