「世界初」フッ素フリーのネガ型ArF液浸レジスト、富士フイルム：AI半導体などの製造プロセス向け

富士フイルムは、AI半導体など先端半導体の製造プロセス向けに、「フッ素フリーのネガ型ArF液浸レジスト」を開発した。「世界初」（同社）となる製品で、既にサンプル出荷を始めていて、顧客先での評価を経て早期販売を目指す。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

機能性分子の設計技術や分子設計技術、有機合成技術などを活用

　富士フイルムは2026年4月、AI半導体など先端半導体の製造プロセス向けに、「フッ素フリーのネガ型ArF液浸レジスト」を開発したと発表した。「世界初」（同社）となる製品で、既にサンプル出荷を始めていて、顧客先での評価を経て早期販売を目指す。

　現在のArF液浸露光向けフォトレジストには、PFAS（ペルフルオロアルキル化合物、ポリフルオロアルキル化合物および、これらの塩類の総称）が用いられている。酸を効率よく反応させたり、レジスト表面に撥水性を持たせたりするために使われるが、環境や生態系への悪影響を考慮し、PFASの使用を規制する動きが進んでいるという。

　こうした中で富士フイルムは、これまで安全性の高いNTI現像液を始め、PFASを含まないナノインプリントレジストやPFASフリーのネガ型ArF液浸レジストなどを開発してきた。近年は、PFASだけでなくフッ素結合を持つ有機化合物全般について、フッ素を含む原材料を使用しない新たな材料開発が求められている。

　そこで同社は、これまで培ってきた機能性分子の設計技術に加え、分子設計技術や有機合成技術、処方技術、解析技術を活用し、フッ素を含む原材料を用いないネガ型ArF液浸レジストを開発した。これにより、フッ素を含む原材料を用いなくても、ばらつきの少ない微細な回路パターンの形成を可能にした。