ローム、4端子パッケージのSiC MOSFETを量産：スイッチング損失を35％も削減

ロームは、4端子パッケージを採用した耐圧650V／1200VのSiC（炭化ケイ素） MOSFET「SCT3xxx xR」シリーズとして6機種を開発、量産を始めた。従来の3端子製品に比べて、スイッチング損失を35％も削減できるという。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

サーバ用電源や太陽光インバーター、EV充電ステーション向け

TO-247 4Lを採用したSCT3xxx xRシリーズの外観

　ロームは2019年8月、4端子パッケージを採用した耐圧650V／1200VのSiC（炭化ケイ素） MOSFET「SCT3xxx xR」シリーズとして6機種を開発、量産を始めた。従来の3端子製品に比べて、スイッチング損失を35％も削減できるという。サーバ用電源や太陽光インバーター装置、EV充電ステーションなどの用途に向ける。

　新製品は、トレンチゲート構造のSiC MOSFETで、4端子パッケージ（TO-247 4L）を採用した。これまでの3端子パッケージ（TO-247N）だと、ソース端子のインダクタンス成分によりゲート電圧が低下し、スイッチング速度に遅延が生じていた。

　4端子パッケージは、パワーソース端子とドライバーソース端子を分離できるため、インダクタンス成分による影響を軽減できるという。この結果、ターンオンでの損失を大幅改善することができる。ターンオフを含めた損失は合計で、従来に比べ35％も低減でき、高速スイッチングを可能とした。

4端子製品と3端子製品による損失の違い （クリックで拡大） 出典：ローム

　SCT3xxx xRシリーズは、耐圧650V品でオン抵抗が30／60／80mΩの3製品、耐圧1200V品でオン抵抗が40／80／105mΩの3製品を用意した。動作温度範囲はいずれも−55〜175℃である。サンプル価格（税別）は2100円より。

　SiC MOSFET評価ボード「P02SCT3040KR-EVK-001」も用意した。ローム製のゲートドライバーICや電源IC、ディスクリート製品などを搭載している。この評価ボードを用いて、ダブルパルス試験、昇圧回路、2レベルインバーター、同期整流型降圧回路などの評価を行うことができる。

P02SCT3040KR-EVK-001の外観

　SCT3xxx xRシリーズと評価ボードは、チップワンストップやコアスタッフオンライン、アールエスコンポーネンツのウェブサイトからも購入することができる。