「パワー半導体」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

製造マネジメントニュース：
中国と欧州が伸びる三菱電機　過去最高並ぶ2027年3月期上期決算
三菱電機はオンラインで記者会見を開き、2027年3月期第2四半期の決算概要を説明した。データセンターや半導体関連などの旺盛な需要を背景に、売上高および各利益が上期として過去最高を更新したほか、通期の業績見通しも上方修正した。（2026/11/5）

2026年12月3〜4日／視聴無料：
パワーデバイスの最新動向やAIの電力課題を語る　「パワーエレクトロニクス イニシアチブ」開催！
EE Times Japan／EDN Japanは「パワーエレクトロニクス イニシアチブ」を2026年12月3〜4日にオンラインで開催いたします。基調講演4本をご紹介します。（2026/11/5）

開発担当者に聞く：
レゾナックはなぜ「今」300mm SiC基板を開発したのか
レゾナックは、300mmの炭化ケイ素（SiC）単結晶基板の開発に成功した。ただし、SiCパワー半導体では現在、150mmから200mmへの移行が進んでいる段階だ。なぜ、このタイミングで300mm品を開発したのか。開発の狙いや技術的な課題、今後の市場展望、海外メーカーとの競争について、同社の担当者に聞いた。（2026/11/4）

フィジカルAIセッション：
ルネサス／インフィニオンがスタートアップに求めるものとは
2026年10月21〜22日にかけて、スタートアップやイノベーション創出を支援するイベント「Japan Summit 2026」（Tokyo Innovation Base）が開催された。初日にはルネサス／インフィニオンによるセッション「Physical AIを支える半導体・エッジコンピューティングの現在地」が行われ、フィジカルAIに求められるものや、スタートアップへの要望などを語った。（2026/11/4）

開発期間を最大3分の1に：
Infineon、1200V SiCをPCBに埋め込み EV向け
Infineon Technologies（以下、Infineon）が、パワー半導体チップをプリント基板（PCB）内部に埋め込む技術「ENDOPACK」を発表した。同技術を採用した「ENDOPACK Cell」は、1200V耐圧のSiC MOSFETをPCB内部に直接埋め込んだもので、EVインバータ向けに提供する。搭載車両は2027年に量産を開始する予定だ。（2026/11/2）

ローム／東芝の統合は変化なし：
半導体／FA好調の三菱電機、26年度2Qは純利益92％増
三菱電機は2027年3月期第2四半期（2026年7〜9月）決算を発表した。売上高は1兆6284億円で前年同期比15％増、調整後営業利益（以下、営業利益）は2026億円で同83％増、純利益は1888億円で同92％増の増収増益だった。データセンター需要による半導体、FA好調のほか、防衛、空調などの強い需要があったという。（2026/11/2）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
「半導体屋」の本領発揮　Infineonが挑む量子チップ製造
「スケーリングは半導体のホームゲームだ」――。オーストリア・フィラッハにあるInfineon Technologies（以下、Infineon）の量子チップ開発拠点を取材した際、担当者が語った言葉です。（2026/11/2）

5分で分かる！ 今週のエレクトロニクス業界：
GaNの量産／高耐圧化が次の段階へ　300mm工場、900V品も
2026年10月24〜30日のエレクトロニクス業界の主な動きを、EE Times Japanの記事とともに振り返ります。（2026/10/31）

実装面積削減に寄与：
LDO搭載でゲート駆動電圧安定化、650V GaNパワーSiP
STマイクロエレクトロニクスは、650Vのエンハンスメント型窒化ガリウム（GaN）トランジスタとドライバー回路を集積したパワーSiP（System in Package）「MasterGaN7」シリーズを発表した。電源アダプターや充電器などの効率向上に貢献する。（2026/10/30）

27年末までに生産開始：
Infineon、「世界初」の300mm GaNパワー半導体量産施設を新設へ
Infineon Technologiesが、オーストリアのフィラッハ拠点に300mmウエハーを用いた窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の量産施設を設立すると発表した。同社によると、300mmウエハーを用いたGaNパワー半導体の量産施設は世界初。2034年までに約11億ユーロを投資し、2027年末までの生産開始を予定している。（2026/10/27）

AIデータセンター向けSSTに採用：
Infineonが「世界初」900V GaN双方向スイッチを開発
Infineon Technologiesが、「世界初」（同社）となる900V耐圧の窒化ガリウム（GaN）モノリシック双方向スイッチを開発した。米国Enphase Energyに供給し、同社が開発するAIデータセンター向け半導体変圧器（SST：Solid-State Transformer）に採用される予定だ。（2026/10/26）

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック：
DRAMとNANDの「二刀流」目指す？ 中国2大メモリメーカーの思惑とは
中国のDRAMメーカーCXMTと、NANDフラッシュメーカーYMTCの動きが活発になっている。昨今のIPO（新規株式公開）による多額の資金調達や、AIブームを受け、DRAMやNANDフラッシュの「専業」メーカーではなく、両方の市場に参入することを検討していると報じられている。メモリビジネスの性質を説明しつつ、両社の思惑を探ってみたい。（2026/10/20）

MONOist新着記事PickUp：
ヒューマノイド開発、中国の強さと課題／2026年度グッドデザイン大賞は？
2026年10月16日に公開されたMONOistの新着記事をピックアップしてお届けします。（2026/10/16）

コスト競争力に磨き：
InfineonがWolfspeedと契約拡大、8インチSiC調達強化
Infineon Technologies（以下、Infineon）が、8インチ（200mm）ウエハーでの炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の生産拡大に向け、基板の調達体制を強化する。同社は2026年10月15日（ドイツ時間）、Wolfspeedと8インチSiCウエハーに関する複数年の供給契約を締結したと発表した。（2026/10/16）

研究開発の最前線：
酸化ガリウムパワー半導体の6インチ基板上で成膜に成功、面内ばらつき約±3％
京大発スタートアップのFLOSFIAは、酸化ガリウムパワー半導体において、6インチサファイア基板上でのエピタキシャル成膜に成功した。（2026/10/16）

FAイベントレポート：
日本に本当に勝ち筋はあるのか　ヒューマノイド「解剖」で見る中国の強さと課題
中国では現在、ヒューマノイドロボットの開発や量産、社会実装に向けた動きが加速している。しかし、完成品の動向を追うだけでは、その競争力の源泉や本格普及に向けた課題までは見えてこない。SUGENAのセミナー「フィジカルAI解体新書」では、ヒューマノイドをAIや関節、センサー、手などに“解体”し、中国勢の強さと残された課題を解説した。本稿ではその内容を基に、日本企業が勝負できる領域を見ていく。（2026/10/16）

インド2社と提携：
ローム、半導体後工程の外部委託を拡大　製造戦略を変革
ロームは、半導体組立／テスト（OSAT：Outsourced Semiconductor Assembly and Test）企業への委託を拡大する。まずは既存製品の組立／検査を委託し、現地需要への対応から始める。（2026/10/15）

既存製造ライン活用に道筋：
FLOSFIAが6インチ基板で酸化ガリウムエピ成膜　8インチも視野
FLOSFIAが、6インチサファイア基板上への酸化ガリウム（α-Ga2O3）のエピタキシャル成膜に成功した。膜厚の面内ばらつきは約±3％で、初期実用化に向けた目標の±4％以下を達成した。2026年中に8インチサファイア基板上での成膜実証を進める計画だ。（2026/10/14）

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2026年10月号：
「PCIM 2026」で見たパワー半導体最前線――電子版2026年10月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2026年10月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『「PCIM 2026」で見たパワー半導体最前線』です。（2026/10/13）

格安雑貨店のガジェットを試す：
ダイソーで1100円の「GaN USB充電器」は折り畳みプラグで外出用に持ち歩きやすい　45W出力対応でPCでも使える
100円ショップなどの安価なガジェットを実際に試す連載。今回はダイソーで1100円で販売されている「GaN USB充電器」を試した。最大45W出力に対応している上、電圧と電流を動的に変更する「PPS」に対応する。折り畳み式プラグで、持ち運びやすいのもポイントだ。（2026/10/10）

「プレーナー」に回帰した理由は？：
ローム、第5世代SiCの狙いと車載モジュール改良の舞台裏
電気自動車（EV）市場の停滞で一時逆風を受けた炭化ケイ素（SiC）市場だが、ロームは次の成長を見据えて開発の手を緩めていない。（2026/10/9）

鉄道技術：
東京メトロ東西線の新車両は20〜30％省エネ、世界初の主回路システムで実現
東京地下鉄（東京メトロ）と三菱電機は、鉄道用「同期リラクタンスモータシステム：SynTRACS」と「超小型VVVFインバータ装置」を組み合わせた新たな主回路システムを、東京メトロの東西線05系車両に導入すると発表した。これらの組み合わせを鉄道の主回路システムに導入するのは世界初となる。（2026/10/8）

材料技術：
直径300mmの大口径SiC単結晶基板の開発に成功
レゾナックは、炭化ケイ素（SiC）で直径300mm（12インチ）のSiC単結晶の成長と基板加工に成功した。同社によると、開発が進むSiC基板としては、世界最大級の口径になるという。（2026/10/8）

全部ロームで完結：
「800V時代」のAIサーバ電源狙うローム　EV減速を補う成長市場に
AIサーバの急速な需要拡大を、パワー半導体の新たな成長機会として取り込む――。ロームが、AIサーバ向け電源市場への取り組みを加速している。（2026/10/7）

組み込み開発ニュース：
ルネサスが低耐圧GaNデバイス市場に参入、業界トップクラスの性能指数を実現
ルネサス エレクトロニクスは、同社初となる100V耐圧のEモードGaNパワートランジスタ製品群を発売した。AIデータセンターやヒューマノイドロボットなど向けに、超高速スイッチングと優れた放熱性能を実現する。（2026/10/7）

EPCとの協業生かし独自開発：
ルネサス初の低耐圧GaNパワー半導体、AIサーバやヒューマノイド狙う
ルネサス エレクトロニクスが、同社初となる低耐圧窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスとして、100V耐圧のエンハンスメントモード（Eモード）GaN FETを発表した。AIデータセンターの電源システムやヒューマノイドロボット、産業用モーターなどをターゲットとする。（2026/10/6）

PCIM Europe 2026：
「NVIDIAのチップ以外、全てそろう」ロボット市場攻めるST
STMicroelectronics（以下、ST）が、ヒューマノイドをはじめとするロボティクス市場への取り組みを強化している。「PCIM Europe 2026」（2026年6月9〜11日、ドイツ・ニュルンベルク）でもロボティクス市場向けの展示が目立った。（2026/10/6）

プラットフォーム「EPP」を発表：
ウエハーそのものが「パッケージ」に　onsemiのパワー半導体向け新技術
onsemiがパワー半導体向けの新アーキテクチャ「Embedeed Power Platform（EPP）」を発表した。12インチシリコンウエハーそのものをパッケージとして活用する技術で、電気／熱／機械特性の協調最適化を行えるため、設計期間を大幅に短縮できる可能性がある。（2026/10/2）

MONOist新着記事PickUp：
パナソニック最大の物流拠点／3時間超え会見でニデック新社長は何を語った？
2026年10月2日に公開されたMONOistの新着記事をピックアップしてお届けします。（2026/10/2）

材料技術：
住友金属鉱山がパワー半導体向け「ナノ銅粉」量産開始、新ブランドで展開
住友金属鉱山は、パワー半導体の接合材料などに用いられる「ナノ銅粉」の量産を青梅事業所で開始した。（2026/10/2）

組み込み開発ニュース：
AC-BTIの評価試験時間を最大75％短縮　OKIエンジが半導体試験サービスを強化
OKIエンジニアリングは、SiC（シリコンカーバイド）パワー半導体の固有劣化モードを評価する「AC-BTI（Alternating Current - Bias Temperature Instability）試験サービス」を2026年11月2日から強化すると発表した。同サービスで2027年度末までに累計売上高1億円を目指す。（2026/10/2）

小型関節でGaN採用拡大へ：
Infineonが狙う70の関節、ヒューマノイド1台「500ドル」の商機
ヒューマノイドロボットには最大70程度のモーター制御系が搭載され、半導体の部品表（BOM）の40〜50％をモーター制御関連が占める――。Infineon Technologiesは、ヒューマノイド1台当たりで同社が獲得可能な半導体市場を平均約500米ドルと試算。特にモーター制御では窒化ガリウム（GaN）の採用拡大を見込んでいる。（2026/10/1）

米国での製造プロセス確立目指す：
Navitasが1万V級SiC IGBT開発へ　米陸軍が選定
Navitas Semiconductorが、10kV（1万V）級の次世代炭化ケイ素（SiC）IGBTを開発する米陸軍の「ALATTIS」プログラムに選定された。同社は独自の「Trench-Assisted Planar（TAP）」構造を活用し、SiC MOSFETから超高耐圧のSiC IGBTへと技術領域を広げる。（2026/9/29）

最大2MHzで試験、時間を75％短縮：
SiC特有の「データシートに載らない劣化」を測定、OKI
OKIエンジニアリングは、SiC MOSFET特有の劣化モード「AC-BTI」を評価する試験サービスを強化する。カスタムメイドの新たな試験装置を導入し、評価可能なデバイスや試験条件を拡大したほか、試験時間を従来比最大75％短縮。欧州の車載向け信頼性試験規格「AQG 324」2025年版にも対応する。（2026/9/29）

第3世代SiC MOSFET搭載：
高サージ電流耐量の3300V SiC MOSFETモジュール
東芝デバイス＆ストレージは、同社の第3世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETチップを搭載した3300V／800AのデュアルSiC MOSFETモジュール「IX800FXF2YMS4」を発表した。SiCチップ設計の最適化により、I2t特性として300kA2sを実現している。（2026/9/29）

サンプル出荷を開始：
住友金属鉱山、「世界初」300mm貼り合わせSiC基板開発
住友金属鉱山が、300mmの貼り合わせ炭化ケイ素（SiC）基板の開発に成功し、半導体メーカーへのサンプル出荷を行った。同社によれば、貼り合わせSiC基板として300mmを実現したのは世界初という。（2026/9/25）

名大の山本教授が主導：
日本の技術力を結集！ Teslaより70％軽いインバーター
2026年9月9〜11日にかけて開催された「第5回 ネプコンジャパン 秋」（幕張メッセ）で、名古屋大学の山本真義教授が主導する産学連携プロジェクト「フェザーインバーター」の実機が世界初公開された。日本企業の技術力を結集し、Tesla「Cybertruck」用インバーターと同等の性能を有しつつ、70％の小型軽量化を実現している。（2026/9/25）

材料技術：
住友金属鉱山が12インチSiC基板を開発、サンプル出荷へ
住友金属鉱山は、12インチ（300mm）の貼り合わせSiC基板「SiCkrest」の開発に成功し、サンプル出荷を開始した。（2026/9/28）

『図解で深掘る　きちんとわかる　半導体』：
今押さえたい「半導体」の基礎知識　極小チップが“AI時代の戦略物資”になった、納得の理由
ニュースでよく聞く「半導体」。「GPUのことね」「AI時代に重要なんでしょ」という認識はあっても、その本質を理解できていますか？　半導体が重要視される理由を基礎から解説します。（2026/9/23）

5分で分かる！ 今週のエレクトロニクス業界：
SiCの開発と実装が進む 300mm化から次世代EV採用まで
2026年9月14〜18日のエレクトロニクス業界の主な動きを、EE Times Japanの記事とともに振り返ります。（2026/9/19）

第6世代「Neue Klasse」に：
ロームのSiCパワー半導体、BMWがEVに採用
ロームは2026年9月17日、BMWの次世代電気自動車（EV）コンセプト「Neue Klasse（ノイエ・クラッセ）」の電動パワートレインにおいて、ロームの炭化ケイ素（SiC）パワー半導体が採用されたと発表した。ロームは、車載インバーター向けを中心に、SiCパワー半導体の展開を強化している。（2026/9/17）

競争活発化、中国勢ら存在感：
レゾナックが300mm SiC単結晶基板を開発
レゾナックは2026年9月15日、直径300mmの炭化ケイ素（SiC）単結晶の成長と基板加工に成功したと発表した。SiC基板では6インチから8インチへの移行が本格化する中、既に中国や米国のメーカーらがその先の300mm品について、相次いで開発成果を示していた。（2026/9/16）

MONOist新着記事PickUp：
テスラのギガキャストに関する考え方を深掘り／AI時代における次世代半導体設計
2026年9月15日に公開されたMONOistの新着記事をピックアップしてお届けします。（2026/9/15）

材料技術：
パワー半導体の熱問題に解、高熱伝導と低熱膨張を両立させた複合放熱素材
アドバンスコンポジットは、熱伝導率580W/m・Kという高い放熱性能と、低い熱膨張率を両立したグラファイトアルミ複合素材「ACM-H6」を開発した。（2026/9/15）

ソーラーエッジと協業拡大：
インフィニオン、800VDC AIデータセンター用SSCB開発強化
インフィニオン テクノロジーズは、SolarEdge Technologies（以下、ソーラーエッジ）との協業を拡大する。AIデータセンターやハイパースケールデータセンターに向けた高電圧DC配電用ソリッドステートサーキットブレーカー（SSCB）の技術開発を加速させる。（2026/9/14）

人員4割増で事業基盤強化：
ASML、日本は「技術革新支える重要市場」　日本法人社長が方針
ASMLの日本法人であるASMLジャパンは2026年、設立25周年を迎えた。同社は、日本で先端半導体への投資が拡大する中、顧客に近接したサポート体制や人材基盤を強化する。現在約500人の従業員を2030年度に向けて約700人規模まで増やすほか、装置／材料メーカーや研究機関との連携、国内調達も深める方針だ。ASMLジャパン 代表取締役社長の藤原祥二郎氏が、日本事業の今後について語った。（2026/9/8）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
GaN市場でInfineonが5位から2位に急浮上　AIが変える勢力図
5位から2位へ――。GaNパワーデバイス市場でInfineon Technologiesが急速にシェアを伸ばしています。（2026/9/7）

材料技術：
住友化学、AIデータセンターを支える「InPエピウエハー」量産へ
住友化学は、AIデータセンターの省電力化やデータ処理の高速化に貢献する「InPエピウエハー」の量産体制を茨城工場で確立し、販売を開始した。（2026/9/1）

半導体世界市場「1兆ドル」目前に：
2026年上半期の半導体業界を振り返る
本稿では、2026年上半期の半導体業界を振り返る。（2026/8/31）

1週間を凝縮！ 今週の製造業ニュース：
キオクシア5兆円投資、日米中韓の半導体投資競争はどこへゆく
2026年8月24日〜28日に公開された記事の中から、MONOist編集部が厳選した今週のニュースをお届けします。（2026/8/29）