STと中国Innoscience、GaN開発／製造で提携 互いの拠点活用：サプライチェーン強化へ

STMicroelectronicsは2025年3月31日（スイス時間）、中国の窒化ガリウム（GaN）パワー半導体メーカーであるInnoscienceと、GaN技術の開発と製造に関する契約を締結した。GaNパワー技術の共同開発を行うほか、欧州や中国の製造拠点を互いに活用しサプライチェーン強化を目指す。

[浅井涼，EE Times Japan]

　STMicroelectronics（以下、ST）は2025年3月31日（スイス時間）、中国の窒化ガリウム（GaN）パワー半導体メーカーであるInnoscienceと、GaN技術の開発と製造に関する契約を締結したと発表した。

互いの製造拠点を活用

　Innoscienceは8インチGaN-on-Siの製造に強みを持つ。両社は今後数年間、民生機器やデータセンター、自動車、産業用電力システムなどに向けたGaNパワー技術を共同で開発する。

　さらに両社は、それぞれが欧州や中国に持つ前工程製造拠点を互いに活用し、GaNウエハーのサプライチェーン柔軟化を目指すという。

　STのアナログ・パワー＆ディスクリート・MEMS＆センサーグループ プレジデントを務めるMarco Cassis氏は「STとInnoscienceは共に垂直統合型デバイスメーカー（IDM）だ。今回の契約を世界中の顧客の利益のために活用する。STはシリコン（Si）および炭化ケイ素（SiC）の製品を補完するために、GaNパワーテクノロジーのロードマップを加速する」と述べている。

　Innoscienceの創業者で会長のWeiwei Luo氏は「Innoscienceは8インチGaNテクノロジーの量産を先駆けて開始し、複数市場に10億個を超えるGaNデバイスを出荷してきた。STと協力し、GaNテクノロジーの採用をさらに拡大、加速させる」としている。