パワー半導体「技術革新の中心」Infineonフィラッハに訪問：電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記

インフィニオンは「全方位」で攻めていると実感しました。

[永山準，EE Times Japan]

　この記事は、2025年10月14日発行の「電子機器設計／組み込み開発 メールマガジン」に掲載されたEE Times Japan／EDN Japanの編集担当者による編集後記の転載です。

※この記事は、「電子機器設計／組み込み開発 メールマガジン」をお申し込みになると無料で閲覧できます。

パワー半導体「技術革新の中心」Infineonフィラッハに訪問

　「世界最薄」20μmの300mmシリコン（Si）ウエハー、「世界初」の300mm 窒化ガリウム（GaN）、そして「世界最高の競争力」と称する8インチ炭化ケイ素（SiC）ファブでの量産――。パワー半導体最大手のInfineon Technologies（以下、Infineon）は近年、パワー半導体の主要3技術でそれぞれ先駆的な発表をし、業界にインパクトを与えました。

　そして、これらの技術開発において重要な役割を果たしているのが、オーストリアのフィラッハ拠点です。Infineonは今回、メディアおよびアナリストを対象としたイベントを同拠点で実施。筆者も唯一の日本メディアとして参加してきました。