光通信用デバイス、標準パッケージで100Gbps達成 : 5Gシステム基地局向け
三菱電機は、5G(第5世代移動通信)システム基地局向けの光通信用デバイスとして、CANパッケージを採用し伝送速度100Gビット/秒を達成したEML(電界吸収型光変調器を集積した半導体レーザー)「ML770B64」を開発した。
三菱電機は2020年9月、5G(第5世代移動通信)システム基地局向けの光通信用デバイスとして、CANパッケージを採用し伝送速度100Gビット/秒を達成したEML(電界吸収型光変調器を集積した半導体レーザー)「ML770B64」を開発したと発表した。
ML770B64の外観
新製品は、直径が5.6mmの標準パッケージである「TO-CAN」と、PAM4変調方式を採用した。EML素子を搭載したTO-56CAN製品としては初めて、100Gビット/秒の伝送速度を実現したという。標準パッケージを採用したことで、光トランシーバーを構成する一芯双方向光モジュールの組み立てが容易となり、生産性も向上するという。
また、小型の熱電変換素子を搭載し、−40〜95℃の広い温度範囲で動作を保証する。熱電変換素子の消費電力は0.4W(95℃時の典型値)と極めて小さく、従来に比べて約60%も削減した。これにより、光トランシーバーの消費電力も抑えることが可能となった。
ML770B64の主な仕様は、発振波長が1310nm、光出力は+10dBm(典型値)、消光比は5dB以上(典型値)である。サンプル出荷は2020年10月から始める。サンプル価格はオープン。
LV100タイプ採用の産業用IGBTモジュールを発売
三菱電機は、パワー半導体の新製品として、LV100タイプパッケージを採用した産業機器向けIGBTモジュール「Tシリーズ」を開発、2020年9月から順次発売する。
小型・高効率の5G基地局用GaN増幅器モジュール
三菱電機は、5G(第5世代移動通信)基地局向けに、小型で電力効率の高いGaN(窒化ガリウム)増幅器モジュールを開発した。大きさは同社従来製品に比べ90分の1、電力効率は43%以上である。
再エネ、一般産業向け「LV100タイプ」IGBTモジュール
三菱電機は、オンライン開催となったパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe digital days 2020」(2020年7月7〜8日、ドイツ時間)に出展。新製品として、高い信頼性と拡張性を持つ一般産業用途向けのLV100モジュールを紹介した。耐圧1200V、1700Vをラインアップし、風力発電用コンバーターや太陽光発電セントラルインバーターなどの用途に向け、2020年中に製品化する予定だ。
三菱電機、SiC-MOSFETの高精度SPICEモデルを開発
三菱電機は、SiC-MOSFET「1200V-Nシリーズ」を用いた回路設計時のシミュレーションに有用な、高精度の「SPICEモデル」を開発した。実測とほぼ同じシミュレーション結果が得られるという。
三菱電機、200億円でパワー半導体新拠点を設置
三菱電機は2020年6月11日、シャープから福山事業所(広島県福山市)の一部を取得し、パワー半導体を製造する新拠点(前工程)を開設する、と発表した。投資額は総額約200億円で、2021年11月の稼働開始を目指す。
三菱電機、電力密度136kW/Lの電力変換器を実現
三菱電機は、パワー半導体素子と周辺部品を高集積に実装する技術を開発、この技術を用いて電力密度136kW/Lの電力変換器を実現した。
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