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オンセミ、チェコに最先端のSiC製造施設を設置：複数年で最大20億米ドルを投資

オンセミ（onsemi）は、チェコに最先端のSiC（炭化ケイ素）製造施設を設けると発表した。垂直統合型の製造拠点で、複数年にわたり最大20億米ドル（440億チェココルナ）の投資を計画している。

» 2024年06月24日 09時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

SiやSiCウエハーの製造能力をさらに強化

　オンセミ（onsemi）は2024年6月、チェコに最先端のSiC（炭化ケイ素）製造施設を設けると発表した。垂直統合型の製造拠点で、複数年にわたり最大20億米ドル（440億チェココルナ）の投資を計画している。

出所：オンセミ

　SiCベースのパワー半導体は、高耐圧、高耐熱、高放熱といった特長を備え、EV（電気自動車）の性能向上などに貢献することから、急速に需要が高まっている。オンセミはこれまでも、チェコ・ロズノフ市にある工場で、SiCポリッシュドウエハーやSiCエピタキシャルウエハーなどの製造を行ってきた。

　2022年9月には同工場でSiCウエハー製造ラインの拡張工事も完了し、増産体制を整えた。同施設では現在、10億個以上のパワー半導体を含む、年間300万枚以上のウエハー生産することが可能だという。新たな投資により、Si（シリコン）やSiCウエハー（ポリッシュドおよびエピを含む）などの製造能力をさらに強化する。

　オンセミでは、今回の投資が完了すれば、「年間で2億7000万米ドル（60億チェココルナ）以上は、チェコのGDPに貢献する」と予測している。

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