「RRAM」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

CEATEC 2024：
エッジでAIモデルのリアルタイム学習が可能に、TDKのスピンメモリスタ
TDKは、「CEATEC 2024」において、人の脳を模倣したニューロモルフィックデバイスを構成するメモリスタを独自のスピントロニクス技術で実現した「スピンメモリスタ」を披露した。（2024/10/21）

消費電力はGPU比で100分の1：
「電流を流すだけで積和演算」 TDKの超省電力AI用デバイス
TDKは、スピントロニクス技術を活用するニューロモーフィック素子として「スピンメモリスタ」を開発した。AIで多用される積和演算を、GPUに比べて100分の1の消費電力で実行できるという。フランスCEAと東北大学との協業により、2030年の量産技術の確立を目指す。TDKは、スピンメモリスタのデモを「CEATEC 2024」で公開する予定だ。（2024/10/3）

2025年1月から：
富士通セミコンダクターメモリソリューション、「RAMXEED」に社名変更へ
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、2025年1月1日付で「RAMXEED」に社名を変更すると発表した。（2024/8/21）

アモルファスアルミ酸化物ReRAM：
不揮発メモリ機能発現に重要な役割を果たす酸素空孔
日本原子力研究開発機構（JAEA）と物質・材料研究機構（NIMS）の研究グループは、次世代不揮発メモリ材料として注目されているアモルファスアルミ酸化物（AlOx）について、不揮発メモリ機能の発現と構造の関係性を明らかにした。（2024/7/11）

車載マイコンリーダーのインフィニオンが汎用マイコンでも躍進：
PR：AI、セキュリティ……インテリジェント化が進む次世代IoT向けの全く新しいマイコン「PSOC Edge」が誕生！
インフィニオン テクノロジーズは、本格的なAI搭載を実現するIoT機器向けの新マイコン「PSOC Edge」を発表した。「PSOC Edge」は、特定顧客へのサンプル出荷を開始している。（2024/6/20）

独自の「PCMO」プロセスを開発：
4DS Memoryが切り開くReRAMの競争　勝敗を分ける要素とは
オーストラリアのReRAMメーカーである4DS Memoryが開発ロードマップを公開した。同社は、プラセオジムを用いる独自のプロセスを持つ。IoT（モノのインターネット）アプリケーションなどでReRAMの採用が加速するとみる専門家もいる中、ReRAMメーカー各社にとっては、いかにコストを削減していくかが、勝敗を分けるカギとなる。（2024/6/4）

DRAMとの“距離”はまだ遠く：
「3D NANDの進化」に必要な要素とは
新興の不揮発性メモリと並行して、3D NAND型フラッシュメモリの開発も続いている。DRAMやSCM（ストレージクラスメモリ）との性能のギャップを少しでも埋めるためにどのような技術開発が進んでいるのだろうか。（2024/4/1）

研究開発の最前線：
二酸化バナジウムの薄膜における水素の拡散運動を原子レベルで解明
東北大学は、二酸化バナジウムの薄膜における水素の拡散運動を原子レベルで解明した。室温付近で電気抵抗が大きく変化する特性から、次世代半導体デバイス材料として注目されている。（2024/3/26）

高密度のReRAM開発につながる？：
次世代メモリ材料における水素の拡散運動を解明
東北大学らの研究グループは、素粒子「ミュオン」を用いて、二酸化バナジウム（VO2）における水素の拡散運動を解明したと発表した。研究成果は高密度の抵抗変化型メモリ（ReRAM）開発につながる可能性が高いとみられる。（2024/3/11）

インフィニオン PSoC Edge：
MLアクセラレーション機能搭載、エッジデバイス向けマイコン
インフィニオン テクノロジーズは、エッジデバイス向けのマイクロコントローラー「PSoC Edge」を発表した。高応答性コンピューティングや制御アプリケーション向けに設計され、MLアクセラレーション機能を搭載する。（2023/11/30）

チップからパッケージまで：
TSMCのロードマップをたどる
活発な投資が続くTSMC。本稿では、TSMCの半導体製造プロセスのロードマップをまとめる。（2023/11/1）

欧州の”半導体ルネサンス”を主導：
欧州に進出するTSMCの狙いと、半導体産業への影響
TSMCは2023年8月、ドイツ・ドレスデンに欧州初の半導体工場を設置する計画を正式に発表した。今回、TSMCへのインタビューなどを通じて、同社の狙いと世界半導体産業への影響を考察した。（2023/9/22）

車載ソフトウェア：
車載用ZCUプラットフォーム開発に向け協業
Continental Automotiveは、電気および電子アーキテクチャ用のモジュール式プラットフォーム開発のため、Infineon Technologiesと協業する。ZCUのプラットフォームに、Infineonの「AURIX TC4x」マイクロコントローラーを採用する。（2023/4/7）

FRAMとReRAMに高い注目度：
新たな局面を迎えつつある新興メモリ
新興メモリが、新たな局面を迎えている。しかし、これまでの数年間に、同分野の成長に貢献するような知名度の高い相変化メモリ（PCM）は現れていない。【訂正あり】（2022/12/27）

100％米国資本のファウンドリー：
TSMCに「相手にされない」企業を狙う、SkyWaterの戦略
米国のファウンドリーであるSkyWater Technology（以下、SkyWater）のCEO（最高経営責任者）を務めるThomas Sonderman氏は、数十億米ドル規模の重い設備投資を顧客に移行して、コストの大部分を担ってもらうという新しいタイプの半導体ファウンドリーを構築している。（2022/12/2）

次世代メモリの筆頭が消える【第2回】
Intelは「Optane」で“SSDの衝撃”の再来を狙っていた？
Intelは、「Optane」の製品群でメモリの“ある課題”を克服することを狙っていた。その意図は、NAND型フラッシュメモリを搭載するSSDの台頭を想起させるものだった。（2022/10/31）

Dell製サーバ「PowerEdge」に搭載予定：
ゼロトラストセキュリティを強化するNVIDIAのDPU
新型コロナウイルス感染症（COVID-19）のパンデミックはリモートワークの普及を促した。その結果、エンドポイントが指数関数的に急増し、作業負荷の分散化が進行。堅牢なセキュリティの必要性に光が当てられるようになった。NVIDIAの最新DPU「「BlueField-2」は、そうした分散型のコンピュータ環境が普及していることを示すものだ。（2022/9/27）

1βでは広島が大きな役割を果たす：
3D DRAMからCXLメモリまで、Micronの見解を聞く
2022年8月、米国の半導体支援の法案「CHIPS法（正式名称：CHIPS and Science Act）」の可決に伴い、400億米ドルを投じて米国での生産活動を拡張すると発表したMicron Technology（以下、Micron）。同年9月1日（米国時間）には、米国で20年ぶりにメモリ工場を建設する計画も発表した。EE Times Japanは、Micronのモバイルビジネス部門でシニアバイスプレジデント兼ゼネラルマネジャーを務めるRaj Talluri氏および、Micron本社に取材し、市場動向や新しいメモリ技術に対するMicronの見解について聞いた。（2022/9/7）

PCMの未来は：
Intelが撤退を公表、3D XPointはどんな遺産を残す？
Intelはこれまで数年間にわたり、NAND型フラッシュメモリとDRAMとの間のストレージ／メモリ階層を実現する技術として、3D XPointメモリの「Optane」を推進してきた。しかし2022年7月、同年第2四半期の業績発表の中で、そのOptane技術の開発を断念することについて、ひっそりと言及した。（2022/8/30）

7年の研究開発の末、製品化に向け前進：
Weebit Nano、ReRAM IPモジュ―ルのデモ初披露
イスラエルのWeebit Nanoは、ReRAM技術の商用化に向けて最も積極的に取り組んできた企業の1つだ。同社は7年間に及ぶ研究開発の末、今回ついに業界で初めてReRAM IPモジュールの公開デモを披露するに至った。（2022/7/6）

湯之上隆のナノフォーカス（51）：
「IMW2022」3D NANDの最前線 〜EUV適用から、液体窒素冷却の7ビット/セルまで
半導体メモリの国際学会「International Memory Workshop2022（以下IMW2022）」から、筆者が注目した2つの論文を紹介する。Micron Technologyとキオクシアの論文で、いずれも3D NAND型フラッシュメモリに関する発表である。（2022/6/15）

EE Exclusive：
AI技術が切り開く「インメモリコンピューティング」の可能性
人工知能（AI）とインメモリコンピューティングへの関心が著しく高まる中、ReRAM（抵抗変化型メモリ）は人間の脳を模倣する能力を解き放つ鍵になり得る。とはいえ、まだ課題は残っている。（2022/6/1）

富士通セミコン MB85AS12MT：
12Mビットの小型ReRAM
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、12MビットのReRAM「MB85AS12MT」を開発した。2×3mmと小型ながら、大容量、低消費電力のため、補聴器やスマートウォッチなどのウェアラブルデバイスに適する。（2022/4/4）

電子ブックレット（組み込み開発）：
判断した根拠を明示するAI／消費電力10mW以下のエッジAIマイコン
MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2021年10〜12月に公開した人工知能関係のニュースをまとめた「人工知能ニュースまとめ（2021年10〜12月）」をお送りする。（2022/2/24）

「ホログラフィックデータストレージ」の挫折と未来【後編】
HDDの陰に隠れた次世代「HDS」　挫折を振り払って実用化へ
過去に商用化の成功例がない「ホログラフィックデータストレージ」（HSD）の研究をMicrosoftが進めている。既存の商用ストレージにはないメリットをもたらす、革新的なストレージは誕生するのか。（2022/2/24）

「ホログラフィックデータストレージ」の挫折と未来【中編】
データを“立体保存”するストレージ「HDS」への期待　その新しい原理とは
ホログラフィックデータストレージ（HDS）は、一度書き込んだデータを変更できないWORMが基本だった。だがMicrosoftが手掛けるHDSは昔の研究とは方向性が異なる。何が変わったのか。（2022/2/17）

製品開発促進とスタッフ拡充に：
アナログAIチップのRain Neuromorphics、2500万ドル調達
本格的なアナログAI（人工知能）チップの開発に取り組む新興企業Rain Neuromorphicsは、シリーズAの投資ラウンドで2500万米ドルを調達した。この資金は製品開発の他、エンジニアならびにサポートスタッフを3倍にすることに投じられる予定だ。（2022/2/15）

「ホログラフィックデータストレージ」の挫折と未来【前編】
HDDとSSDの限界を超える「HDS」の大ブームは来るのか
光学ストレージの一種である「ホログラフィックデータストレージ」（HDS）。過去に失敗に終わった取り組みもあるが、この技術が死んだわけではない。HDSがこれから革新を起こす可能性を深掘りする。（2022/2/9）

イスラエルWeebitとCEA-Letiが開発中：
ReRAMによる「インメモリエネルギー」技術
次世代メモリ技術の開発を手掛けるイスラエルのWeebit Nanoとフランスの研究機関であるCEA-Letiは、抵抗変化型メモリ（ReRAM）技術の開発における進展を報告した。この中には、CEA-Letiが“最新の手法”と呼ぶ、印加電圧に応じて、ReRAMデバイスをメモリとしてだけでなくエネルギーストレージ素子としても動作可能にする技術も含まれている。（2022/2/3）

ReRAM利用で高性能を実現：
Rain NeuromorphicsがアナログAIのデモチップをテープアウト
Rain Neuromorphicsが、脳型アナログアーキテクチャのデモチップをテープアウトした。ランダムに接続されたメモリスタの3Dアレイを用い、ニューラルネットワークトレーニング／推論などを超低消費電力で計算することが可能だという。（2021/11/24）

ET＆IoT 2021：
消費電力10mW以下のエッジAIマイコン、ReRAM上のメモリコンピューティングで実現
ヌヴォトン・テクノロジージャパンは、「ET＆IoT 2021」において、メモリコンピューティング技術を用いたエッジAI（人工知能）マイコンを披露した。ReRAM上でAIの推論処理を行うことにより、消費電力を約10mWに抑えるとともに、AI推論エンジンのコード量も約10分の1に圧縮できるという。（2021/11/18）

オンラインゲームを支える永続メモリ【後編】
レンサバ会社がゲーム用サーバに「Optane」を使う理由
オンラインゲーム用サーバを提供するGPORTALは、メインメモリの拡張のためにIntelの「Optane」を採用した。CPUやメモリ、Optaneの動作モードを使い分けることで各種オンラインゲームの要件を満たしているという。（2021/10/21）

オンラインゲームを支える永続メモリ【前編】
ゲームホスティング会社が「DRAM」ではなく「Optane」を迷わず採用した理由
人気オンラインゲームをホスティングするGPORTALは、Intelの永続メモリモジュール「Optane」を使い始めた。DRAMとほとんど変わらない使用感で、コスト削減とメモリの拡張を実現している。なぜOptaneを採用したのか。（2021/10/5）

Samsung、人の脳を半導体チップに“コピペ”する研究を発表
韓国Samsung Electronicsは、米ハーバード大学と共同で、人間の脳の構造を1つの半導体チップにコピー＆ペーストする研究を行っていると発表した。（2021/9/27）

NORやSRAMを置き換える存在に：
次世代メモリ市場、2031年までに440億米ドル規模へ
米国の半導体市場調査会社であるObjective AnalysisとCoughlin Associatesは、共同執筆した年次レポートの中で「次世代メモリが、さらなる急成長を遂げようとしている」という見解を示した。次世代メモリ市場は2031年までに、440億米ドル規模に達する見込みだという。（2021/9/13）

新たな市場を切り開く：
CrossBar、ReRAMを用いた高信頼IoTセキュリティ実現へ
抵抗変化メモリ（ReRAM）を手掛けるCrossBarは、同社の技術をReRAMベースのPUF（物理的複製防止機能）キーとして、ハードウェアセキュリティアプリケーションで使用するために適用するという。（2021/8/30）

VLSIシンポジウム2021：
「VLSI Circuitsシンポジウム」の注目論文
2021年6月13〜19日に開催されるLSI関連の国際学会「VLSIシンポジウム2021」。「VLSI Circuitsシンポジウム」の注目論文を紹介する。これらの注目論文は、VLSIシンポジウム委員会が2021年4月に行った記者会見で紹介したものとなっている。（2021/6/8）

福田昭のストレージ通信（194） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（21）：
米国のルネサスが販売している8MビットのSTT-MRAM
今回は、MRAMおよびSTTT-MRAMの開発ベンチャーであるAvalanche Technologyの製品事例を紹介する。（2021/4/23）

福田昭のストレージ通信（193） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（20）：
次世代半導体メモリの開発ロードマップ
今回から、「次世代メモリ（Emerging Memory）」の講演部分を紹介する。（2021/4/20）

プレミアムコンテンツ：
Computer Weekly日本語版：NANDの後継はReRAM
特集はデータ保護手段としてのスナップショットのメリット／デメリット解説と生体認証の欠点と解決策。他にフラッシュメモリ後継技術の候補であるReRAMの解説と動向、量子コンピュータによる暗号解読リスク対抗策などの記事をお届けする。（2021/3/25）

AI時代のストレージを支える技術【後編】
Intel「Optane」は“ヘビーユーザー向け”止まり？　次世代ストレージの本命は
高速なデータ処理への需要を受け、拡大しつつあるのがIntelの「Optane」などを含む新興メモリ市場だ。メモリ分野は将来的にどう変わるのか。（2021/2/2）

福田昭のデバイス通信（297） Intelが語るオンチップの多層配線技術（18）：
将来の先端半導体を担うモノリシックな3次元集積化技術
本シリーズの最終回となる今回は、シングルダイ（1枚のシリコンダイ）にモノリシックに成長させる3次元集積化技術について解説する。（2021/1/19）

イスラエルのWeebit Nano：
ReRAMを活用して自立型のAI学習性能を向上
次世代メモリ技術の開発を手掛けるイスラエルのWeebit Nanoは、シリコン酸化物（SiOx）抵抗変化メモリ（ReRAM）技術を活用した最新の研究成果を発表した。同社が開発した脳からヒントを得た人工知能（AI）システムは、学習タスクを監視せずに実行して、高精度な結果を提供することができるという。（2020/9/11）

「ストレージクラスメモリ」の可能性と市場動向【後編】
次世代メモリ「SCM」に挑むMicron、キオクシア、Samsung　Optaneを追うのは？
主要メモリベンダー各社が「ストレージクラスメモリ」（SCM）の開発を進めており、ストレージアレイやサーバへの採用も進む。市場はどう動くのか。（2020/7/23）

「ストレージクラスメモリ」の可能性と市場動向【前編】
「ストレージクラスメモリ」（SCM）は何の役に立つのか？　実現可能な使い方
メインメモリとストレージの中間的な役割を果たす「ストレージクラスメモリ」（SCM）。メモリやストレージとどう違い、どう使えるのだろうか。（2020/7/14）

フラッシュメモリより1000倍高速
ReRAMはフラッシュメモリの後継の最有力候補となるか？
NAND型フラッシュメモリより1000倍高速で消費電力は1000分の1というReRAM。このReRAMを開発しているイスラエルのスタートアップ企業の取り組みを紹介する。（2020/6/22）

2次元配列の「配線問題」を解決：
多層ニューラルネットワークを1チップに多層構造で実装　東京大学生産技術研究所の小林正治氏らが3次元集積デバイスを開発
東京大学生産技術研究所の准教授を務める小林正治氏らは、IGZOトランジスタと抵抗変化型不揮発性メモリを3次元集積したデバイスの開発に成功した。ディープラーニングの多層ニューラルネットワークを1チップ上に多層構造で実装可能になる。（2020/6/18）

多層ニューラルネットを1チップに：
東京大、IGZOトランジスタとRRAMを3次元集積
東京大学生産技術研究所の小林正治准教授らは、膜厚が極めて薄い酸化物半導体「IGZO」を用いたトランジスタと、抵抗変化型不揮発性メモリ（RRAM）を3次元集積したデバイスを開発し、インメモリコンピューティングの機能実証に成功した。（2020/6/17）

湯之上隆のナノフォーカス（26）：
3D NANDの最新動向、覇権争いの鍵となる技術は？ バーチャル開催の「IMW2020」から
半導体メモリの国際学会「インターナショナル・メモリ・ワークショップ（IMW）2020」が5月17日〜20日の4日間、バーチャル方式で開催された。本稿では、チュートリアルの資料を基に、NAND型フラッシュメモリメーカー各社の現状とロードマップを紹介する。（2020/6/3）

「これからの40年」がテーマ：
「VLSIシンポジウム2020」は初のオンライン開催に
2020年6月15〜18日（以下、特に記載がない限り全てハワイ時間）に開催される半導体デバイス／回路技術に関する国際会議「VLSIシンポジウム 2020」。本来は米国・ハワイで開催される予定だったが、新型コロナウイルス感染症（COVID-19）の影響で、初のオンライン開催となる。VLSIシンポジウム委員会は2020年5月20日、記者説明会をオンラインで開催し、概要を説明した。（2020/5/22）