次世代半導体メモリの開発ロードマップ：福田昭のストレージ通信（193） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（20）（1/2 ページ）

今回から、「次世代メモリ（Emerging Memory）」の講演部分を紹介する。

[福田昭，EE Times Japan]

磁気メモリや相変化メモリ、抵抗変化メモリなどの動向を紹介

　フラッシュメモリとその応用に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット（FMS：Flash Memory Summit）」が2020年11月10日〜12日に開催された。FMSは2019年まで、毎年8月上旬あるいは8月中旬に米国カリフォルニア州サンタクララで実施されてきた。COVID-19（新型コロナウイルス感染症）の世界的な大流行（パンデミック）による影響で、2020年のFMS（FMS 2020）は開催時期が3カ月ほど延期されるとともに、バーチャルイベントとして開催された。

　FMSは数多くの講演と、展示会で構成される。その中で、フラッシュメモリを含めた不揮発性メモリとストレージの動向に関するセッション「C-9: Flash Technology Advances Lead to New Storage Capabilities」が興味深かった。このセッションは4件の講演があり、その中でアナリストによる3件の講演が特に参考になったので、講演の概要をご紹介する。

　なお講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。あらかじめご了承されたい。

　本シリーズの第10回から、技術調査会社TechInsightsでシニア技術フェローをつとめるJeodong Choe氏が「Technology Trend：NAND ＆ Emerging Memory（NANDフラッシュメモリと次世代メモリの技術動向）」と題して講演した内容を説明している。前回（第19回）までは、3D NANDフラッシュメモリ（以降は「3D NANDフラッシュ」と表記）の講演部分を紹介してきた。今回からは、「次世代メモリ（Emerging Memory）」の講演部分をご報告していく。

講演のアウトライン。3D NANDフラッシュの開発ロードマップと要素技術、次世代メモリと埋め込みメモリの開発ロードマップなどを解説する。出典：FMS 2020の講演「Technology Trend：NAND ＆ Emerging Memory」の配布資料（クリックで拡大）

　講演でふれた次世代半導体メモリは、以下の通りである。磁気抵抗メモリ（MRAM）、スピン注入型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM）、相変化メモリ（PCRAM）、クロスポイントメモリ（XPoint）、抵抗変化メモリ（ReRAM）、メムリスタ、強誘電体メモリ（FeRAM）、ナノチューブメモリ（NRAM）、キャッシュ用埋め込みDRAM（eDRAM）、埋め込みフラッシュメモリ（eFLASH）。始めはこれらのメモリに関する開発実績と将来予測のロードマップを提示した。上記のメモリの中でeDRAM以外は全て、不揮発性メモリである。

次世代半導体メモリの開発ロードマップ。2013年から2023年までのロードマップを提示した。ただし配布資料では、詳しい内容を隠している。出典：FMS 2020の講演「Technology Trend：NAND ＆ Emerging Memory」の配布資料（クリックで拡大）