ロームのSiC搭載インバーター部品が量産開始、中国大手の新型EVに：650A、800V以上に対応（1/2 ページ）

ロームの第4世代炭化ケイ素（SiC） MOSFETベアチップを搭載した、ドイツ自動車部品大手Schaefflerの新型インバーターサブモジュールの量産が始まった。中国の大手自動車メーカーの新型電気自動車（EV）に搭載されるという。

[永山準，EE Times Japan]

最大許容バッテリー電圧800V以上、最大650AのRMS電流を実現

　ロームの第4世代炭化ケイ素（SiC） MOSFETベアチップを搭載した、ドイツ自動車部品大手Schaefflerの新型インバーターサブモジュールの量産が始まった。同製品は、中国の大手自動車メーカーの新型電気自動車（EV）に搭載される予定だ。2025年9月4日、ロームとSchaefflerが発表した。

　ロームは2020年からSchaeffler（もともとは同社と合併したVitesco Technologies）と「EV向けパワーエレクトロニクスにおける開発パートナーシップ」を締結し、共同でEVに最適なSiCパワーデバイスおよびSiC搭載インバーターを開発。2023年6月にもSiCパワーデバイスの長期供給契約を締結している。今回の発表もこのパートナーシップの一環だ。

量産を開始した高電圧インバーターブリック［クリックで拡大］出所：ローム

　量産を開始したのは、インバーターの中核コンポーネントであるサブモジュールだ。電気駆動を論理信号で制御するために必須のパワーデバイスの構成要素で、ここで生成される高周波電流パルスが車両の電動モーターを駆動させる。

　Schaefflerらは「量産を開始したインバーターブリックの性能特性は注目に値する」と強調。同製品では、最大許容バッテリー電圧を従来の800Vを大幅に上回る水準に引き上げ、最大650AのRMS電流を実現している。

コンパクトで高効率、「さまざまなインバーターへの統合が容易」

　同製品ではロームの第4世代SiC MOSFETベアチップを採用。「ロームのSiCパワー半導体によって、高電力密度のこのフレームマウント型サブモジュールは、コンパクトかつ高効率を実現。モジュラーかつスケーラブルな設計によって、さまざまなインバーターへの容易な統合が可能となった」としている。

　同製品にはパルス幅変調（PWM）用パワーモジュールの他、DCリンクコンデンサーやDCリンクおよび冷却器を統合。さらにDC昇圧機能も備えていて、「800Vアーキテクチャの車両も400V充電ステーションで、800Vの充電速度で充電可能だ」としている。

SiC MOSウエハー［クリックで拡大］出所：ローム

　Schaefflerのeモビリティ部門CEOであるThomas Stierle氏は「われわれは、個別のコンポーネントから高度に統合された電動アクスルに至るまで、eモビリティソリューションにスケーラビリティとモジュラー性を組み込むという戦略的アプローチによって、容易に統合可能なインバーターブリックを開発した。当社の汎用プラットフォーム開発をベースに、人気のX-in-1アーキテクチャに最適な今回の製品を、わずか1年で量産体制に導くことができた」とコメントしている。

Schaefflerのeモビリティ部門CEOであるThomas Stierle氏（左）とロームの取締役 常務執行役員 パワーデバイス事業担当の伊野和英氏出所：ローム

　ロームの取締役 常務執行役員 パワーデバイス事業担当の伊野和英氏は「当社の第4世代SiC MOSFETを搭載したSchaeffler製インバーターブリックの量産開始を歓迎する。当社のSiC技術はEVの効率と性能向上に大きく貢献している。Schaefflerとの協業を通じ、自動車産業における革新と持続可能性を推進していく」と述べている。