「パワー半導体」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

インバーター基板の小型化を可能に：
実装面積を削減できるパワー半導体モジュール、三菱電機
三菱電機は、パワー半導体モジュール「Compact DIPPM」シリーズとして2製品を開発、サンプル出荷を始める。従来製品に比べモジュールの床面積を約53％に縮小した。パッケージエアコンなどに搭載されるインバーター基板を小型化できる。（2025/9/12）

ポスト政策主導時代を迎える半導体市場（3）：
地政学要因で半導体製造は東南アジアとインドへ、東アジア一極集中の脱却なるか
半導体に関する各国の政策や技術開発の動向、そしてそれぞれに絡み合う用途市場の動きを分析しながら、「ポスト政策主導時代」の半導体業界の姿を提示する本連載。第3回は、転換点にある米欧の半導体政策に呼応する形で新たな産業政策を進める東南アジアの主要工業国やインドの政策動向を紹介する。（2025/9/12）

電動二輪車用途で：
Infineon、GaN搭載の軽EV用インバーター開発で中国メーカーと協業
Infineon Technologiesが、中国Ninebot子会社のLingji Innovation Technologyと窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス搭載の軽電気自動車（LEV）向けインバーター開発で協業する。InfineonがGaNパワー半導体を供給し、Lingjiの電動二輪車用インバーターシステム開発をサポートする。（2025/9/10）

650A、800V以上に対応：
ロームのSiC搭載インバーター部品が量産開始、中国大手の新型EVに
ロームの第4世代炭化ケイ素（SiC） MOSFETベアチップを搭載した、ドイツ自動車部品大手Schaefflerの新型インバーターサブモジュールの量産が始まった。中国の大手自動車メーカーの新型電気自動車（EV）に搭載されるという。（2025/9/5）

先行き不透明感が際立つ：
2025年上半期の半導体業界を振り返る
世界経済、国際情勢ともに先行き不透明な中で幕を開けた2025年。本稿では、2025年上半期の半導体業界を振り返る。（2025/8/29）

EV向け高機能材料インタビュー：
EVの常識を変えるか？ 出光が挑む「柔らかい」全固体電池材料の強み
「充電が遅い」「走行距離が短い」「火災リスクがゼロではない」など、電気自動車（EV）の課題を一挙に解決すると期待される次世代バッテリー「全固体電池」。その実用化を阻む壁を、出光興産が開発した「柔らかい」固体電解質が打ち破ろうとしている。（2025/8/28）

品質向上、供給拡大に向けて基本合意：
東芝D&S、中SICCとSiCパワー半導体用ウエハーで連携
東芝デバイス＆ストレージは2025年8月22日、中国の炭化ケイ素（SiC）ウエハーメーカーSICCとSiCパワー半導体ウエハーに関するビジネス上の連携に向けた基本合意を発表した。SiCパワー半導体の特性向上や品質改善および、安定的なウエハーの供給拡大に向けた連携を実施する。（2025/8/26）

高耐圧GaNの製品化を加速：
GaNパワー半導体市場で拡大狙うサンケン電気、パウデックを吸収合併
サンケン電気は窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場での拡大を狙い、開発を加速している。2025年8月13日には低オン抵抗で高耐圧化が容易な独自GaN技術を有する子会社パウデックの吸収合併をすると発表した。（2025/8/21）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
「コイン1枚に5トンのゾウ4頭分」の応力を制御、300mm GaNウエハーの量産近づく
300mmウエハーでの量産が始まれば、大幅なコスト低減が期待できます。（2025/8/18）

材料技術：
140周年迎えた田中貴金属、狙うは「リサイクル事業拡大」と「白金の新用途創出」
宝飾品や金地金で知られる田中貴金属グループが、創業140年を機に、プレスカンファレンスを開催した。電気自動車の普及による白金（プラチナ）需要の減少という危機を前に、老舗メーカーの同社が打ち出した解決策や、環境に貢献するリサイクル事業の強化など、新たな貴金属ビジネスが明かされた。（2025/8/18）

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2025年8月号：
GaN、SiCパワー半導体の技術革新　PCIM 2025レポート――電子版2025年8月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2025年8月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『GaN、SiCパワー半導体の技術革新――PCIM 2025レポート』です。（2025/8/18）

米国のサプライチェーン強化にも：
「あえてレガシー半導体」のSkyWater　Infineon工場買収で生産能力4倍に
米国の半導体ファウンドリーSkyWater Technologyは、米国テキサス州オースティンにあるInfineon Technologiesの工場を買収し、生産能力を4倍に拡大した。レガシー半導体の生産に注力することで、「脱アジア」を進める米軍などのニーズに応える計画だ。（2025/8/14）

クイズで学ぶ！　半導体の基礎知識：
【問題】GaNパワートランジスタの特長は？
EDN Japanの記事からクイズを出題！　半導体／エレクトロニクス技術の知識を楽しく増やしていきましょう。今回の問題は「GaNパワートランジスタの特長」についてです。（2025/8/12）

ポスト政策主導時代を迎える半導体市場（2）：
曲がり角を迎える欧州半導体法、CHIPS Act 2.0提言で軌道修正は可能か
半導体に関する各国の政策や技術開発の動向、そしてそれぞれに絡み合う用途市場の動きを分析しながら、「ポスト政策主導時代」の半導体業界の姿を提示する本連載。第2回は、第1回で取り上げた米国とともに世界の半導体産業をけん引している欧州の施策を紹介する。（2025/8/8）

2in1モジュールも開発：
RC-IGBTとSiC、ダイでもモジュールでも 東芝の車載パワー半導体
東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」で、逆導通IGBT（RC-IGBT）搭載の2in1両面冷却モジュールや2in1のSiCモジュールのサンプルおよび、それぞれのベアダイなどの電動車（xEV）インバーター向け製品を公開。この市場をフルラインアップで攻める姿勢を示していた。（2025/8/7）

TECHNO-FRONTIER 2025：
STM32×AIで実現　ドローンモーターの異常をリアルタイムで検知して協調
STマイクロエレクトロニクスは「TECHNO-FRONTIER 2025」に出展し、マイコンを用いたエッジAIソリューションやAIデータセンター向け電源ソリューションを紹介した。（2025/8/7）

研究開発の最前線：
手戻り大幅削減　材料開発期間を短縮するレゾナックパワーモジュールR＆D拠点の共創
レゾナックは、小山事業所（栃木県小山市）内のパワーモジュール研究開発拠点「パワーモジュールインテグレーションセンター（PMiC）」で同拠点の説明会と見学会を行った。（2025/8/7）

GaNのビジネスモデルはIDMが強いのか：
TSMCのGaN撤退が示唆すること
TSMCが2027年7月までにGaNファウンドリー事業から撤退すると決定した。これは、GaNパワーデバイスのビジネスモデルにとって何を意味しているのか。（2025/8/6）

「世界最小パッケージ」1200V SBDで攻める：
タイワン・セミコンダクターがSiCパワー半導体市場に参入、その狙いは
Taiwan Semiconductorが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体事業に参入。1200V耐圧品としては「世界最小パッケージ」（同社）となるSiCショットキーバリアダイオード（SBD）製品群を販売開始した。TSCのプロダクトマーケティング担当バイスプレジデントを務めるSam Wang氏に話を聞いた。（2025/8/6）

GaN搭載6.6kW OBC試作品を公開：
「GaNのコストは5年以内にSi並みに」　ロームの勝ち筋は
「窒化ガリウム（GaN）は、遅くとも5年以内にシリコン（Si）のコストに追い付くだろう」――。ロームは、GaNパワー半導体の大きな課題の1つとされるコスト面について、こうした見解を示す。民生向け中心からAIサーバや車載などへの展開が加速し、本格化してきたGaNパワー半導体市場。ロームは、GaNのさらなる普及に注力しながら、独自の強みを生かし市場での存在感を高めていく方針だ。（2025/8/5）

研究開発の最前線：
イオン注入によりr-GeO2半導体にn型導電性を付与することに成功
Patentixは、イオン注入により、r-GeO2に対してn型導電性を付与することに成功した。r-GeO2は、p型、n型の両方の導電制御を可能とする次世代パワー半導体材料だ。（2025/8/5）

創業140年を迎える：
「われわれのDNAは製造業」 半導体用材料開発を加速する田中貴金属
田中貴金属グループは2025年7月31日、創業140年を記念した記者説明会を開催した。同社の売上高の7割を占める産業事業では、半導体用材料の開発やカーボンニュートラル実現への取り組みを強化する。【訂正あり】（2025/8/4）

中国とのコスト競争にも自信：
車載SiCモジュール強化の三菱電機、独自モジュール「J3」の新製品投入へ
三菱電機が、車載SiCデバイスの技術開発を強化している。2024年に車載用パワー半導体モジュールの量産品として同社初のSiC MOSFET搭載品である「J3」シリーズを発表した同社は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、開発中の「J3シリーズ SiCリレーモジュール」を初公開した。（2025/7/30）

日本向けサポートが充実：
SiC／GaNにも　数秒で解析が完了するパワエレ向け国産回路シミュレーター
スマートエナジー研究所は「TECHNO-FRONTIER 2025」（2025年7月23〜25日、東京ビッグサイト）に出展し、パワーエレクトロニクス向けの高速回路シミュレーター「Scideam（サイディーム）」を紹介した。（2025/7/25）

複雑なパワー半導体の作製が容易に：
二酸化ゲルマニウム半導体技術が前進、イオン注入でn型導電性
Patentixは、次世代のパワー半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）結晶膜に対し、イオン注入法によりドナー不純物を添加することで、n型導電性を付与することに成功した。これにより、複雑な構造を有するパワー半導体デバイスの作製が容易になる。（2025/7/25）

上面放熱パッケージで性能を引き出す：
PR：使いやすいSiCの到来――放熱設計と高速駆動の課題に応えるCoolSiC G2×Q-DPAK
自動車の電動化や再生可能エネルギー産業の成長を背景に、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の活用が広がっている。かつては高価格／高性能な用途に限られていたが、現在ではウエハー生産量が増加して価格が手ごろになり、幅広い用途での採用が現実的になっている。ここで立ちはだかるのが信頼性や放熱設計、インダクタンス低減といった“使い勝手”の壁だ。インフィニオン テクノロジーズの「CoolSiC MOSFET G2」と表面実装／上面放熱に対応したパッケージ「Q-DPAK」は、こうした設計課題への現実的な解決策を提示する製品だ。（2025/7/28）

PCIM Expo&Conference 2025：
新JFETやSuper Junction品投入へ、InfineonのSiC戦略
Infineon Technologiesは高速かつ堅牢な電力供給システムに対する需要に対応するSiC JFETデバイスや、オン抵抗を従来比40％削減するトレンチベースのスーパージャンクション技術を採用したSiC MOSFETの開発など、SiCパワー半導体事業においてさらなる競争力の強化を図っている。（2025/7/23）

材料技術：
粒子の平均径が15nmの銅ナノフィラー発売　優れた分散安定性を6カ月以上
エレファンテックは銅粒子の平均径が15nmの「銅ナノフィラー」を発売した。（2025/7/22）

頭脳放談：
第302回 「一体何が？」花形だったはずのパワー半導体に悲報続出、EV市場と“中国”という誤算
浮き沈みの激しい日本半導体の中で、成長エンジンとして期待されていたパワー半導体分野に暗雲が立ち込めている。ルネサス エレクトロニクスが協業するパワー半導体向けのSiCウェハを製造するWolfspeedがChapter 11を申請してしまうなど、暗いニュースが続いている。TSMCもパワー半導体向けのGaNファウンドリ事業から撤退することを明らかにしている。パワー半導体についてのこうした残念なニュースの背景について解説する。（2025/7/18）

出荷額も四半期最高を更新：
生成AI向け好調のディスコ「第1四半期として過去最高を更新」
ディスコの2025年度第1四半期（4月〜6月）業績は、売上高が前年同期比8.6％増の899億円、営業利益は同3.3％増の344億円、純利益は同0.2％増の237億円で増収増益だった。EV需要が減退する一方、生成AI向けの装置需要が継続していることから高水準の出荷が継続。いずれも第1四半期としては過去最高を更新した。（2025/7/18）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
中国の台頭、ファウンドリー顧客開拓……JSファンダリに見る半導体業界の課題
JSファンダリの破産は単に1社の事業が傾いたというだけでなく、半導体業界全体の課題や傾向が表れているように思います。（2025/7/17）

SiC／GaNも活用：
AIサーバラックへの電力供給は1台当たり1MW超に　高効率化で備えるInfineon
AIの需要増加で、ネットワーク上のデータ量は急速に増加している。2010年から2025年の15年間で、データ量は145倍になる見込みだ。チップ性能の向上で、計算量も指数関数的に増加していて、シングルプロセッサの電力需要は3〜4カ月ごとに倍増している。これに伴い、AIデータセンターによる送電網への負担、コスト、堅牢性／信頼性が重要な課題となっている。これに対しInfineon Technologiesは、AIデータセンター向けの電力供給システムの開発を進めている。（2025/7/16）

「日本初の独立系ファウンドリー」：
パワー半導体受託生産のJSファンダリが破産申請、負債総額約161億円
アナログ／パワー半導体の受託生産を手掛けるJSファンダリが、東京地裁に破産を申請した。東京商工リサーチによると、負債総額は約161億円だ。（2025/7/14）

組み込み開発ニュース：
AIデータセンターは2029年にサーバ1台の電力が1MW超へ、システム構成はどうなる
インフィニオンテクノロジーズ ジャパンは、生成AIの登場により高性能化への要求が大幅に高まっているAIデータセンター向け電力供給システムの市場動向と同社の取り組みについて説明した。（2025/7/11）

ダイサイズを14％縮小：
ルネサス、Transphorm買収後初のGaN新製品を発売　AIデータセンター向け
ルネサス エレクトロニクスは、650V耐圧の窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の新製品を発表した。2024年6月にTransphormを買収して以来初めての新製品だ。（2025/7/11）

材料からモジュールまで垂直統合を実現：
PR：SiCパワーデバイスはもう難しくない　「使いやすさ」を追及するSTの最新テクノロジー
次世代パワーデバイスとして製品投入が進む炭化ケイ素（SiC）MOSFET。効率が高く、電力変換システムを大幅に小型化できるといったメリットはあるものの、従来のシリコンパワーデバイスに比べると、使い勝手の点では課題がある。SiCパワーデバイスを30年にわたり手掛けるSTマイクロエレクトロニクスは、サプライチェーンと設計の両面で、SiCパワーデバイスを使う設計者を支える。（2025/7/11）

レゾナックと東北大学が共同研究：
Si廃棄物とCO2からSiCパワー半導体材料を作製へ
レゾナックと東北大学大学院工学研究科、シリコン廃棄物（シリコンスラッジ）と二酸化炭素（CO2）を用いて、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体材料を作製するための研究を共同で行う。（2025/7/10）

モビリティメルマガ 編集後記：
ルネサスはSiCやめちゃうの？
中断するけどまだやめるとまでは言ってませんね。（2025/7/9）

研究開発の最前線：
シリコンスラッジをパワー半導体の原料に 活用に向けた本格検討スタート
レゾナックと東北大学は、シリコンウエハーの製造過程で発生する廃棄物であるシリコンスラッジと炭化ケイ素（SiC）粉末を、パワー半導体のSiC単結晶材料の成長用原料として応用するための基礎検討が完了し、活用に向けた本格検討を開始した。（2025/7/9）

電子ブックレット：
60周年！「electronica 2024」展示会レポート
「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、欧州最大規模のエレクトロニクス展示会「electronica 2024」のレポート記事をまとめた。（2025/7/3）

次世代パワー半導体材料として注目：
ルチル型二酸化ゲルマニウムのバルク結晶を合成
Patentixは、次世代のパワー半導体材料として注目されている「ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）」のバルク結晶を合成することに成功した。今後はこのバルク結晶を種結晶として用い、引き上げ法などによって大口径化や高品質化を図り、市場投入を目指す。（2025/7/2）

MOSFETでノーマリーオフ10A超の動作：
最大の壁、p層を克服！酸化ガリウムでFLOSFIAが達成した「世界初」
FLOSFIAが、「世界で初めて」（同社）酸化ガリウム（α-Ga2O3）MOSFETでノーマリーオフ特性を有する10A超の大電流動作を実現した。酸化ガリウムパワー半導体開発において、最大の課題とされてきた「p層」（導電型p型半導体層）の改良に成功した。（2025/7/2）

研究開発の最前線：
人工ダイヤモンド単結晶は極低温で軟化する
北海道大学らは、人工ダイヤモンドが極低温で軟化する現象を確認した。ダイヤモンド内に欠陥由来の量子状態が存在することを示唆するもので、量子センサーなど次世代技術への応用が期待される。（2025/6/30）

時価総額6倍は5年延長：
「やっぱりルネサスだと言われないと」 柴田CEOが原点回帰を強調
ルネサス エレクトロニクスは2025年6月26日に経営戦略説明会を実施。社長の柴田英利氏は、組み込みプロセッシングという同社のコアの強みを磨くべく「基本に立ち戻る」ことを強調した。（2025/6/27）

組み込み開発ニュース：
ルネサスが「意志ある踊り場」で研究開発に注力、成長目標達成時期は5年延期
ルネサス エレクトロニクスが同社の概況や事業方針などについて説明。市場環境の不確実性が高まる中で、成長目標の達成時期を2030年から2035年に延期するとともに、研究開発への注力による足場固めを優先する方針を表明した。（2025/6/27）

製造マネジメントニュース：
半導体後工程製造装置事業で売上高1000億円へ、ヤマ発は先端半導体に集中投資
ヤマハ発動機とヤマハロボティクスホールディングスは、2025年7月1日に設立するヤマハロボティクスにおける半導体後工程製造装置事業の中長期経営計画の概要を説明した。（2025/6/20）

高効率の電力供給システム開発へ：
ロームとNVIDIA、AIファクトリー実現に向け協業
ロームは、次世代AIデータセンターに向けた「800V電力供給アーキテクチャ」の開発で、NVIDIAと協業する。新たなデータセンターの設計に対しロームは、Si（シリコン）に加え、ワイドバンドギャップ半導体のSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）など、最先端のパワー半導体デバイスを提供していく。（2025/6/19）

運送や保管のコストを削減：
常温で半年保管できる　パワー半導体用銀ペースト接合材
ノリタケはLG化学と共同で、自動車向けパワー半導体用接合材を開発した。開発したのは半導体素子と銅板を接合する「銀ペースト」で、長期の常温保管が可能である。（2025/6/18）

Rochester Electronics, Ltd.提供Webキャスト：
PR：「ニセモノの半導体」リスクをどう回避する？　米国では使用による事故事例も
（2025/6/16）

大山聡の業界スコープ（89）：
半導体市場25年は予想以上に伸びるが26年はメモリが失速？ ―― WSTS春季予測考察
世界半導体市場統計（WSTS）は2025年6月3日、2025年および2026年の半導体市場予測を発表した。この予測を見ながら今後の半導体市場見通しについて考える。（2025/6/13）