「パワー半導体」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

モジュール組み立て工程に供給開始：
12インチウエハーを用いてSiパワー半導体チップを量産
三菱電機は、パワーデバイス製作所福山工場の12インチSiウエハー対応ラインで製造したパワー半導体チップの本格出荷を始めた。同社は「2025年度までにSiパワー半導体の前工程における生産能力を、2020年度に比べ約2倍とする」中期計画に取り組んでいる。（2024/10/2）

工場ニュース：
サイコックスが貼り合わせSiC基板の8インチ量産ラインを構築決定
サイコックスは、サイコックス大口工場（鹿児島県伊佐市）で、貼り合わせSiC基板「SiCkrest）」の8インチ量産ラインを構築することを決定した。（2024/10/2）

Axus Technologyが開発：
SiCを低コスト化できるか　米装置メーカーのCMP技術
米Axus Technologyが提供するCMP（化学機械研磨）装置は、SiCウエハーのコストを大幅に下げる可能性がある。（2024/10/1）

工場ニュース：
12インチSiウエハーを用いたパワー半導体チップをモジュール組立工程に供給開始
三菱電機はパワーデバイス製作所 福山工場で製造する12インチSiウエハーを用いたパワー半導体チップを、モジュール組み立て工程に向けて本格的に供給を始めた。（2024/10/1）

2024年見込みは470億ドル：
半導体材料市場、2029年に583億ドル規模へ
富士経済は、半導体材料について2029年までの世界市場を予測した。これによると、2024年見込みの470億米ドルに対し、2029年には583億米ドル規模に達する。新たなAI（人工知能）搭載機器の登場や、データセンター向けサーバの需要増加などにより、半導体材料市場は拡大が続く。（2024/10/1）

固有の劣化モードを評価：
SiCパワー半導体の劣化試験サービスを開始、OEG
OKIエンジニアリング（OEG）は2024年9月、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体固有の劣化モードを評価する「AC-BTI試験サービス」を始めた。SiCパワー半導体の開発やデバイス選択、応用製品の設計などを支援していく。（2024/9/30）

エントリーレベルのADAS向け：
ルネサス、車載用R-Car V4Mシリーズを提供開始
ルネサス エレクトロニクスは、エントリーレベルのADAS（先進運転支援システム）に向けた車載用R-CarファミリSoC「R-Car V4Mシリーズ」のサンプル出荷を始めた。上位モデルの「V4Hシリーズ」も製品群を拡充した。自動運転レベル1からレベル2対応のADASソリューション用途に向ける。（2024/9/27）

SMCが生産能力を大幅拡大：
中国でパワー半導体の新工場稼働　着工からわずか21カ月で
米国資本の半導体メーカーであるSMC Diode Solutions（SMC）は、中国 南京で2つ目のパワーディスクリート工場の稼働を開始した。総面積は2.8万平方メートルで、建設には30億人民元（約615億円）を投じた。高性能／高電圧整流器を製造する予定で、SMCの生産能力は大幅に増大していくとみられる。（2024/9/26）

材料技術：
レゾナックがソイテックとSiCパワー半導体向け貼り合わせ基板の共同開発契約締結
レゾナックは、先進的な半導体基板材料を製造するフランスのソイテックと、パワー半導体に使用される8インチの炭化ケイ素SiCエピウエハーの材料となる8インチSiC貼り合わせ基板の共同開発契約を締結した。（2024/9/26）

生産性向上に向け：
レゾナック、Soitecと8インチSiC貼り合わせ基板を共同開発へ
レゾナックは2024年9月24日、半導体基板材料を製造するフランスのSoitecと、パワー半導体に使用される8インチSiC（炭化ケイ素）エピタキシャルウエハーの材料となるSiC貼り合わせ基板に関する共同開発契約を締結したと発表した。（2024/9/26）

組み込み開発ニュース：
普及するSiCパワー半導体固有の劣化検査サービス開始、正しい省エネ性能を確保へ
OKIエンジニアリングは、SiCパワー半導体固有の劣化モードに対する評価サービスを開始する。JEITAやJEDECにおける規格に準拠した「AC-BTI試験サービス」を実施する。（2024/9/24）

材料技術：
先端半導体パッケージ向け仮固定フィルムと剥離プロセスを開発、「すす」が出ない
レゾナックは、半導体の前工程や後工程で、ウエハーなどをガラスなどのキャリアに一時的に固定するための仮固定フィルムとその剥離プロセスを開発した。（2024/9/20）

組み込み開発ニュース：
Siパワー半導体でSiCと同等レベルの低損失を実現、シャープのFCR回路技術
シャープは、技術展示イベント「SHARP Tech-Day'24」において、Siパワー半導体を用いて次世代に位置付けられるSiCパワー半導体と同等レベルの低損失を実現できるFCR回路技術に関する参考展示を行った。（2024/9/19）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
相次ぐ買収に特許紛争、一方で破産も……激動のGaNパワー半導体市場
競争は激化の一途をたどっています。（2024/9/17）

AI／半導体ソリューションの展望語る：
キーサイト新社長は開発部門生え抜きの寺澤氏　「日本の顧客支えたい」
キーサイト・テクノロジーの新社長に開発部門出身の寺澤紳司氏が就任した。開発部門出身者が同社の社長に就くのは初めて。就任記者会見ではAI（人工知能）戦略や半導体向けソリューションの展望を語った。（2024/9/17）

TI DLPC8445：
90％小型化した4K DLPディスプレイコントローラー
テキサス・インスツルメンツは、4K ULTRA HDプロジェクターに対応したディスプレイコントローラー「DLPC8445」を発表した。前世代製品と比べ、90％小型化した。（2024/9/17）

2025年3Qに完成予定：
レゾナック、山形にSiC基板とエピウエハー生産の新拠点設置へ
レゾナックは2024年9月13日、山形県東根市の山形工場にパワー半導体向けSiC（炭化ケイ素）ウエハーの生産建屋を新設すると発表した。2025年第3四半期の完成を予定している。（2024/9/13）

シリコン並みの低コスト化に向け：
「世界初」300mm GaNウエハー技術を開発、Infineon
Infineon Technologiesが、300mmのGaN（窒化ガリウム）ウエハー技術を開発した。300mmウエハーでのチップ製造は、200mmウエハーの場合と比べ、ウエハー1枚当たり2.3倍のチップが製造可能となり、効率が大幅に向上する。（2024/9/11）

パワー半導体デバイス向け基板で：
青色半導体レーザーで窒化アルミニウムと銅を接合
大阪大学は、DOWAホールディングスや島津製作所と共同で、パワー半導体デバイスに用いられる窒化アルミニウム基板に対し、青色半導体レーザーを用い、銅を直接接合する技術を開発した。接合に用いる材料と製造工数の削減が可能となる。（2024/9/12）

PCIM Europe 2024：
初の車載SiCモジュールで市場展開を加速、三菱電機
三菱電機は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、モールドタイプのxEV用インバーター用パワー半導体モジュール「J3」シリーズや、鉄道および直流送電などの大型産業機器向けのSBD内蔵SiC MOSFETモジュールなど、各分野向けに開発した新製品を紹介していた。（2024/9/11）

PCIM Europe 2024：
独自モールドタイプモジュールで車載SiCの主戦場へ挑むローム
ロームはドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」の初日に記者会見を行い、同社取締役常務執行役員パワーデバイス事業担当の伊野和英氏がSiCパワーデバイス新製品の概要や、事業の展望などを語った。（2024/9/10）

銀とシリコンの共晶合金を液体急冷：
ワイドバンドギャップ半導体向けの新たな接合材料
大阪大学はダイセルとの共同研究で、銀（Ag）とシリコン（Si）の共晶合金を液体急冷すると、非晶質SiやAg過飽和固溶体の準安定相が出現することを発見した。また、液体急冷Ag−Si合金を大気中で加熱すると、Ag過飽和固溶体に含まれるSiが酸化反応を起こし、副産物としてAgが析出されることも明らかにした。（2024/9/10）

PCIM Europe 2024：
低温で接合後に融点480℃に、田中貴金属独自のシート状接合材
田中貴金属グループの製造事業を展開する田中貴金属工業および田中電子工業は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」に出展。独自開発の低温で接合可能ながら高温耐熱性を持つ独自開発のシート状接合材である「AgSn TLPシート」などを展示していた。（2024/9/10）

工場ニュ―ス：
インフィニオンがSiCパワー半導体新工場の第1フェーズ開設、3000億円超投資
Infineon Technologies（インフィニオン）は、マレーシアのパワー半導体新工場の第1フェーズを正式に開設した。第1フェーズでは、高効率200mm SiCパワー半導体のほかGaNエピタキシーを製造し、900人の高付加価値雇用が創出される。（2024/9/4）

ローム BD28C55FJ-LB／54FJ-LB／57LFJ-LB／57HFJ-LB：
UVLO対応、PWM制御方式汎用AC-DCコントローラーIC
ロームは、PWM制御方式FET外付けタイプAC-DCコントローラーIC4種を発売した。低電圧誤動作防止機能を搭載し、Si-MOSFET、IGBT、SiC（炭化ケイ素） MOSFETまで幅広いパワートランジスタに対応する。（2024/9/2）

独り勝ちのNVIDIA、中国の対米規制：
2024年上半期の半導体業界を振り返る
本稿では、2024年上半期（1〜6月）の半導体業界をEE Times Japanの記事とともに振り返る。（2024/8/28）

かつての主要DRAMメーカー：
InfineonがQimondaの破産管財人と和解、7.5億ユーロ支払いへ
Infineon Technologiesは2024年8月22日、かつての子会社で2009年に破産したDRAMメーカーであるQimonda（キマンダ）の破産管財人との間で続いていた係争について、和解に合意したと発表した。Infineonが7億5350万ユーロを支払うという。（2024/8/26）

幅広いパワートランジスタに対応：
ローム、汎用AC-DCコントローラーICを4機種発売
ロームは、産業機器用電源などに向けたPWM制御方式FET外付けタイプの汎用AC-DCコントローラーIC4機種の販売を始めた。（2024/8/22）

「TECHNO-FRONTIER 2024」：
「STM32」で工場自動化、トータルソリューション提示
STマイクロエレクトロニクスは「TECHNO-FRONTIER 2024」に出展し、工場自動化に向けたFA（ファクトリーオートメーション）ソリューションや住宅向けエネルギーソリューションを紹介した。（2024/8/19）

クイズで学ぶ！　半導体業界：
【問題】再稼働したルネサス甲府工場で生産する製品は？
EE Times Japanの記事からクイズを出題！　半導体／エレクトロニクス業界の知識を楽しく増やしていきましょう。（2024/8/14）

200mm対応の大規模工場が完成：
InfineonがマレーシアのSiC新工場を開所　24年内に出荷へ
Infineon Technologiesは2024年8月8日（マレーシア時間）、マレーシア・クリムの200mm SiC（炭化ケイ素）ウエハー新工場のオープニングセレモニーを開催した。2024年内にもウエハー出荷を開始する予定だ。（2024/8/8）

スルーレート制御機能を搭載：
モーターの寿命を18年延長するゲートドライバーIC
Broadcom（ブロードコム）は、「TECHNO-FRONTIER 2024」（2024年7月24〜26日、東京ビッグサイト）に出展し、SiC（炭化ケイ素）／GaN（窒化ガリウム）に対応したゲートドライバーICや電流センサーの評価ボードなどを展示した。（2024/8/8）

3年で売上高を倍に：
Qorvoが日本市場に本腰　車載や防衛分野を狙う
Qorvo Japanは2024年7月31日、メディア向け事業説明会を実施した。Qorvo Japan ジャパンカントリーマネージャーを務める大久保喜司氏は、国内の事業戦略について「防衛分野や自動車分野に注力し、3年以内に売上高を倍にする」と語った。（2024/8/5）

先端半導体材料の増産、新規開発で：
積水化学工業が武蔵工場を増強、台湾にはR＆D拠点
積水化学工業は、先端半導体製造工程で用いられる高接着易剥離UVテープ「SELFA」について、国内で生産能力を増強する。また、半導体材料のR＆D拠点を台湾に新設することも決めた。これらに関連する投資総額は約50億円を予定している。（2024/7/31）

小さいゲート抵抗で発振抑制：
寄生発振抑制と高速スイッチングを両立、東芝のSiCモジュール
東芝デバイス＆ストレージ（以下、東芝D＆S）と東芝は、SiCｰMOSFETを搭載したパワーモジュールの寄生発振を抑制する独自技術を開発した。【修正あり】（2024/7/29）

工場ニュース：
積水化学が先端半導体向け材料の生産能力増強、台湾に評価／分析拠点も新設
積水化学工業は、武蔵工場（埼玉県蓮田市）における高接着易剥離UVテープ「SELFA」の生産能力増強および同製品を含む半導体関連材料の評価／分析が可能なR＆D拠点を台湾に新設することを決定した。（2024/7/26）

材料技術：
次世代パワー半導体向け高熱伝導シンタリング銀ペーストのサンプル出荷を開始
住友ベークライトは、次世代パワー半導体向け「高熱伝導シンタリング銀ペースト（150W/m・K）」のサンプル出荷を開始した。2024年12月の量産化を目指している。（2024/7/19）

AC/DC変換回路の実装面積を大幅に削減：
PR：「緻密なゲート駆動制御」はもう要らない　GaN内蔵のフライバックレギュレータ
米MPSは、GaN FETを内蔵したフライバックレギュレータの製品群を拡大している。次世代パワー半導体の材料として期待されるGaNだが、Si MOSFETに比べてGaN FETの扱いは格段に難しい。ゲート駆動がSi MOSFETのように容易ではなく、緻密な制御を要求されるからだ。その難しさを取り除き、GaNソリューションを採用しやすくするのがMPSのGaN FET内蔵フライバックレギュレータだ。（2024/7/8）

半導体やシステムの改善が不可欠：
AI普及の思わぬ弊害　データセンターの電力問題が深刻化
AI（人工知能）の発展が進む上で、データセンターの電力消費量に対する懸念が増している。次世代パワー半導体の積極的な採用や、より効率の良いデータセンターアーキテクチャの採用をはじめ、早急な対策が必要になる。（2024/7/4）

この10年で起こったこと、次の10年で起こること（84）：
最新ドローンを分解　半導体は「ほぼ中国製」
今回は、2024年に日本で発売されたドローン2機種を紹介する。すっかり身近になったドローンを分解すると、数多くの中国製半導体が使われていることが分かる。（2024/7/2）

福田昭のデバイス通信（464） ECTC現地レポート（2）：
ECTCのプレナリーセッションで新材料のスタートアップ3社を紹介
引き続き、「ECTC 2024」の現地レポートをお届けする。2024年5月30日のプレナリーセッションでは、半導体パッケージングのスタートアップ企業3社が講演を行った。今回は、この3社のプレゼン内容を紹介する。（2024/7/2）

JPCA Show 2024　太陽インキ製造：
パワー半導体の熱、逃がします　高熱伝導性の絶縁インキ
太陽インキ製造は、「JPCA Show 2024」（2024年6月12〜14日／東京ビッグサイト）に出展し、パワー半導体向け高放熱絶縁材料の製品群を展示した。これらは、電子回路技術及び産業の進歩発展に顕著な製品・技術を表彰する「JPCA賞」を受賞したものだ。（2024/7/1）

統合直後からシナジー全開！：
PR：アナデジ融合にチップレット活用――「ローム×ラピス」だからこそ生まれたユニークなマイコン
2024年4月に子会社のラピステクノロジーを吸収合併したロームは、両社の強みを併せ持つ製品の開発と展開を加速させている。ロームが「シナジーが最も大きいカテゴリーの一つ」として挙げるのがマイコンだ。アナログ制御とデジタル制御の“いいとこ取り”をした「アナログ・デジタル融合制御」電源用のマイコン、チップレットを活用したマイコン、IC上で機械学習と推論を実行できるマイコンなど、市場投入を控えたユニークな新製品がそろう。（2024/7/1）

PCIM Europe 2024：
ミネベアパワーデバイス、EV向けSiCパワーモジュール開発品を初公開
ミネベアパワーデバイス（旧：日立パワーデバイス）がドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、開発中の電気自動車（EV）向けSiCパワーモジュールを初公開した。同社独自の構造である「VC Fin-SiC」構造のSiC トレンチMOSFETを採用する予定で、量産に向けて開発を進めているという。（2024/6/27）

メカ設計ニュース：
インバーター試作機に関する情報を提供し、開発時の業務負荷を軽減
三菱電機は、大容量インバーターシステムで使用する「産業用LV100タイプIGBTモジュール」に関して、検証データ提供サービスを開始する。同データを活用することで、試作機を開発する際の業務負荷を軽減できる。（2024/6/27）

新製品15種も同時発表：
ルネサス、Transphorm買収完了でGaN市場に本格参入
ルネサス エレクトロニクスは2024年6月20日、Transphorm（トランスフォーム）の買収を完了したと発表した。同日、新しいGaN製品とルネサス エレクトロニクスの既存製品を組み合わせた新製品を15種類発表した。（2024/6/24）

複数年で最大20億米ドルを投資：
オンセミ、チェコに最先端のSiC製造施設を設置
オンセミ（onsemi）は、チェコに最先端のSiC（炭化ケイ素）製造施設を設けると発表した。垂直統合型の製造拠点で、複数年にわたり最大20億米ドル（440億チェココルナ）の投資を計画している。（2024/6/24）

欧米／中国企業が続々：
マレーシアに「半導体の時代」が到来か
マレーシアは1960年代後半からアセンブリ／テストといった半導体後工程を担い、より高付加価値な前工程の設計業務への移行を長年模索してきた。とうとう今その時が来ていると言えそうだ。欧米や中国の半導体企業の製造拠点が続けてマレーシアに進出している。（2024/6/21）

耐電圧3.3kV：
低電流領域のSBD内蔵SiC-MOSFETモジュール
三菱電機は、大容量SiCパワー半導体「SBD内蔵SiC-MOSFETモジュール」の新製品として、定格電流400Aの「FMF400DC-66BEW」と同200Aの「FMF200DC-66BE」を発売した。鉄道車両や直流送電などの大型産業機器向けで、耐電圧はいずれも3.3kVだ。（2024/6/20）

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版：
エッジAIが本格化、「embedded world」で見た最新トレンド ―― 電子版2024年6月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2024年6月号を発行しました。今号のEE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は、『「embedded world 2024」レポート： エッジAIが本格化、「欧州最大規模」の組み込み技術展示会で見た最新トレンド』です。（2024/6/17）