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» 2010年07月16日 14時07分 公開

東芝とSanDisk社、NAND型フラッシュメモリ製造用の新施設着工メモリ/ストレージ技術

[Mark LaPedus,EE Times]

 東芝は、東芝四日市工場において、NAND型フラッシュメモリの製造施設「Fab5」の建設に着手した。Fab5は、2011年春に竣工予定。

 Fab5の運営は、当初の予想通り、米SanDisk社との合弁事業として行われる。今後、既存の機器や新たな用途向けに、NAND型フラッシュメモリの需要が高まると期待されており、今回の新施設の建設は、この動きを受けたものである。まずは最先端の20nm世代の製造技術を導入する予定で、その後は、後続の製造技術を順次導入していくという。

 Fab5の建設は、2期に分けて行われるが、市場動向を踏まえて段階的な投資判断をする予定だ。また、両社は、製造設備の投資については、それぞれの製造施設での生産能力強化の状況やタイミングに合わせて、柔軟に対応するとしている。生産量は、製造設備への投資額に比例するよう配分されるという。

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 東芝四日市工場には現在、4棟のNAND型フラッシュメモリ製造施設がある。東芝とSanDisk社は、Fab4内にある未使用のクリーンルームを増強工事中で、Fab5での製造を開始するまでにFab4の生産能力を最大限に高める予定だ。

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