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「シリコン」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「シリコン」に関する情報が集まったページです。

福田昭のデバイス通信(311) imecが語る3nm以降のCMOS技術(14):
次々世代のトランジスタ「モノリシックCFET」の製造プロセス
今回から、2種類のCFETの製造プロセスを解説していく。始めは「モノリシックCFET」を取り上げる。(2021/7/21)

電動化:
手乗りサイズのGaNモジュールを富士通ゼネラル子会社が開発、EV補機向けにも展開
富士通ゼネラル傘下の富士通ゼネラルエレクトロニクスが米国トランスフォーム製のGaN-FETチップを採用した最大定格650V/40A級の小型GaNモジュールを開発。200Vクラスを上回る高耐圧で、ゲートドライブ回路を内蔵するとともに、パワーデバイスを4素子以上搭載するフルブリッジ構成のGaNモジュールは「業界初」(同社)だという。(2021/6/16)

富士経済が世界市場を調査:
パワー半導体、2030年に4兆471億円規模へ
パワー半導体市場は2020年の2兆8043億円に対し、2030年は4兆471億円規模に達する見通し――。富士経済が、SiC(炭化ケイ素)などの次世代パワー半導体とSi(シリコン)パワー半導体の世界市場を調査した。(2021/6/15)

VLSIシンポジウム2021:
「VLSI Technologyシンポジウム」の注目論文
今回は、VLSIシンポジウムを構成する「VLSI Technologyシンポジウム」の注目論文を紹介する。なお、これらの注目論文は、VLSIシンポジウム委員会が2021年4月に行った記者会見で紹介されたものだ。(2021/6/7)

研究開発の最前線:
フォノンの応用で遠赤外線センサーを進化、パナソニックのフォノニック結晶構造
パナソニックは、フォトン(photon、光子)ではなく、フォノン(phonon、音子)の応用となる「フォノニック結晶構造」をシリコンウエハー上で量産するための作成方法を開発した。このフォノニック結晶構造は、遠赤外線センサーの感度を約10倍向上できるという画期的な技術である。(2021/5/27)

「パワー半導体」高性能化・小型化の技術 電動車の航続距離アップに期待
関西学院大と豊田通商が、ハイブリッド車や電気自動車など電動車への需要拡大が見込まれる「パワー半導体」材料の炭化ケイ素基板の品質と生産性を高める技術を共同開発した。実用化できれば、電動車の航続距離アップが期待できる。(2021/3/12)

高品質で低コストの量産技術確立へ:
SiCウエハー製造技術、産学官が連携して共同研究
産業技術総合研究所(産総研)は、次世代パワー半導体用の高品質SiC(炭化ケイ素)ウエハーを低コストで製造するための技術開発に向けて、大型共同研究を始めた。ウエハーメーカーを含む民間企業17社や公的3機関と連携し開発に取り組む。(2021/3/11)

FAニュース:
SiCウエハーの欠陥を無害化するプロセスを開発、SiCデバイスのコスト低減へ
関西学院大学は、高効率のSiCデバイスの製造に必要なSiCウエハーの欠陥を無害化するプロセス技術「Dynamic AGE-ing」を豊田通商と共同開発し、6インチSiCウエハーでの性能検証を完了したと発表した。(2021/3/3)

THzトランジスタの商用化を可能に:
製造コストを削減できるグラフェン製造法を開発
東北大学は、グラフェンを用い低環境負荷で超高速のデバイスを製造する方法を開発した。テラヘルツ(THz)帯で動作する高品質のグラフェントランジスタを、これまでに比べ100分の1以下という安価な製造コストで実現できるという。(2021/2/8)

PR:AI開発×スパコンのSIer、HPCシステムズがAIシステム導入で産官学から支持されるワケ
(2021/1/26)

5Gや車載機器向け発振器に対応:
600Kでも安定動作するGaN系MEMS振動子を開発
物質・材料研究機構(NIMS)は、600K(約326℃)の高温でも安定して動作するGaN(窒化ガリウム)系MEMS振動子を開発した。5G(第5世代移動通信)や車載機器向けタイミングデバイスなどの用途に向ける。(2020/12/16)

安価で毒性のない元素で構成:
NIMSら、近赤外線向け直接遷移型半導体を発見
物質・材料研究機構(NIMS)は、東京工業大学と共同で、カルシウムやシリコン、酸素という安価で毒性元素を含まない、近赤外線向けの直接遷移型半導体を発見した。(2020/12/15)

200℃以下でSi層とGe層を積層:
日台が連携、2nm世代に向けた「hCFET」を開発
日本と台湾の国際共同研究グループは、2nm世代に向けた積層型Si/Ge異種チャネル相補型電界効果トランジスタ「hCFET」を開発した。(2020/12/10)

福田昭のデバイス通信(285) Intelが語るオンチップの多層配線技術(6):
銅配線の微細化限界を左右するダマシン技術
今回は、配線製造プロセスの基本部分である、配線パターンの形成技術「ダマシン(damascene)技術」と「サブトラクティブ(subtractive)技術」にについて解説する。(2020/11/25)

高速大容量通信の実現に向けて:
NTTら、帯域100GHz超の直接変調レーザーを開発
NTTは東京工業大学と共同で、炭化ケイ素(SiC)基板上に作製したインジウムリン(InP)系メンブレンレーザーを開発した。直接変調レーザーとして、3dB帯域は100GHzを超え、毎秒256Gビットの信号を2km伝送できることを確認した。(2020/10/23)

富士経済が新型コロナの影響を検証:
パワー半導体市場、2020年予測を一部下方修正
富士経済は、2020年のパワー半導体世界市場について、2020年2月に発表した予測を一部下方修正した。前回予想に比べSi(シリコン)パワー半導体は大幅に縮小、次世代パワー半導体は伸び率が鈍化する見通しとなった。(2020/10/22)

シリコン・ラボ Si54x、Si56xシリーズ:
低ジッタのI2Cプログラマブル水晶発振器
シリコン・ラボラトリーズは、低ジッタで任意周波数に対応する、水晶発振器および電圧制御水晶発振器「Si54x」「Si56x」Ultraシリーズを発表した。柔軟なクロック合成を必要とする、光モジュールやラインカードに適する。(2020/10/7)

従来装置に比べ生産性は約3倍に:
SiCパワー半導体用高温イオン注入装置、納入開始
日新イオン機器は、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体製造用高温イオン注入装置「IMPHEAT−II」の納入を始めた。従来装置に比べ、生産性が約3倍向上するという。(2020/10/6)

量子デバイスへの応用などに期待:
東北大とローム、GaN FET構造で量子ドットを観測
東北大学とロームの研究グループは、窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN FET)構造で、量子ドットが形成されることを観測した。半導体量子ビットや量子センサーへの応用、材料内のミクロな不純物評価などへの活用が期待される。(2020/9/28)

不断の研究開発が支える:
PR:電源業界の“不変の課題”、高電力密度をかなえる4つのイノベーション
電源において、常に最も重要な課題の一つとなっているのが電力密度だ。電力密度の向上は、電源サイズの縮小、部品点数の減少、システムコストの削減など、多くのメリットに直結している。Texas Insrtuments(TI)は、4つの主要分野において、電力密度の向上におけるイノベーションをけん引している。(2020/9/29)

福田昭のデバイス通信(261) 2019年度版実装技術ロードマップ(69):
小型化と薄型化、多機能化を後押しする部品内蔵基板
今回は、新世代のプリント配線板を代表する「機能集積基板」の概要を解説する。半導体チップや受動部品などを内蔵することで複数の機能を持たせた基板である。(2020/8/4)

Yole Developpement:
SiCはウエハー品質が課題、GaNは統合がトレンドに
パワーエレクトロニクスは、GaN(窒化ガリウム)とSiC(炭化ケイ素)の採用によって、興味深い道を歩んできた。フランスの市場調査会社であるYole Developpement(以下、Yole)は、これらのワイドバンドギャップ材料の概観を発表した。(2020/7/30)

大規模な量子コンピュータ実現へ:
強いスピン軌道相互作用と長いコヒーレンス時間を両立
東北大学は、シリコン中のホウ素原子に束縛された正孔で、極めて長いコヒーレンス時間を観測した。大規模な半導体量子コンピュータの開発につながる研究成果とみられている。(2020/7/28)

「どう見てもガラスやのにグニャって出来んの面白すぎるw」 Twitterで話題の“シリコングラス”が最高に不思議
脳が混乱するw(2020/7/24)

PCIM Europe digital days 2020、三菱電機:
再エネ、一般産業向け「LV100タイプ」IGBTモジュール
三菱電機は、オンライン開催となったパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe digital days 2020」(2020年7月7〜8日、ドイツ時間)に出展。新製品として、高い信頼性と拡張性を持つ一般産業用途向けのLV100モジュールを紹介した。耐圧1200V、1700Vをラインアップし、風力発電用コンバーターや太陽光発電セントラルインバーターなどの用途に向け、2020年中に製品化する予定だ。(2020/7/17)

次世代パワー半導体:
SiCは自動車、GaNはスマホが普及をけん引
パワーエレクトロニクスでは、GaN(窒化ガリウム)やSiC(炭化ケイ素)などのワイドバンドギャップ(WBG)デバイスの採用が進んでいる。シリコンは依然として市場を独占しているが、GaNやSiCデバイスの登場によって、技術はより効率的な新しいソリューションに向かうと予想される。(2020/6/17)

5G需要増で引き合い多く:
京セミが光半導体の製造能力強化、工場のIoT化も
京都セミコンダクターは2020年6月9日、札幌市で記者説明会を開催し、同社の概要や中期戦略計画などを紹介した。(2020/6/10)

京都セミコンダクター KPMC29:
高さ1.1mm、受光波長400〜1700nmの赤外線フォトダイオード
京都セミコンダクターは、光計測機器向けのKP-2 二波長フォトダイオード(KP-2 Two-tone PD)「KPMC29」を発表した。2種の受光素子を同一光軸上に配置することで、検出波長域を広げている。(2020/6/10)

富士経済が調査結果を発表:
パワー半導体市場、2030年に4兆円超の規模へ
富士経済は、世界のパワー半導体市場を調査し、2030年までの市場予測を発表した。これによると、2019年の2兆9141億円に対し、2030年は4兆2652億円に達すると予測した。(2020/6/8)

福田昭のデバイス通信(248):
2枚の半導体ダイを積層しながら、1.1mmと薄いフォトダイオードを実現
前回に続き、京都セミコンダクターが発表した赤外線フォトダイオード(PD)「KPMC29(KP-2 Two-tone PD)」について解説する。今回は、同製品の特長と構造を説明したい。(2020/6/5)

福田昭のデバイス通信(247):
京都セミコンダクター、高さがわずか1.1mmで波長範囲の広い赤外線フォトダイオードを製品化
京都セミコンダクターが、受光波長範囲が広く、高さが1.1mmと薄型の赤外線フォトダイオード(PD)を製品化した。同製品を、PDの解説と併せて紹介する。(2020/6/2)

WBGパワー半導体を使う:
SiCスイッチの特性と設計上の注意点
年々注目度が増すワイドバンドギャップ(WBG)半導体。その中で、現在最もシェアが高いのはSiC(炭化ケイ素)だ。SiCスイッチの特性と、同素子を使う際の設計上の注意点を説明する。(2020/5/27)

かつてない電力需要増に応える:
PR:IoT/AI時代の“立役者”、次世代パワーICはさらなる高電力密度化へ
IoTとAIの時代が到来し、さまざまな機器で膨大な量のデータが処理され、グローバルなレベルでデータが行き交うことから、増加する電力需要に応えられる拡張機能を備えたパワーエレクトロニクス製品が求められている。Texas Instruments(TI)は、こうした要件を満たす、高い電力密度や変換効率を実現した最新のGaN製品や降圧型DC/DCコンバータを展開している。(2020/5/27)

「これからの40年」がテーマ:
「VLSIシンポジウム2020」は初のオンライン開催に
2020年6月15〜18日(以下、特に記載がない限り全てハワイ時間)に開催される半導体デバイス/回路技術に関する国際会議「VLSIシンポジウム 2020」。本来は米国・ハワイで開催される予定だったが、新型コロナウイルス感染症(COVID-19)の影響で、初のオンライン開催となる。VLSIシンポジウム委員会は2020年5月20日、記者説明会をオンラインで開催し、概要を説明した。(2020/5/22)

福田昭のデバイス通信(241) 2019年度版実装技術ロードマップ(51):
代表的なMEMSセンサーとその応用(後編)
MEMSセンサーを前後編で紹介している。後編となる今回は、圧力センサーと傾斜センサーについて解説する。(2020/4/21)

日米の大学が研究成果を発表:
ダイヤモンド基板のGaN-HEMT、新接合技術で熱伝導が向上
米Georgia Institute of Technology(ジョージア工科大学)機械工学部が主導する開発チームが、室温での表面活性化接合(SAB)をベースとして、GaNと単結晶ダイヤモンドを別の中間層と接合するという成果を発表した。(2020/4/9)

スピン波ダイオードの開発に弾み:
Ni/Si複合材料でスピン波の非相反率を1200%に
慶應義塾大学は、ニッケルとシリコンの複合材料を用い、逆方向のスピン波(磁気の波)振幅を、順方向に比べ12分の1以下に低減できることを発見した。(2020/4/6)

Siの代替材料が期待される:
5Gの導入で変わる? RFチップの材料
「Mobile World Congress(MWC) 2020」の中止にもかかわらず、特に5G(第5世代移動通信) RFのフロントエンドモジュールでシリコン性能の限界に到達しつつあるエレクトロニクス企業の中で、5Gの追及は時間単位でより劇的に高まっている。(2020/3/6)

GaN半導体の普及促進を加速:
STとTSMC、GaN半導体の開発と製品化で協力
STマイクロエレクトロニクスとTSMCは、GaN(窒化ガリウム)を用いたパワー半導体製品の安定供給に向けて協力していく。(2020/3/3)

二次電池の高容量化を可能に:
東京大学、加圧電解プレドープ技術を開発
東京大学大学院理学系研究科の西原寛教授らは、二次電池の高容量化を可能にする加圧電解プレドープ技術を開発した。二次電池の容量が20%も増加し、繰り返し行う充放電に伴う容量低下も抑えられる。(2020/2/26)

LLC共振コンバーターを20%も小型化:
PR:GaNモジュールで実現した1kW高効率スイッチング電源を徹底検証
小型で高効率の次世代電源を容易に開発したい――。こうした電源設計者の願いをかなえることができるGaN(窒化ガリウム)パワーモジュールが登場した。ハーフブリッジ回路をモジュール化することで、高密度実装と優れた放熱特性を両立させた。このGaNパワーモジュールを応用して、スイッチング周波数が1MHzで出力電力1kWの高効率スイッチング電源を作製し、その実力を徹底検証した。(2020/1/14)

「GaNFast」はノートPCにも:
本格的に立ち上がり始めた、GaN採用の充電器市場
GaNパワーデバイスの市場が本格的に立ち上がっている。最初の重要なアプリケーションとなりそうなのが、バッテリーチャージャーだ。(2019/12/23)

産業用画像技術:
分解能1nmで膜厚を測定できる、キヤノンITSがハイパースペクトル画像事業に注力
キヤノンITソリューションズ(キヤノンITS)は、ハイパースペクトル画像処理ソフトウェアを手掛けるドイツのLuxFluxと販売代理店契約を締結したと発表した。2019年12月上旬から同社製品の国内販売を始める。販売開始から3年後となる2022年の売上高目標は1億円。(2019/12/9)

Nexperia GAN063-650WSA:
650Vの高電圧高効率GaN FET
Nexperiaは、650Vの高電圧高効率GaN FET「GAN063-650WSA」を発表した。量産に対応する高い拡張性を備え、堅牢で、低オン抵抗および高速スイッチング特性を有する。(2019/12/9)

ゲートドライバとの組み合わせで:
TIのGaNパワー半導体ビジネスの狙いと勝算
Texas Instruments(TI)はパワー半導体市場でどのような戦略を立て、競合に対抗していくのか。同社ハイボルテージ・パワー部門バイスプレジデント兼ジェネラル・マネージャを務めるSteve Lambouses氏にインタビューした。(2019/12/6)

福田昭のデバイス通信(214) 2019年度版実装技術ロードマップ(25):
1個のパッケージでシステムを実現するSiP
今回は、SiP(System in Package)を実現する幾つかの手法のうち、2.X次元(2.XD)の実装技術を解説する。ここでカギとなるのは、インタポーザだ。(2019/12/4)

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン IPC事業本部長 針田靖久氏:
逆風でも堅調、カスタマイズ強化し日本で急成長続ける
省エネ化/低炭素社会のキーデバイスとして、近年注目を集めるパワー半導体。次世代素材の開発など競争が激化する中、主要メーカーはいかに戦っていくのか。今回は、パワー半導体を主力とし世界トップクラスのシェアを誇る独Infineon Technologiesの日本法人インフィニオン テクノロジーズ ジャパンにおいて産業機器分野などを中心に事業を統括するインダストリアルパワーコントロール(IPC)事業本部の本部長、針田靖久氏に話を聞いた。(2019/11/12)

国内販売代理店契約を締結:
協栄産業、FLOSFIA製GaOパワーデバイスを販売
協栄産業は、京都大学発のベンチャー企業であるFLOSFIAが開発したコランダム構造の酸化ガリウムを用いたパワー半導体「GaOパワーデバイス」の販売を始める。(2019/10/21)

太陽光:
京セラが軽量で曲がる太陽電池、結晶Siの採用で発電効率と耐久性も両立
京セラは「CEATEC 2019」で開発中の曲げられる太陽電池モジュールを参考出展。一般的に利用されている結晶シリコン太陽電池を採用し、湾曲可能かつ軽量という特性と、発電効率や耐久性の両立を可能にしているのが特徴だという。(2019/10/17)

堅調な成長が予測される:
SiCの競争が激化、ウエハー供給不足は解消に向かう?
SiCパワー半導体には、引き続き高い関心が寄せられている。SiCウエハーの供給不足を懸念する声がある一方で、解消に向かっているとの見方もある。(2019/10/4)


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