「high-kメタルゲート」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

Intel、Samsung、TSMC：
「半導体業界の巨人」3社がCFETに照準　製造では課題が山積も
（2024/1/15）

マイクロン 16GビットDDR5 DRAM：
転送速度が最大7200MT/秒、1βプロセス採用の16GビットDDR5 DRAM
マイクロンテクノロジーは、1βプロセスを採用した、16GビットのDDR5 DRAMを発表した。転送速度は4800〜7200MT/秒で、AIの学習や推論、生成AI、IMDBデータ分析などのアプリケーションの稼働を高いパフォーマンスで実行できる。（2023/11/9）

週末の「気になるニュース」一気読み！：
新Teamsアプリの一般提供開始　速度は2倍でメモリ使用量半減／「PlayStation 5」に新モデル登場　着脱可能なUHD BDドライブも用意
うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、10月8日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！（2023/10/15）

米国EE Timesが独占インタビュー：
枚葉式で2度目のチャンスをつかむ、Rapidus小池氏
米国EE Timesは、imecの年次イベントにてRapidus社長の小池淳義氏に単独インタビューを行った。Rapidusは、「枚葉式の処理」により超短TATで製品を顧客に提供することを狙う。これは、小池氏にとっては“2度目のチャンス”になる。さらに、Rapidusの成功をアナリストがどう見ているかも、紹介する。（2023/6/27）

2023年以降、広範なDRAM製品に適用予定：
価格低迷の中、1β DRAMの拡充進めるMicron
Micron Technologyは、近年、最先端DRAM技術の発展をリードしてきたメーカーの1社だ。同社の1β（ベータ）ノードのDRAM技術もその流れを維持するものだが、2023年にはDRAM価格の下落が予測される中、他の大手メーカーも、追い上げてきている。（2023/2/17）

FRAMとReRAMに高い注目度：
新たな局面を迎えつつある新興メモリ
新興メモリが、新たな局面を迎えている。しかし、これまでの数年間に、同分野の成長に貢献するような知名度の高い相変化メモリ（PCM）は現れていない。【訂正あり】（2022/12/27）

酸化反応にSi基板のキャリアが関与：
高輝度放射光を用い、Si酸化膜の成長過程を解明
日本原子力研究開発機構（原子力機構）と東北大学、福井工業高等専門学校（福井高専）の研究グループは、高輝度放射光を用いてシリコン（Si）酸化膜の成長過程を観察し、Si酸化膜反応に電子や正孔といったキャリアが関与していることを発見した。（2022/12/22）

湯之上隆のナノフォーカス（51）：
「IMW2022」3D NANDの最前線 〜EUV適用から、液体窒素冷却の7ビット/セルまで
半導体メモリの国際学会「International Memory Workshop2022（以下IMW2022）」から、筆者が注目した2つの論文を紹介する。Micron Technologyとキオクシアの論文で、いずれも3D NAND型フラッシュメモリに関する発表である。（2022/6/15）

Applied Materialsが発表：
さらなる微細化に向けたEUV／GAA向け技術
Applied Materialsの3D GAA（3次元Gate-All-Around）トランジスタ技術とEUV（極端紫外線）リソグラフィソリューションの最新ポートフォリオは、ムーアの法則による2D（2次元）スケーリングの限界に対処するために設計された。EUVによる2Dスケーリングの拡張を熱望する半導体メーカーのために電力効率と性能、面積、コスト、市場投入までの期間（PPACt：Power efficiency, Performance, Area, Cost, and time to market）を改善することを目指している。（2022/5/16）

湯之上隆のナノフォーカス（47）：
界面の魅力と日本半導体産業の未来 〜学生諸君、設計者を目指せ！
今回は、「電子デバイス界面テクノロジー研究会」の歴史と、同研究会が行った、半導体を研究している学生48人へのアンケート結果を紹介する。アンケート結果は、非常に興味深いものとなった。（2022/2/24）

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック：
IARのCEO解任に見る業界再編／FD-SOIの今後
エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、2021年10月の動向から「IARのCEO解任」と「FD-SOIの今後」についてお届けする。（2021/11/11）

組み込み開発ニュース：
2nm以降世代に向けた半導体プロジェクトが始動、かつての国プロとの違いとは
NEDOと経済産業省、AIST、TIAの4者が「先端半導体製造技術つくば拠点オープニングシンポジウム」を開催。「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」の中で進められる「先端半導体製造技術の開発」のキックオフに当たるイベントで、2nm世代以降のロジックICを対象とした前工程プロジェクトと、3D ICを対象とした後工程プロジェクトについての説明が行われた。（2021/11/1）

湯之上隆のナノフォーカス（41）：
「ムーアの法則」は終わらない 〜そこに“人間の欲望”がある限り
「半導体の微細化はもう限界ではないか？」と言われ始めて久しい。だが、相変わらず微細化は続いており、専門家たちの予測を超えて、加速している気配すらある。筆者は「ムーアの法則」も微細化も終わらないと考えている。なぜか――。それは、“人間の欲望”が、ムーアの法則を推し進める原動力となっているからだ。【修正あり】（2021/8/27）

福田昭のデバイス通信（315） imecが語る3nm以降のCMOS技術（18）：
次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破（後編）
後編となる今回は、「シーケンシャル（Sequential）CFET」の具体的な試作例を紹介する。（2021/8/5）

モノづくり最前線レポート：
インテルが半導体プロセスノードを再定義、2024年にはオングストローム世代へ
インテル日本法人が、米国本社が2021年7月26日（現地時間）にオンライン配信したWebキャスト「Intel Accelerated」で発表した先端半導体製造プロセスやパッケージング技術について説明した。（2021/7/30）

VLSIシンポジウム2021：
「VLSI Circuitsシンポジウム」の注目論文
2021年6月13〜19日に開催されるLSI関連の国際学会「VLSIシンポジウム2021」。「VLSI Circuitsシンポジウム」の注目論文を紹介する。これらの注目論文は、VLSIシンポジウム委員会が2021年4月に行った記者会見で紹介したものとなっている。（2021/6/8）

VLSIシンポジウム2021：
「VLSI Technologyシンポジウム」の注目論文
今回は、VLSIシンポジウムを構成する「VLSI Technologyシンポジウム」の注目論文を紹介する。なお、これらの注目論文は、VLSIシンポジウム委員会が2021年4月に行った記者会見で紹介されたものだ。（2021/6/7）

福田昭のデバイス通信（298） imecが語る3nm以降のCMOS技術（1）：
微細化の極限を目指すCMOSロジックの製造技術
「IEDM2020」から、imecでTechnology Solutions and Enablement担当バイスプレジデントをつとめるMyung‐Hee Na氏の講演内容を紹介する。CMOSを3nm以下に微細化するための要素技術を解説する講演だ。（2021/5/28）

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック：
Intelの工場新設やTSMC/UMC/Samsungの巨額投資、半導体各社が生産能力拡充
エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、この1〜2カ月で目立った話題として、Fabやメモリベンダーの相次ぐ生産能力拡充の話についてお届けする。（2021/5/14）

花の精霊かな？　加護亜依、カラフルな巨大ブーケ姿に変身し視線をくぎ付けにしてしまう
思わず二度見。（2021/4/26）

200℃以下でSi層とGe層を積層：
日台が連携、2nm世代に向けた「hCFET」を開発
日本と台湾の国際共同研究グループは、2nm世代に向けた積層型Si／Ge異種チャネル相補型電界効果トランジスタ「hCFET」を開発した。（2020/12/10）

Apple Siliconがやってくる：
Apple独自アーキテクチャの変遷　A6から最新A14まで
Apple Silicon連載、ついに最新プロセッサ「A14」に追いつく。（2020/9/24）

湯之上隆のナノフォーカス（27）：
1nmが見えてきたスケーリング　「VLSI 2020」リポート
初のオンライン開催となった「VLSIシンポジウム 2020」から、スケーリング、EUV、3D ICの3つについて最新動向を紹介する。（2020/7/7）

VLSIシンポジウム 2020：
FinFETやGAAにも適用可能なエアスペーサー形成技術
オンラインで開催された半導体デバイス／回路技術に関する国際会議「VLISシンポジウム 2020」（2020年6月15〜18日／ハワイ時間）で、IBM Researchの研究グループは先端CMOSにエアスペーサーを導入する技術を発表した。（2020/7/3）

セキュリティの課題は残るが：
パンデミック克服ではIoTが主導的役割を果たす
新型コロナウイルス（COVID-19）などの感染症を打ち負かす上で重要な役割を担っている技術の中でも、特にIoT（モノのインターネット）は、人類の“技術兵器”の重要な一部だといえる。例えば、コスト削減や、自動や遠隔での介護や診断、新たに利用可能になった患者データなどは、IoTがヘルスケア分野にもたらしたさまざまな変革の中のほんの数例として挙げられる。（2020/5/11）

実用化されたEUV：
半導体製造プロセスは継続的な進化を
EUV（極端紫外線）リソグラフィの開発プロセスは、長期にわたって難しい道のりを進んできた。EUV開発については、EUVの新しいパターニング性能を採用するかしないかによって、半導体チップ製造プロセスが将来的にどのような技術になるのかを、一歩引いた所から検討する必要があるのではないだろうか。（2019/10/3）

頭脳放談：
第232回 Intelの10nmプロセスの不思議、「10nm」はどこにある？
Intelが10nmプロセスによる量産製造を開始した。一方、AMDはすでにTSMCによる7nmプロセスで製造を行っている。「Intelは遅れているのではないか？」とも言われているが、実際のところはどうなのだろうか？　プロセスの数字の秘密を解説する。（2019/9/20）

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック：
Appleは訴えたのにAMDは見逃し、GLOBALFOUNDRIESによるTSMC提訴の背景
エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、2019年8月の業界動向の振り返りとして、GLOBALFOUNDRIESによるTSMCおよび顧客企業への訴訟とその背景を考察する。（2019/9/12）

過去最高の出席者数で大盛況：
半導体業界のトレンドは「3次元化」が明確に　VLSI 2019
2019年のVLSIシンポジウム（以下、VLSI）が6月9〜14日に、京都のリーガロイヤルホテルで開催された。今後の半導体業界の進む方向性を伺える内容が多かったのでレポートする。（2019/6/20）

湯之上隆のナノフォーカス（13）：
Neuromorphicがブレイクする予感 ―― メモリ国際学会と論文検索から見える動向
2018年、2019年のメモリの学会「International Memory Workshop」（IMW）に参加し、見えてきた新メモリの動向を紹介したい。（2019/5/30）

メモリベンダーとしての意地も：
Samsung、EUV SRAMでIntelを凌ぐ？
Samsung Electronicsは「ISSCC 2018」で、SRAMに適用するEUV（極端紫外線）技術に自信を見せた。一方のIntelは、EUVには相当慎重になっている。（2018/2/20）

28nm製品が伸び悩み：
UMC、増収見込めず設備投資を大幅削減
台湾の半導体ファウンドリーUMCが、2018年度の設備投資費を大幅に削減する。激しい競争が続く28nmプロセスでの売り上げが伸び悩んだことが要因だ。（2018/1/31）

福田昭のデバイス通信（123） 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー（7）：
IEDM 2017の講演3日目（12月6日）午前：10nm世代と7nm世代の半導体量産技術
12月6日午前のセッションから、注目講演を紹介する。メモリセルと論理演算を統合することで脳神経回路を模倣する研究の成果や、10nm／7nm世代のCMOSロジック量産技術についての発表が行われる。（2017/11/28）

福田昭のストレージ通信（59） 強誘電体メモリの再発見（3）：
強誘電体の基礎知識（後編）〜分極とは何か
誘電体材料を考えるときの共通の性質が「分極（polarization）」である。今回は、外界電圧と分極の関係性と、分極のメカニズムを解説する。（2017/7/6）

高度に洗練された新世代CPU：
Kaby Lakeこと第7世代Coreプロセッサーを理解する
Intelから開発コードネーム「Kaby Lake」こと第7世代Coreプロセッサーの追加ラインアップが発表された。その概要とラインアップのポイントを解説する。（2017/1/5）

16/14nmマイコンへの混載に向け：
ルネサス、フィン構造のMONOSフラッシュを開発
ルネサス エレクトロニクスが、フィン構造を採用したSG（Split-Gate型）-MONOSフラッシュメモリセルの開発に成功したと発表した。フィン構造としたことで、FinFETなど先端のロジックプロセスとの親和性が高くなり、次世代の16nm／14nm世代マイコンに混載できるようになる。（2016/12/7）

福田昭のデバイス通信（93）：
「SEMICON West 2016」、Synopsysが予測する5nm世代のトランジスタ技術
Synopsysの講演では、5nm世代のトランジスタのシミュレーション評価結果が報告された。この結果からはFinFETの限界が明確に見えてくる。5nm世代に限らず、プロセスの微細化が進むと特に深刻になってくるのが、トランジスタ性能のばらつきだ。（2016/10/14）

プロセス微細化を精力的に進める：
TSMCの7nm FinFET、2017年4月には発注可能に？
TSMCは米国カリフォルニア州サンノゼで開催されたイベントで、7nm FinFETプロセス技術について言及した。3次元（3D）パッケージングオプションを強化して、数カ月後に提供を開始する計画だという。（2016/9/28）

2025年までは28nm FinFETが優勢だが：
半導体プロセス技術、開発競争が過熱
FinFETの微細化が進む一方で、FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター）にも注目が集まっている。専門家によれば、2025年までは28nm FinFETプロセスが優勢だとするが、それ以降はFD-SOIが伸びる可能性もある。（2016/9/15）

最先端ICではFinFETが主流だが：
GLOBALFOUNDRIES、22nm以降のFD-SOI開発に着手
GLOBALFOUNDRIESは、22nmプロセスを用いたFD-SOIのプラットフォーム「22FDX」の後継プラットフォームを開発中だという。とはいえ、最先端ICの世界では、FinFETが主流だ。GLOBALFOUNDRIESは、アナログ／RF回路ではFinFETよりもFD-SOIが適していると、FinFETに比べた時の利点を主張する。（2016/5/31）

「VLSI技術シンポジウム 2016」プレビュー：
0.03μm2のSRAMから最先端のIII-V族FinFETまで
米国ハワイで2016年6月13〜16日に開催される「VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits（以下、VLSIシンポジウム）」は、最先端の半導体デバイス／回路技術が一堂に会する国際会議だ。VLSIシンポジウムを実行するVLSIシンポジウム委員会は4月20日、都内で記者説明会を開催し、同イベントの概要と注目論文を紹介した。（2016/4/25）

10nm以降もCMOSに注力：
Intel、「ムーアの法則は微細化の実現ではない」
「ISPD 2016」においてIntelは、10nmプロセス以降もCMOSに注力する考えであることを明らかにした。同社はそこで、ムーアの法則は微細化そのものというわけではなく、より多くのダイをウエハー上に形成することで利益を確保することだと、述べている。（2016/4/11）

三重富士通セミコンダクター 取締役執行役員常務 河野通有氏：
PR：40nm製造ラインが本格稼働、真価問われる一年に
三重富士通セミコンダクター（MIFS）は、ファウンドリ専業会社として2014年末に誕生し、1年余りが経過した。2016年始めより40nmプロセス技術に対応した製造ラインが本格的に稼働する。2016年はファウンドリ専門会社として真価が問われる一年となる。取締役執行役員常務を務める河野通有氏が、40nm製造ラインを軸とした今後の事業戦略などについて語った。（2016/1/12）

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー（9）：
究極の低電圧・低消費を目指すスティープスロープFET
2015年12月8日に開催されるセッション22のテーマは「スティープスロープ・トランジスタ」だ。このトランジスタの実現手法に関する研究成果がIntelなどから発表される。同日夜のパネルディスカッションでは、オンチップの相互接続技術や、CMOS技術が直面している課題について議論が行われる予定だ。（2015/11/25）

破産したQimondaの“遺伝子”を引き継ぐ：
ドイツのメモリ新興企業、SEMICON Europaに登場
2015年10月に開催される「SEMICON Europa 2015」に、ドイツのメモリ新興企業であるFerroelectric Memory Company（FMC）が出展する。FMCは、2009年に破産申請したドイツのQimonda（キマンダ）の研究をベースにしていて、現在、ドレスデン工科大学からスピンオフするための手続きを行っているという。（2015/9/18）

2018年には年間数十万ウエハーの生産を計画：
GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの製造を2016年から開始
GLOBALFOUNDRIESは、2016年から22nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）の生産を始めると発表した。2018年ごろには300mmウエハー換算で年間30万枚前後の規模で量産を行う計画で、14nm世代、10nm世代への微細化も検討する方針。（2015/7/14）

EUVとSiGeチャネルで：
IBMが7nm試作チップを発表、Intelに迫る勢い
IBM Researchが、EUV（極端紫外線）リソグラフィとSiGe（シリコンゲルマニウム）チャネルを使用した7nmプロセス試作チップを発表した。IBM Researchはここ最近、最先端プロセスの研究開発成果の発表に力を入れていて、7nmプロセスの技術開発に自信を示してきたIntelに迫る勢いを見せている。（2015/7/13）

メモリ各社の製品から探る：
プレーナ型NANDフラッシュの微細化の限界
最近になって、1Xnm世代のプロセスを適用したプレーナ（平面）型のNAND型フラッシュメモリが市場に投入され始めた。だが、プレーナ型NANDフラッシュの微細化は限界だといわれている。各社の1Xnm世代NANDフラッシュを見ながら、微細化技術について考察してみたい。（2015/6/23）

VLSIシンポジウム 2015 プレビュー（2）：
デバイス技術の注目論文 〜7nm以降を狙う高移動度トランジスタ
今回は、メモリ分野、先端CMOS分野、非シリコン分野における採択論文の概要を紹介する。抵抗変化メモリ（ReRAM）や3次元縦型構造の相変化メモリ（PCM）に関する論文の他、GaNやSiGe、InGaAsなど、次世代の高移動度の化合物半導体を用いたトランジスタに関する技術論文の概要が紹介された。（2015/4/28）

半導体技術 進化の源：
ムーアの法則、50年をたどる
1965年、IntelのGordon Moore（ゴードン・ムーア）氏が雑誌に掲載したトランジスタに関する予見は、「ムーアの法則」として半導体技術の発展の大きな原動力となった。ムーアの法則によってトランジスタがどれほど進化してきたのか。50年を振り返ってみる。（2015/4/24）