SamsungとBroadcom、メモリ／ファウンドリーで協業拡大：協業規模は2000億米ドル超に
Samsung Electronics（以下、Samsung）は、AI向けのメモリおよびファウンドリー技術分野において、米Broadcomとの戦略的協業を拡大すると発表した。Broadcomに対しHBMなどのメモリや2nm世代以下の最先端プロセスを提供する。両分野での協業規模は、2030年までの5年間で2000億米ドルを超える見込みだ。
HBMや最先端プロセスなどでAIソリューションをサポート
Samsung Electronics（以下、Samsung）は2026年8月25日（韓国時間）、AI向けのメモリおよびファウンドリー技術分野において、米Broadcomとの戦略的協業を拡大すると発表した。両社のメモリ／ファウンドリー分野での協業規模は、2030年までの5年間で2000億米ドルを超えると見込んでいる。
メモリ分野では、Broadcomの次世代AIアクセラレーター向けに広帯域メモリ（HBM）をはじめとした業界最高水準のソリューションを供給することを目指す。
ファウンドリー分野では、Broadcomの無線ブロード通信（WBC）ソリューションをはじめとした製品を対象に、Samsung最先端の2nm世代以下のプロセス技術を軸とした協業を行う。2nmプロセスを基盤とした、2.3D／2.5D統合をはじめとする先端パッケージング技術にも協業範囲を広げる方針だ。
Samsung副会長兼Device Solutions部門CEOのYoung Hyun Jun氏は「AIの進化は高度な半導体統合技術に対し、かつてない規模の需要を生み出している。この重要領域においてBroadcomと協業拡大することで、顧客に大きな価値を提供するとともに、未来のAIインフラ発展に貢献したい」と述べる。
Broadcomの半導体ソリューショングループ社長を務めるCharlie Kawwas氏は「Samsungが持つメモリ／ファウンドリー分野の強みと、BroadcomのAI／接続技術におけるリーダーシップを組み合わせることで、次世代AIインフラを支える技術を提供する」としている。
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