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「シリコン」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「シリコン」に関する情報が集まったページです。

オンセミ EliteSiC PIM:
EV/ESS向けの双方向充電可能なSiCパワー統合モジュール
オンセミは、EV向けDC高速充電器とESS向けの双方向充電機能を有する、9種の「EliteSiCパワー統合モジュール(PIM)」を発表した。従来のSi(シリコン) IGBT製品に比べてサイズを最大40%、重量を最大52%低減できる。(2024/2/7)

ネプコンジャパン2024で展示:
xEV用インバーター向けSiCパワー半導体モジュール、三菱電機
三菱電機は、「第1回 パワーデバイス&モジュール EXPO」(2024年1月24〜26日/東京ビッグサイト)に出展し、xEV(電動車)用インバーターの小型化を可能にするSiC/Siパワー半導体モジュール「J3シリーズ」を展示した。(2024/2/2)

ネプコンジャパン2024:
三菱電機がxEV用パワー半導体モジュールの新製品、SiC-MOSFET前提に設計刷新
三菱電機がEVやPHEVなどxEVのモーター駆動に用いるパワー半導体モジュールの新製品「J3シリーズ」について説明。同社の車載パワー半導体モジュールの量産品として初めてSiC-MOSFETを搭載しており、従来品と比べてモジュールサイズを60%削減するなどモーターを駆動するインバーターの小型化に大きく貢献できる。(2024/1/25)

頭脳放談:
第284回 社会を支えるパワー半導体メーカーの再編にルネサスが参入? で、パワー半導体って何
ルネサス エレクトロニクスがGaN(窒化ガリウム)技術を持つTransphorm(米国)の買収を発表した。これによりパワー半導体のポートフォリオを拡充するという。そもそもGaN技術やパワー半導体とはどういったものなのだろうか? 筆者が最新の動向を解説する。(2024/1/22)

製造マネジメントニュース:
2025年の有機トランジスタ世界市場は1800億円に、2045年には10.9倍に成長
矢野経済研究所は、次世代有機デバイスの世界市場を調査し、有機トランジスタにおける世界市場規模の予想を発表した。2025年の同市場は1800億円に拡大し、2045年には2025年対比で10.9倍となる1兆9690億円の成長を見込む。(2024/1/17)

研究開発の最前線:
AlN系UWBG半導体材料で、理想的な特性を持つpn接合の作製に成功
旭化成は、窒化アルミニウム系材料を用いた半導体デバイスにおいて、理想的な特性を持つpn接合の作製に成功した。絶縁破壊電界強度は7.3MV/cmで、高電圧に対する耐性を有する。(2024/1/11)

シャント抵抗不要で高効率化と小型化を両立:
PR:「重くて大きい」電源アダプターのサイズが半分に 電流検知機能を統合した新しいGaN FETで実現
ノートPCなどの電源アダプターは「大きくて重いもの」。そんな“常識”が変わるかもしれない。Texas Instruments(TI)が発表した新しいGaN FETは、電流センシング機能を統合したことでAC/DC電力変換システムの高効率化と小型化を両立させられる製品だ。標準的な67W電源アダプターであれば、Si FETを用いた従来品よりも50%小型化できる。電源アダプターやUSB電源の大幅な小型化に大いに貢献するはずだ。(2024/1/11)

福田昭のデバイス通信(438) 2022年度版実装技術ロードマップ(62):
車載パワーデバイスの出力密度向上手法
今回は、第3章第3節第4項「車載パワーデバイス」から、「パワーデバイスの発展」を解説する。(2024/1/9)

可視光とSWIRを1台で撮像:
ウエハーの透過検査デモ実演、ソニーが532万画素SWIRイメージセンサーを初展示
ソニーセミコンダクタソリューションズは「SEMICON Japan 2023」にて、有効約532万画素の産業向けSWIR(短波長赤外)イメージセンサー「IMX992」を展示した。IMX992は2023年11月に発表した新製品で、現物の展示は初。(2023/12/28)

分布型分極ドーピング手法で形成:
名古屋大ら、AlN系材料で良好なpn接合を作製
名古屋大学と旭化成による研究グループは、窒化アルミニウム(AlN)系材料を用い、極めて良好な特性を示すpn接合を作製した。次世代の高周波デバイスやパワーデバイスに向けて、AlN系材料の応用が期待される。(2023/12/28)

材料技術:
ノベルクリスタルテクノロジーが6インチβ型酸化ガリウム単結晶の作製に成功
ノベルクリスタルテクノロジーは、垂直ブリッジマン(VB)法で6インチβ型酸化ガリウム(β-Ga2O3)単結晶の作製に世界で初めて成功したと発表した。(2023/12/27)

研究開発の最前線:
1000兆分の1アンペアレベルの微小電流標準の確立へ、産総研とNTTが前進
産総研とNTTは、シリコン量子ドットを用いて電子を1粒ずつ精密に制御して大きさの決まったpA単位の微小電流を発生させることに成功したと発表した。fA(1fAは1000兆分の1A)までを含めた、nA以下の微小な電流を正確に発生、測定するための“微小電流標準”の開発につながる成果となる。(2023/12/21)

組み込み開発ニュース:
産業機器向けの有効約532万画素短波長赤外イメージセンサー
ソニーセミコンダクタソリューションズは、産業機器向けに有効約532万画素のSWIRイメージセンサー「IMX992」と、有効約321万画素の「IMX993」を商品化した。0.4〜1.7μmまでの波長帯域で高精細な撮像が可能になる。(2023/12/19)

暗所でも低ノイズの撮像を実現:
「業界最多」532万画素の産業向けSWIRイメージセンサー、ソニー
ソニーセミコンダクタソリューションズが、「業界最多」(同社)の有効約532万画素の産業向けSWIR(短波長赤外)イメージセンサーを開発した。可視光からSWIRまで、1つのセンサーで撮像が可能。また、新たに搭載した撮影モードによって、低照度環境でもノイズを従来比で大幅に抑えている。サンプル出荷は2024年2月を予定している。(2023/11/29)

福田昭のデバイス通信(431) 2022年度版実装技術ロードマップ(55):
パワーデバイスの温度上昇が接合と放熱構造の変革を促す
今回は、「パワーデバイスにおける接合材料の現状と課題」の概要を紹介する。(2023/11/21)

電動化:
電動化1.7兆円、ADAS1兆円へ、ソフトと半導体を強化するデンソー
デンソーは新体制での経営方針や技術戦略について発表した。2030年度に売上高7.5兆円を目標とする。このうち、電動化で1.7兆円、ADASで1兆円の売り上げを目指す。(2023/11/16)

ダイシングに比べて切るスピードが最大100倍に:
PR:SiCウエハー切断に革新をもたらす新工法 「ガラス加工の常識」で半導体市場に挑む
次世代パワーデバイスの材料として開発が進むSiC(炭化ケイ素)。半導体としての特性は優れるものの、非常に硬く、SiCウエハーからダイを切り出すダイシングの工程にかなりの時間がかかるのが難点だ。半導体産業に近年参入した三星ダイヤモンド工業は、従来のダイシングとは全く異なる切断工法「スクライブ&ブレーク」を提案する。ガラスや液晶パネルの切断加工を長年手掛けて「切る技術」を磨いてきた同社の工法によって、SiCウエハーの切断スピードを最大で従来の100倍に高速化できるという。(2023/11/16)

MBE法を用い高密度で高均一に:
シリコン基板上にInAs量子ナノワイヤーを作製
電気通信大学は、高密度で均一性に優れたInAs(インジウムヒ素)量子ナノワイヤーを、Si基板上へ作製することに成功した。開発した結晶成長技術を応用すれば、量子デバイスのさらなる高機能化や高集積化が可能になるという。(2023/11/15)

CEATEC 2023:
GaN層を超低欠損で成膜できる新工法がCEATEC AWARD受賞、マイクロLED普及に弾み
京セラは、「CEATEC 2023」において、高品質なGaN結晶層を形成する技術により、高い歩留まりと低コストでマイクロLEDやマイクロレーザー基板を作成できる新工法を紹介した。同技術は「CEATEC AWARD 2023」におけるアドバンストテクノロジー部門のグランプリを受賞している。(2023/10/18)

材料技術:
安価な縦型GaNを作れる新技術、QST基板のリサイクル技術も開発中
OKIと信越化学工業は、信越化学工業が独自改良したQST基板から窒化ガリウム機能層のみをOKIのCFB技術で剥離し、異種材料基板へ接合する技術について説明した。(2023/10/6)

2024年にSBDを本格量産へ:
訪れた「酸化ガリウム時代の幕開け」 FLOSFIA社長
FLOSFIAは、酸化ガリウム(α-Ga2O3)パワーデバイスの開発を手掛ける2011年創業の京都大学発ベンチャーだ。同社は2015年に、酸化ガリウムを使用したSBD(ショットキーバリアダイオード)を「GaO-SBD」というブランド名で製品化し、サンプル提供を開始した。それ以降、量産化に苦しんだものの、ようやく2024年に本格量産を開始するメドが立った。FLOSFIA社長の人羅俊実氏に現在の意気込みを聞いた。(2023/10/3)

有機金属気相成長法で実現:
東京農工大、高純度のβ型酸化ガリウム結晶を高速成長
東京農工大学は、大陽日酸および大陽日酸CSEと共同で、有機金属気相成長(MOVPE)法を用い、高純度のβ型酸化ガリウム結晶を高速成長させることに成功した。電力損失を大幅に低減した次世代パワーデバイスの量産につながる技術とみられている。(2023/10/2)

福田昭のデバイス通信(423) 2022年度版実装技術ロードマップ(47):
液晶と有機ELが高画質化で競り合うテレビ用ディスプレイ(前編)
今回から、テレビ(TV)用ディスプレイの概要を紹介する。本稿では、TV用ディスプレイの市場予測と、ディスプレイ駆動TFTの種類を取り上げる。(2023/9/29)

製造マネジメントニュース:
東芝がドイツで新たな技術拠点を開設、コア技術を応用した新技術の創出を狙う
東芝は、同社グループが経営方針で掲げる「デジタル化を通じたカーボンニュートラル/サーキュラーエコノミー」の実現を加速するため、ドイツのデュッセルドルフに新しい技術拠点「Regenerative Innovation Centre」を開所したと発表した。(2023/9/21)

「業界最高」の正確性:
ボタン1つでSiC/GaNパワーモジュールの動特性を評価
キーサイト・テクノロジーは同社のユーザー向けイベント「Keysight World 2023」で、SiC/GaNパワーモジュールの評価に対応した最新パワーデバイスアナライザー「PD1550A」の実機を国内で初めて展示した。(2023/9/14)

製造マネジメントニュース:
ワイドバンドギャップ半導体単結晶の市場規模は2030年に17倍に成長
矢野経済研究所は、世界のワイドバンドギャップ半導体単結晶市場を調査したレポートで、2030年のワイドバンドギャップ半導体単結晶世界市場を3176億1200万円になると予測した。(2023/8/29)

PV用インバーターを小型軽量化:
東芝D&S、耐圧2200VのSiC MOSFETを開発
東芝デバイス&ストレージ(東芝D&S)は、耐圧2200VのSiC(炭化ケイ素)MOSFETを開発した。太陽光発電(PV)用インバーターシステムの小型軽量化が可能になる。【訂正あり】(2023/8/18)

Ga2O3パワー半導体の開発を加速:
三菱電機、ノベルクリスタルテクノロジーに出資
三菱電機は、パワー半導体用酸化ガリウム(Ga2O3)ウエハーを開発、製造、販売するノベルクリスタルテクノロジーに出資した。これを機に、三菱電機はGa2O3を用いたパワー半導体の研究開発を加速していく。(2023/8/16)

界面の欠陥準位密度は約1/4に:
SiCデバイスの絶縁膜界面における欠陥を大幅低減
大阪大学の研究グループは、SiC(炭化ケイ素)パワーデバイスの絶縁膜界面における欠陥を大幅に減らす技術を開発した。SiC MOSFETの性能や信頼性のさらなる向上につながる技術とみられている。(2023/8/7)

需要増の見込み薄く:
鳥取工場の液晶パネル生産を25年3月に終了、JDI
ジャパンディスプレイ(JDI)が、鳥取工場での第4世代液晶パネル生産を2025年3月に終了する。生産終了後、同工場は戦略拠点として事業を継続する予定だ。(2023/8/3)

ローム BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB:
GaN HEMT採用パワーステージIC
ロームは、GaN(窒化ガリウム)パワーステージIC「BM3G015MUV-LB」「BM3G007MUV-LB」を開発した。650V GaN HEMTやゲート駆動用ドライバなどを1パッケージ内に搭載している。Si MOSFETから容易に置き換えて、部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。(2023/8/2)

材料技術:
世界最小レベルの特性オン抵抗の酸化ガリウムSBD、月産100万個の量産体制構築
FLOSFIAは、「TECHNO-FRONTIER 2023(テクノフロンティア2023)」で、独自の成膜技術「ミストドライ法」やこの方法を用いて結晶成長させた酸化ガリウムのパワーデバイスを披露した。(2023/8/1)

Micronがサンプル出荷を開始:
1.2TB/s、24GBのHBM3 Gen2 LLMの学習を高速化
Micron Technologyは2023年7月、生成AI(人工知能)などの用途に向けて、1.2Tバイト/秒のメモリ帯域幅と、24Gバイトの容量を実現したHBM3 DRAM「HBM3 Gen2」のサンプリング出荷を開始したと発表した。(2023/7/28)

部品体積99%減、電力損失55%減:
「性能を最大限引き出す」、ローム初のGaN SiP詳細
ロームが、650V耐圧GaN HEMTとゲート駆動用ドライバーを1パッケージ化したパワーステージICを発表した。同社初のGaN SiPで、シリコンMOSFETから置き換えた場合、部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できるという。(2023/7/25)

90%以上の光透過率を達成:
東北大、完全表面結晶化ガラスファイバーを創製
東北大学は、光透過率が90%以上という透明多結晶性セラミックス「完全表面結晶化ガラスファイバー」を作り出すことに成功した。光ファイバー通信システムのさらなる大容量化が可能となる。(2023/7/20)

電子機器設計/組み込み開発メルマガ 編集後記:
EPCが中国Innoscienceを提訴、GaNパワー半導体主要プレイヤー同士の特許紛争の行方は
GaN(窒化ガリウム)パワー半導体主要メーカーである、米国のEPCが2023年5月、中国Innoscienceを特許侵害で提訴しました。(2023/7/10)

AlNを用いSBDとMESFETを作製:
半導体素子、800℃を超える環境でも安定に動作
筑波大学は、窒化アルミニウム(AlN)半導体を用い、ダイオードは827℃まで、トランジスタは727℃まで、それぞれ極めて高い温度環境で、安定に動作させることに成功した。地下資源掘削や宇宙探索、エンジン周辺など、高い温度環境でも半導体素子の利用が可能となる。(2023/7/4)

素材/化学インタビュー:
省エネ次世代パワー半導体の開発につながる材料シミュレーションとは
本稿では、文部科学省が主催する「スーパーコンピュータ『富岳』成果創出加速プログラム」の第1回(2020〜2022年度)に採択されたプロジェクト「省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション」の概要や成果について、名古屋大学 未来材料・システム研究所 特任教授の押山淳氏に聞いた。(2023/7/5)

組み込み開発ニュース:
三菱電機がSBD内蔵SiC-MOSFETのサージ電流集中の原因を解明、新チップ構造で克服
三菱電機が大容量のフルSiCパワーモジュールでもSBD内蔵SiC-MOSFETを適用可能とする新たなチップ構造について説明。同技術を適用した大型産業機器向け3.3kVフルSiCパワーモジュールのサンプル出荷も始めている。(2023/6/2)

市場は右肩上がり:
EVシフトでパワー半導体に熱視線 “売上1兆円超”レゾナックCSOに聞く展望
売上高1兆円を超えるレゾナック・ホールディングス。半導体・電子材料をコア成長事業とする経営方針を打ち出し、経営資源を集中的に投資し、半導体・電子材料の比率を売上高の約45%まで引き上げる計画を発表している。(2023/6/1)

存在感が急浮上:
「ダイヤモンド半導体」が秘める可能性
ダイヤモンド半導体がにわかに注目を集めている。半導体として優れた特性を持つダイヤモンドは、パワーデバイス向けの材料としての期待値も高い。ダイヤモンドパワーデバイスの開発を手掛けるフランスDiamfabのインタビューを基に、ダイヤモンド半導体が秘める可能性を探る。(2023/5/31)

組み込み開発ニュース:
三菱電機のパワーデバイス事業は2030年度にSiC比率30%へ、鍵はモジュール技術
三菱電機が重点成長事業の一つであるパワーデバイス事業を含めた半導体・デバイス事業の戦略について説明。SiCモジュールをEV向けに展開するなどして、2030年度のパワーデバイス事業におけるSiC関連の売上高比率を30%以上に高めたい考えだ。(2023/5/31)

湯之上隆のナノフォーカス(61):
ここが変だよ 日本の半導体製造装置23品目輸出規制
2023年3月、経済産業省は、半導体製造装置など23品目を輸出管理の対象として追加する方針を固めた。だが、ここで対象とされている製造装置、よくよく分析してみると、非常に「チグハグ」なのである。何がどうおかしいのか。本稿で解説したい。(2023/4/25)

SiCパワー半導体が市場をけん引:
パワー半導体市場、2035年には13兆4302億円規模に
富士経済が2022年4月に発表した次世代パワー半導体とSiパワー半導体の世界市場の調査によると、パワー半導体市場は自動車/電装分野にけん引され、2035年には2022年比5.0倍の13兆4302億円規模に達するという。(2023/4/12)

出力電圧390V、出力電力350W:
酸化ガリウムSBD、高い出力で実機動作を確認
ノベルクリスタルテクノロジーは、酸化ガリウムショットキーバリアダイオード(β-Ga2O3 SBD)を電流連続型PFC(力率改善)回路に搭載し、出力電圧390V、出力電力350Wで正常に動作することを確認した。(2023/4/7)

8インチ見据えた新製造法、2025年の実用化へ:
SiCウエハー欠陥無害化技術の新会社が始動
関西学院大学と豊田通商は2023年3月、SiCパワー半導体ウエハーに関する研究開発会社「QureDA Research」を設立したと発表した。「国内外の企業と来たる大口径化(8インチ)を見据えたパワー半導体SiCウエハーの新たな製造法を2025年に実用化することを目指す」としている。(2023/3/23)

KPDU086SU27-H11Q、KPDU086SU31-H11Q:
深紫外線センシング向けGaN UVセンサー、京都セミコン
京都セミコンダクターは、深紫外線センシング向けに、GaNタイプのUVセンサー「KPDU086SU27-H11Q」「KPDU086SU31-H11Q」を開発した。フィルターを介さずにセンサーの受光部で直接受光でき、感度が向上した。(2023/2/27)

パワー半導体の特性を大きく左右:
β型酸化ガリウムにおける水素の準安定状態を解明
茨城大学や東北大学、東京工業大学らの研究グループは、次世代パワー半導体材料であるβ型酸化ガリウム(β-Ga2O3)の電気特性に影響を与える水素の準安定状態を解明した。(2023/2/21)

パワー半導体を中心に積極投資を実施:
PR:需要が拡大する業務用空調システムのキーデバイスを網羅するインフィニオン
エネルギー価格の上昇と環境保護意識の高まりを受け、業務用空調システムの需要が拡大している。パワー半導体など業務用空調システムのキーデバイスの供給不足が懸念される中で、インフィニオン テクノロジーズは業務用空調システム用デバイスの開発、増産投資を強化している。(2023/2/15)

福田昭のデバイス通信(386) 2022年度版実装技術ロードマップ(10):
実験室の機能を数cmサイズに集積したマイクロ流体デバイス
JEITAの「2022年度版 実装ロードマップ」を紹介するシリーズ。今回は、第2章「注目される市場と電子機器群」から「マイクロ流体デバイス」の概要を簡単にご紹介する。(2023/2/8)


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にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。

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