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スマートフォンが搭載してきたNANDフラッシュの変遷：福田昭のストレージ通信（184）アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（11）（2/2 ページ）

» 2021年03月16日 11時30分公開

[福田昭，EE Times Japan]

中国のファーウェイと小米も最先端の3D NANDフラッシュを採用

　Choe氏は、中国のスマートフォンメーカーであるファーウェイ（Huawei）と小米科技（Xiaomi）が2019年モデルと2020年モデルに搭載したNANDフラッシュメモリについても、分析結果を示していた。HuaweiとXiaomiも、最先端の3D NANDフラッシュを積極的に導入していることがうかがえる。

ファーウェイ（Huawei）と小米科技（Xiaomi）が2019年と2020年に発売したスマートフォンの搭載部品（クリックで拡大）出典：FMS 2020の講演「Technology Trend：NAND ＆ Emerging Memory」の配布資料

　Huaweiのスマートフォンはキオクシア、SK hynix、Micron Technology、Samsung、Western Digital（WD）の3D NANDフラッシュを採用している。シリコンダイの記憶容量は128G～512Gビット、ワード線の積層数は64～96層、多値記憶方式はTLCである。

　XiaomiのスマートフォンはほとんどがSamsungの3D NANDフラッシュを採用しており、1機種だけがSK hynixの3D NANDフラッシュを搭載している。シリコンダイの記憶容量は128G～512Gビット、ワード線の積層数は76～92層、多値記憶方式はTLCである。

（次回に続く）

⇒「福田昭のストレージ通信」連載バックナンバー一覧

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