Wolfspeedが300mm単結晶SiCウエハー製造に成功：AIインフラ、AR／VR、パワー向けに

Wolfspeedが、単結晶300mm 炭化ケイ素（SiC）ウエハーの生産に成功したと発表した。同社は「当社はSiCの300mm化によって世界で最も要求の厳しい半導体アプリケーションの一部で新たな性能の上限と製造におけるスケーラビリティを実現する」と述べている。

[永山準，EE Times Japan]

　Wolfspeedは2026年1月13日（米国時間）、単結晶300mm 炭化ケイ素（SiC）ウエハーの生産に成功したと発表した。同社は「この技術革新は、次世代コンピューティングプラットフォーム、没入型拡張現実／仮想現実（AR／VR）システム、高効率の先進パワーデバイスにとって大きな前進を意味する。当社はSiCの300mm化によって世界で最も要求の厳しい半導体アプリケーションの一部で新たな性能の上限と製造におけるスケーラビリティを実現する」と述べている。

破産申請を経て「新たなスタート」切ったWolfspeed

　炭化ケイ素（SiC）ウエハーで高いシェアを有するWolfspeed。近年はSiCパワーデバイスでも投資を強化してシェアを拡大してきた。しかし、大規模な投資を進めてデバイス事業の強化を図る中、中国のSiCウエハーメーカーの急成長による価格競争の激化や世界的な電気自動車（EV）市場減速の影響も受け、経営が悪化。2025年6月に米国連邦破産法11条の適用を申請していた。同年10月には財務再編プロセスを無事完了し、米国連邦破産法11条の適用から脱却したと発表。『新たなスタート』を切っている。

　Wolfspeedは「業界最大」（同社）かつ基幹的なSiC IP（Intellectual Property）ポートフォリオ（世界で2300件以上の特許を取得済みまたは出願中）を有していて、同社の最高技術責任者（CTO）のElif Balkas氏は「300mm単結晶SiCウエハー製造の成功は、結晶成長、ブールおよびウエハー加工における長年にわたる集中的なイノベーションの成果だ」とコメントしている。

　Wolfspeedの300mm SiCプラットフォームは、高ボリュームの炭化ケイ素製造と、光／RFシステム用の高純度半絶縁基板の先進技術を統合するものだと説明。「これにより光、フォトニック、熱、電力の各領域を横断する新たなクラスのウエハースケール集積が実現する」としている。

Wolfspeedの300mm SiCウエハー［クリックで拡大］ 出所：Wolfspeed

　Wolfspeedは、300mm SiCウエハー製造によってAIエコシステムの基幹要素、AR／VRシステム、先進パワーデバイスアプリケーションを支援する立場を確立したとし、その利点を紹介している。AIインフラに関しては、AIワークロードがデータセンターの電力限界を押し上げる中、電力密度／熱性能／エネルギー効率の向上が加速し続けていると言及。同社の300mm SiC技術は、高電圧電力供給システム、先進的熱ソリューション、アクティブインターコネクトのウェハスケール統合を可能にし、システム性能の向上が実現できるという。

　また、高輝度ディスプレイおよび広視野角、効果的な熱管理を統合したコンパクトで軽量な構成が求められているAR／VRシステム分野では、SiCの機械的強度、熱伝導率、光学屈折率制御といった独自の材料特性が多機能光学アーキテクチャに最適だと説明している。300mm SiC技術では、複雑な光熱アーキテクチャをスケーラブルに製造することが可能になり、より軽量かつ高性能なAR／VRデバイスの実現につながる。

　さらに300mm SiCウエハープラットフォームへ移行は、先進パワーデバイスの量産拡大の重要なステップだとも強調。「より大きなウエハー径は、高電圧送電網や次世代産業システムを含むアプリケーションの需要増大に、高いコスト効率で対応する能力を強化する」と述べている。