メディア

4DS Memoryが切り開くReRAMの競争　勝敗を分ける要素とは：独自の「PCMO」プロセスを開発（1/3 ページ）

オーストラリアのReRAMメーカーである4DS Memoryが開発ロードマップを公開した。同社は、プラセオジムを用いる独自のプロセスを持つ。IoT（モノのインターネット）アプリケーションなどでReRAMの採用が加速するとみる専門家もいる中、ReRAMメーカー各社にとっては、いかにコストを削減していくかが、勝敗を分けるカギとなる。

» 2024年06月04日 15時30分公開

[Gary Hilson，EE Times]

　オーストラリアに拠点を置く4DS Memory（以下、4DS）は、これまでの沈黙を破り、同社の抵抗変化メモリ（ReRAM）技術に関するロードマップを明らかにした。

　同社によると、PCMO（Praseodymium、Calcium、Manganese、Oxygen）をベースとしたインタフェーススイッチング機能は、他のフィラメント型ReRAM技術と比べて大きなメリットを提供し、AI（人工知能）やビッグデータ、ニューラルネットワークアプリケーション向けに適した高帯域幅／高耐久性の永続メモリを実現するという。

4DS Memoryが開発するメモリセルの構造［クリックで拡大］出所：4DS Memory

　4DSのCSO（最高戦略責任者）であるPeter Hime氏は、米EE Timesとのブリーフィングで、「4DSのReRAMは、永続ウィンドウ内でのリフレッシュが不要で、DRAMの動作ウィンドウ内でリフレッシュすることができる。このため、少ないエネルギーで高帯域幅／高耐久性を実現することが可能だ」と述べている。

　Hime氏は、「4DSのReRAMは、PCMOを使用することで、他のReRAMメーカーとの差別化を図っている。セルの界面特性をベースとしたスイッチングメカニズムであるため、界面領域全体がスイッチングに関与しているのだ。他のReRAMメーカーは、フィラメントワイヤを使用することでメモリセルのデータ保持時間を伸ばしているが、これは耐久性の観点からは欠点となる」と述べる。

　PCMO ReRAMでは、電場パルスによって酸素イオンがセルを出入りする。この酸素イオンが存在する場合にセルが導電することを「SET」と呼び、酸素イオンがなくなり電流が失われることを「RESET」と呼ぶ。