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Resistance RAM

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ReRAM利用で高性能を実現:
Rain NeuromorphicsがアナログAIのデモチップをテープアウト
Rain Neuromorphicsが、脳型アナログアーキテクチャのデモチップをテープアウトした。ランダムに接続されたメモリスタの3Dアレイを用い、ニューラルネットワークトレーニング/推論などを超低消費電力で計算することが可能だという。(2021/11/24)

ET&IoT 2021:
消費電力10mW以下のエッジAIマイコン、ReRAM上のメモリコンピューティングで実現
ヌヴォトン・テクノロジージャパンは、「ET&IoT 2021」において、メモリコンピューティング技術を用いたエッジAI(人工知能)マイコンを披露した。ReRAM上でAIの推論処理を行うことにより、消費電力を約10mWに抑えるとともに、AI推論エンジンのコード量も約10分の1に圧縮できるという。(2021/11/18)

オンラインゲームを支える永続メモリ【後編】
レンサバ会社がゲーム用サーバに「Optane」を使う理由
オンラインゲーム用サーバを提供するGPORTALは、メインメモリの拡張のためにIntelの「Optane」を採用した。CPUやメモリ、Optaneの動作モードを使い分けることで各種オンラインゲームの要件を満たしているという。(2021/10/21)

オンラインゲームを支える永続メモリ【前編】
ゲームホスティング会社が「DRAM」ではなく「Optane」を迷わず採用した理由
人気オンラインゲームをホスティングするGPORTALは、Intelの永続メモリモジュール「Optane」を使い始めた。DRAMとほとんど変わらない使用感で、コスト削減とメモリの拡張を実現している。なぜOptaneを採用したのか。(2021/10/5)

Samsung、人の脳を半導体チップに“コピペ”する研究を発表
韓国Samsung Electronicsは、米ハーバード大学と共同で、人間の脳の構造を1つの半導体チップにコピー&ペーストする研究を行っていると発表した。(2021/9/27)

NORやSRAMを置き換える存在に:
次世代メモリ市場、2031年までに440億米ドル規模へ
米国の半導体市場調査会社であるObjective AnalysisとCoughlin Associatesは、共同執筆した年次レポートの中で「次世代メモリが、さらなる急成長を遂げようとしている」という見解を示した。次世代メモリ市場は2031年までに、440億米ドル規模に達する見込みだという。(2021/9/13)

新たな市場を切り開く:
CrossBar、ReRAMを用いた高信頼IoTセキュリティ実現へ
抵抗変化メモリ(ReRAM)を手掛けるCrossBarは、同社の技術をReRAMベースのPUF(物理的複製防止機能)キーとして、ハードウェアセキュリティアプリケーションで使用するために適用するという。(2021/8/30)

VLSIシンポジウム2021:
「VLSI Circuitsシンポジウム」の注目論文
2021年6月13〜19日に開催されるLSI関連の国際学会「VLSIシンポジウム2021」。「VLSI Circuitsシンポジウム」の注目論文を紹介する。これらの注目論文は、VLSIシンポジウム委員会が2021年4月に行った記者会見で紹介したものとなっている。(2021/6/8)

福田昭のストレージ通信(194) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(21):
米国のルネサスが販売している8MビットのSTT-MRAM
今回は、MRAMおよびSTTT-MRAMの開発ベンチャーであるAvalanche Technologyの製品事例を紹介する。(2021/4/23)

福田昭のストレージ通信(193) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(20):
次世代半導体メモリの開発ロードマップ
今回から、「次世代メモリ(Emerging Memory)」の講演部分を紹介する。(2021/4/20)

プレミアムコンテンツ:
Computer Weekly日本語版:NANDの後継はReRAM
特集はデータ保護手段としてのスナップショットのメリット/デメリット解説と生体認証の欠点と解決策。他にフラッシュメモリ後継技術の候補であるReRAMの解説と動向、量子コンピュータによる暗号解読リスク対抗策などの記事をお届けする。(2021/3/25)

AI時代のストレージを支える技術【後編】
Intel「Optane」は“ヘビーユーザー向け”止まり? 次世代ストレージの本命は
高速なデータ処理への需要を受け、拡大しつつあるのがIntelの「Optane」などを含む新興メモリ市場だ。メモリ分野は将来的にどう変わるのか。(2021/2/2)

福田昭のデバイス通信(297) Intelが語るオンチップの多層配線技術(18):
将来の先端半導体を担うモノリシックな3次元集積化技術
本シリーズの最終回となる今回は、シングルダイ(1枚のシリコンダイ)にモノリシックに成長させる3次元集積化技術について解説する。(2021/1/19)

イスラエルのWeebit Nano:
ReRAMを活用して自立型のAI学習性能を向上
次世代メモリ技術の開発を手掛けるイスラエルのWeebit Nanoは、シリコン酸化物(SiOx)抵抗変化メモリ(ReRAM)技術を活用した最新の研究成果を発表した。同社が開発した脳からヒントを得た人工知能(AI)システムは、学習タスクを監視せずに実行して、高精度な結果を提供することができるという。(2020/9/11)

「ストレージクラスメモリ」の可能性と市場動向【後編】
次世代メモリ「SCM」に挑むMicron、キオクシア、Samsung Optaneを追うのは?
主要メモリベンダー各社が「ストレージクラスメモリ」(SCM)の開発を進めており、ストレージアレイやサーバへの採用も進む。市場はどう動くのか。(2020/7/23)

「ストレージクラスメモリ」の可能性と市場動向【前編】
「ストレージクラスメモリ」(SCM)は何の役に立つのか? 実現可能な使い方
メインメモリとストレージの中間的な役割を果たす「ストレージクラスメモリ」(SCM)。メモリやストレージとどう違い、どう使えるのだろうか。(2020/7/14)

フラッシュメモリより1000倍高速
ReRAMはフラッシュメモリの後継の最有力候補となるか?
NAND型フラッシュメモリより1000倍高速で消費電力は1000分の1というReRAM。このReRAMを開発しているイスラエルのスタートアップ企業の取り組みを紹介する。(2020/6/22)

2次元配列の「配線問題」を解決:
多層ニューラルネットワークを1チップに多層構造で実装 東京大学生産技術研究所の小林正治氏らが3次元集積デバイスを開発
東京大学生産技術研究所の准教授を務める小林正治氏らは、IGZOトランジスタと抵抗変化型不揮発性メモリを3次元集積したデバイスの開発に成功した。ディープラーニングの多層ニューラルネットワークを1チップ上に多層構造で実装可能になる。(2020/6/18)

多層ニューラルネットを1チップに:
東京大、IGZOトランジスタとRRAMを3次元集積
東京大学生産技術研究所の小林正治准教授らは、膜厚が極めて薄い酸化物半導体「IGZO」を用いたトランジスタと、抵抗変化型不揮発性メモリ(RRAM)を3次元集積したデバイスを開発し、インメモリコンピューティングの機能実証に成功した。(2020/6/17)

湯之上隆のナノフォーカス(26):
3D NANDの最新動向、覇権争いの鍵となる技術は? バーチャル開催の「IMW2020」から
半導体メモリの国際学会「インターナショナル・メモリ・ワークショップ(IMW)2020」が5月17日〜20日の4日間、バーチャル方式で開催された。本稿では、チュートリアルの資料を基に、NAND型フラッシュメモリメーカー各社の現状とロードマップを紹介する。(2020/6/3)

「これからの40年」がテーマ:
「VLSIシンポジウム2020」は初のオンライン開催に
2020年6月15〜18日(以下、特に記載がない限り全てハワイ時間)に開催される半導体デバイス/回路技術に関する国際会議「VLSIシンポジウム 2020」。本来は米国・ハワイで開催される予定だったが、新型コロナウイルス感染症(COVID-19)の影響で、初のオンライン開催となる。VLSIシンポジウム委員会は2020年5月20日、記者説明会をオンラインで開催し、概要を説明した。(2020/5/22)

「ストレージクラスメモリ」総ざらい【中編】
「DRAM」と「MRAM」の決定的な違いとは?
メインメモリとストレージの在り方を変える可能性を秘める「ストレージクラスメモリ」。その主要技術「MRAM」とは何か。DRAMやNAND型フラッシュメモリと何が違うのか。(2020/3/12)

「ストレージクラスメモリ」総ざらい【前編】
「ストレージクラスメモリ」とは? 重要技術の「ReRAM」から理解する
DRAMとNAND型フラッシュメモリの中間的な性質を持つ「ストレージクラスメモリ」。メインメモリとしてもストレージとしても使えるストレージクラスメモリとは何者なのか。代表的な技術と製品を紹介する。(2020/3/4)

IoTセキュリティ:
IoTデバイスや産業機器向けの多機能セキュアIC、IEC62443への対応が容易
パナソニック インダストリアルソリューションズ社は、IoTデバイスや産業機器向けに、独自のセキュリティ機能を有する多機能セキュアICを開発した。2020年2月よりサンプル出荷を開始する。(2020/2/20)

パナソニック MN67S3C0シリーズ:
内部で認証鍵の生成と消去ができるセキュアIC
パナソニックは、多機能セキュアIC「MN67S3C0」シリーズを発表した。IC内部で固有認証鍵の生成と消去ができることから、IoTや産業用機器に追加実装するだけで、重要データを保護できる。(2020/2/17)

市場の急成長はまだ先でも:
AI技術の進化で注目が高まるReRAM
次世代不揮発メモリの一つである抵抗変化メモリ(ReRAM)は、その大部分がまだ研究開発の段階にあるが、AI(人工知能)技術の進化で、注目が高まっている。(2020/1/20)

電子機器設計/組み込み開発メルマガ 編集後記:
UniPhier、有機CMOS、ReRAM……売却されたパナソニック半導体のこれまで
EDN Japan/EE Times Japanの過去掲載記事で振り返ります。(2019/12/2)

コスト競争力をどう実現するのか:
次世代メモリのPCM、「Optane」以外の動向は?
PCM(相変化メモリ)は2019年の初めに、注目すべき3つの新しいメモリ技術の一つとして取り上げられた。その主な理由は、Intelが「3D XPoint」メモリ(PCMであることが明らかになっている)を「Optane」ブランドで本格的に展開し始めたからだろう。では、3D XPoint以外のPCMについてはどうだろうか。(2019/11/20)

AIやセキュリティの製品も:
もはや単なる“メモリベンダー”ではないMicron
Micron Technologyが2019年10月24日(米国時間)に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催した自社イベント「Micron Insight 2019」は、Micronが単なるメモリベンダーにはとどまらない、という決意が現れたものとなった。(2019/11/8)

EE Exclusive:
拡大基調が見え始めたMRAM、鍵はエコシステムと製造技術
MRAM(磁気抵抗メモリ)の採用が拡大基調に突入しようとしている。ただし、採用がすぐに進むかどうかは、製造技術の進歩と、ディスクリートおよび組み込みMRAMデバイスの技術をサポートするエコシステムの発展の両方にかかっている。(2019/9/30)

アプライド マテリアルズ:
次世代メモリの本格量産を可能にする新PVD装置
アプライド マテリアルズ ジャパンは、東京都内で記者説明会を行い、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化型メモリ)など新型メモリの量産を可能にするPVD(物理蒸着)装置について、その特長などを紹介した。(2019/9/19)

復権する「ストレージ階層化」【前編】
枯れたはずの「ストレージ階層化」がフラッシュメモリの進化でよみがえる
一時は廃れたかと考えられた「ストレージ階層化」だが、いま再び注目を集めている。その陰にあるのは、多様な進化を遂げるフラッシュメモリの存在だ。(2019/9/12)

FMS 2019:
3D NANDの進化が目立つ、市場は回復基調との見方も
2019年8月6〜8日(米国時間)にかけて、米国カリフォルニア州サンタクララで14回目となるメモリ技術関連のカンファレンス「Flash Memory Summit(FMS)」が開催されたが、そこではNAND型フラッシュメモリのベンダーとパートナー各社の積極的な姿勢が目立った。(2019/8/23)

福田昭のストレージ通信(157) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(16):
次世代メモリの長所と短所を一覧する
本シリーズの最終回となる今回は、次世代メモリの長所と短所をまとめる。既存のメモリ技術ではDRAM、NANDフラッシュが主流であり、少なくとも今後5年間はその地位が揺らぐことはないだろう。(2019/8/2)

富士通セミコンダクター:
容量8MビットのReRAMを製品化
富士通セミコンダクターは2019年7月30日、抵抗変化型メモリ(以下、ReRAM)として8Mビット容量品を2019年9月から販売すると発表した。同社では「ReRAMの量産製品としては世界最大容量」としている。(2019/7/30)

3年プロジェクトが発足:
エッジAI向け低電力チップ、EUが総力を挙げて開発へ
ベルギーの研究機関imecをはじめとする19の研究機関および企業が、EUの3年間プログラム「TEMPO(Technology & hardware for nEuromorphic coMPuting)」で、複数の新しいメモリ技術をベースとした低消費電力のエッジAIチップの開発を進めているという。(2019/7/11)

福田昭のストレージ通信(153) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(14):
次々世代の不揮発性メモリ技術「カーボンナノチューブメモリ(NRAM)」
次世代メモリの有力候補入りを目指す、カーボンナノチューブメモリ(NRAM:Nanotube RAM)について解説する。NRAMの記憶原理と、NRAMの基本技術を所有するNanteroの開発動向を紹介しよう。(2019/7/2)

福田昭のストレージ通信(152) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(13):
抵抗変化メモリ(ReRAM)の製品化動向と製造コスト見通し
抵抗変化メモリ(ReRAM)の製品化動向と製造コスト見通しを紹介する。特に、ReRAMの製品化で大きな役割を果たしているベンチャー企業各社を取り上げたい。(2019/6/24)

福田昭のストレージ通信(151) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(12):
クロスポイント化に期待がかかる抵抗変化メモリ(ReRAM)
今回は抵抗変化メモリ(ReRAM)を解説する。ReRAMの原理の他、記憶密度を向上させる手段について説明する。(2019/6/19)

福田昭のストレージ通信(149) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(10):
磁気抵抗メモリ(MRAM)の長所と短所
今回から磁気抵抗メモリ(MRAM)について解説する。まずはMRAMの構造と、長所、短所をそれぞれ説明しよう。(2019/6/11)

福田昭のストレージ通信(147) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(8):
一度消えたPCMが「3D XPointメモリ」で劇的にカムバック
今回は、相変化メモリ(PCM)が市場から一度消えた後に、「3D XPointメモリ」で劇的に復活したことをご説明しよう。(2019/6/3)

湯之上隆のナノフォーカス(13):
Neuromorphicがブレイクする予感 ―― メモリ国際学会と論文検索から見える動向
2018年、2019年のメモリの学会「International Memory Workshop」(IMW)に参加し、見えてきた新メモリの動向を紹介したい。(2019/5/30)

福田昭のストレージ通信(146) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(7):
次世代メモリ技術の最有力候補はPCMとMRAM、ReRAM
今回は、次世代メモリの立ち位置を再確認した上で、相変化メモリ(PCM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)という3つの最有力候補について解説する。(2019/5/22)

京都で2019年6月9〜14日開催:
VLSIシンポジウム 2019 開催概要を発表
2019年6月9〜14日に京都市で開催される半導体デバイス/回路技術に関する国際会議「VLSIシンポジウム」の開催概要に関する記者説明会が2019年4月17日、東京都内で開催された。(2019/4/19)

福田昭のストレージ通信(139) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(2):
NANDフラッシュメモリのスケーリング論
2018年8月に開催された「フラッシュメモリサミット」から、半導体メモリの技術動向に関する講演の内容を紹介するシリーズ。今回は、次世代メモリが期待される3つの理由のうち、スケーリング(微細化または高密度化)について解説する。(2019/3/25)

福田昭のストレージ通信(138) 半導体メモリ技術動向を総ざらい(1):
現行世代メモリと次世代メモリの違い
フラッシュメモリとその応用製品に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット(FMS:Flash Memory Summit)」。最近のFMS(2018年8月に開催)で公表された情報の1つに、半導体市場調査会社MKW Venture Consulting, LLCでアナリストを務めるMark Webb氏が「Annual Update on Emerging Memories」のタイトルで述べた、半導体メモリの技術動向に関する講演がある。その内容が興味深かったので、講演の概要をシリーズでお届けする。(2019/3/15)

次世代はビデオ向け:
新興企業Syntiant、オーディオ用AIチップを発表
新興企業Syntiantは、オーディオタスクに向けた低消費電力のニューラルネットワークアクセラレータ「NDP100」と「NDP101」を発表した。PIM(Processor In Memory)を適用したという。NDP100/同101は、200μW未満の低い消費電力でサウンドパターンを検出できるため、幅広い種類のデバイス上でスピーチインタフェースを実現することが可能だ。(2019/2/28)

ISSCC 2019:
Intel、22nm FinEFT適用MRAMの概要を発表
Intelは、22nm FinFETプロセス適用デバイスで採用する、組み込みSTT-MRAM(スピン注入磁化反転方式の磁気抵抗メモリ)向け技術について、詳細を明らかにした。(2019/2/22)

福田昭のストレージ通信(134) 半導体メモリの勢力図(5):
既存のメモリと次世代のメモリを比較する
今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化メモリ)といったエマージング・メモリ(次世代メモリ)の特徴を比較する。(2019/2/8)

メモリ関連の論文も豊富:
ISSCC 2019の目玉はAIと5Gに、CPUの話題は少ない?
2019年2月17〜21日に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催される半導体回路技術関連の国際学会「ISSCC 2019」は、発表内容のほとんどが、機械学習(マシンラーニング)や高速ネットワーク、メモリが主役となる“データ時代”に関するものとなりそうだ。(2018/11/26)


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