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ルネサス、マイクロ波デバイス事業から撤退黒字だけど将来の採算性見込めず

ルネサス エレクトロニクスは2016年8月2日、マイクロ波デバイス事業から撤退すると発表した。2018年夏をメドにマイクロ波デバイス製品の生産、供給を停止する。

» 2016年08月02日 15時45分 公開
[竹本達哉EE Times Japan]

事業規模60〜70億円

 ルネサス エレクトロニクスは2016年8月2日、マイクロ波デバイス事業から撤退すると発表した。新規のマイクロ波デバイス製品の開発は既に打ち切っていて、2018年夏をメドに生産、供給を停止し、事業を終息させる。

化合物半導体材料を用いたLNA製品 出典:ルネサス エレクトロニクス

 ルネサスのマイクロ波デバイス事業は、GaAs(ガリウムヒ素)やSiGe(シリコンゲルマニウム)など化合物半導体材料を用いた化合物デバイス事業の1つとして展開してきた。主な製品は、ローノイズアンプ(LNA)やRFスイッチ、ミキサー、RFトランジスタなどで無線機器向けを中心に販売してきた。

 マイクロ波デバイス事業の直近の売り上げ規模は、「全社売上高(6933億円)の1%程度」(同社)とし60〜70億円。営業損益も近年は黒字を維持していた。

 事業撤退を決めた理由としてルネサスは、「黒字のビジネスではあるが、製品技術開発は行っていなかった。そうした中で、(撤退該当製品は)システムLSIに集積される傾向が強い上、台湾を中心とした競合メーカーが台頭し、価格下落も進んでいる。その結果、将来の採算確保が困難になった」と説明している。

 量産中のマイクロ波デバイスの生産、供給は、「顧客と相談の上、2年をメドに停止する」とし、作りだめなどの要望に応じる。

光デバイスに注力へ

 なお、化合物デバイス事業としては、光デバイス事業に注力する方針。産業機器向け高信頼性フォトカプラをはじめ、データセンターや基地局向けの光通信用レーザー/フォトダイオードの開発を加速させ、化合物デバイス事業としての事業拡大を目指すという。

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