東芝D&S、中SICCとSiCパワー半導体用ウエハーで連携：品質向上、供給拡大に向けて基本合意

東芝デバイス＆ストレージは2025年8月22日、中国の炭化ケイ素（SiC）ウエハーメーカーSICCとSiCパワー半導体ウエハーに関するビジネス上の連携に向けた基本合意を発表した。SiCパワー半導体の特性向上や品質改善および、安定的なウエハーの供給拡大に向けた連携を実施する。

[杉山康介，EE Times Japan]

8月8日に実施された調印式の様子 出所：東芝デバイス＆ストレージ

　東芝デバイス＆ストレージ（以下、東芝D&S）は2025年8月22日、中国の炭化ケイ素（SiC）ウエハーメーカーであるSICCと、SiCパワー半導体ウエハーに関するビジネス上の連携に向けた基本合意を行ったと発表した。

　具体的にはSICCが開発、製造するSiCウエハーに関して、SiCパワー半導体の特性向上や品質改善および、安定的なウエハーの供給拡大に向けた連携を実施する。詳しい取り組みについては今後、両社で協議していくとする。

SiCデバイス開発の加速にはウエハー技術の改良も必要

　パワー半導体は電気機器の省エネルギー化やカーボンニュートラルの実現に不可欠なため今後も継続的な需要拡大が見込まれる。中でもSiCパワー半導体は電気自動車など高温環境下での動作が求められるため、電力効率に加えて信頼性や品質の安定性が課題になっている。

　そうした課題を解決するには、デバイス自体の改良に加え、SiCウエハー技術の改良も必要になる。東芝D&Sはリリースで「SiCウエハーの開発、量産技術においてグローバルなリーダーシップを有するSICCとの具体的な連携が実現した際には、各用途に最適なソリューションの提案が可能となり、事業拡大の加速が期待できる」と述べている。

　SICCも、今回の連携によりSiCパワー半導体における要求事項を把握することで、SICC製ウエハーの品質および信頼性の向上を目指すとする。

　なおSiC分野は現在、電気自動車市場の不振などから、低迷が続いている。直近ではWolfspeedが2025年6月、米連邦破産法第11章の適用を申請したと発表した。