22nmとRRAMを活用、パワー制御システム用RISC-Vマイコン：サンケン電気が開発

サンケン電気は、TSMCの22nm超低リーク（22ULL）プロセスとRRAM（抵抗性ランダムアクセスメモリ）技術を活用し、RISC-V CPUコア内蔵の「パワー制御システム向けMCU」を共同開発した。2025年第4四半期（10〜12月）より量産を始める。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

RISC-V CPUコアやDSPコア、EPUコアなどを集積

　サンケン電気は2025年2月、TSMCの22nm超低リーク（22ULL）プロセスと抵抗性ランダムアクセスメモリ（RRAM）技術を活用し、RISC-V CPUコア内蔵の「パワー制御システム向けMCU」を共同開発したと発表した。2025年第4四半期（10〜12月）より量産を始める。

　サンケン電気とTSMCはこれまで、MCU搭載のパワーエレクトロニクス制御デバイスの開発および量産に取り組んできた。開発したMCUは、異なるタイプのCPUコアを複数個搭載した製品。浮動小数点命令をサポートするRISC-V CPUコアや、独自の浮動小数点DSPコア、低遅延タスクの切り替えが可能な独自のEPU（Event Processing Unit）コアなどを集積している。これによって、さまざまなパワー制御アルゴリズムを高速に処理することが可能となった。

　また、高解像度のPWMタイマーや高速A-Dコンバーターといった周辺機能も搭載している。さらに、RRAM技術を採用したことで、アプリケーション層における不揮発データの管理を柔軟かつ容易に行うことができるという。

　サンケン電気の上級執行役員で技術開発本部長を務める福田光伸氏は、「TSMCの22ULLプロセスやRRAM技術および、優れた製造能力を活用することで、省電力かつ高性能、高機能なMCUを、最適化されたチップサイズで設計、製造することができる」とコメントした。