SAIMEMORYの垂直ビルド構造メモリ開発がNEDO採択：民間4社からも資金調達

SAIMEMORYは、同社の次世代メモリ技術「ZAM（Z-Angle Memory）」開発プロジェクトが新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の「高メモリ密度・広帯域・低消費電力な革新的メモリの製造技術開発」に採択されたと発表した。また富士通、日本政策投資銀行、理研、ソフトバンクを引受先としてシリーズAラウンドの資金調達を実施したことも発表した。

[杉山康介，EE Times Japan]

　ソフトバンク子会社のSAIMEMORYは2026年4月22日、同社の次世代メモリ技術「ZAM（Z-Angle Memory）」開発プロジェクトが新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の「高メモリ密度・広帯域・低消費電力な革新的メモリの製造技術開発」に採択されたと発表した。

　ZAMは、メモリを垂直に並べ、磁界結合無線通信I/Oでホストダイと無線接続する「垂直ビルド（Z-Angle）構造」を中核技術とする。同構造によって放熱性能を向上させて現行メモリ技術が抱える積層数の制約を解決し、容量拡大やデータ転送帯域幅の向上、低消費電力化を同時に実現するとしている。

NEDO採択のZAM開発プロジェクト概要［クリックで拡大］出所：経済産業省

　SAIMEMORYは2026年2月3日に、ZAM実用化に向けたIntelとの協業契約締結を発表していた。加えて理化学研究所（以下、理研）を共同研究先とする体制のもとで、研究開発を推進するという。

　またZAM早期実用化に向けた研究開発の加速を目的として、富士通、日本政策投資銀行、理研、ソフトバンクを引受先としてシリーズAラウンドの資金調達を実施したことも発表。この資金を生かし、ZAMの商用化やメモリメーカーなどへの技術ライセンス提供を見据え、研究開発を行うとする。

　SAIMEMORY代表取締役社長兼CEOの山口秀哉氏は「本プロジェクトがNEDOに採択されたことは、日本発の次世代メモリ技術を世界に示す重要な一歩だと受け止めている。共同事業者のIntelや共同研究先の理研、国内外パートナーとの連携によって、日本の半導体産業の国際競争力強化に貢献する」としている。

　なお、一部報道ではNEDO採択による政府からの支援額は最大38億円とされている。SAIMEMORY広報に確認したところ、NEDO支援額およびシリーズAラウンドの調達額どちらも「ノーコメント」との回答だった。