Samsung、高NA EUVをDRAM量産に「業界初」導入へ 28年までに：TSMCは30年に先端ノードで導入（2/2 ページ）

[永山準，EE Times Japan]

既に量産適用のIntel、処理枚数100万枚超に

　高NA EUVの量産適用ではIntelが先行している。既報の通り、Intel Foundryは「Intel 18A」プロセスを採用する「Intel Core Ultra Series 3」（開発コードネーム：Panther Lake）の一部製品で、特定レイヤーの露光に高NA EUVを適用し、既に量産出荷を開始している。

　Intelは2024年、米国オレゴン州の研究開発拠点にEXE:5000を業界で初めて導入。2025年には量産機のEXE:5200Bも業界で初めて導入し、受け入れ試験を完了した。

　Intel FoundryとASMLはこの日、初期の装置認証／テスト、研究開発、量産を合わせた高NA EUVによる累計ウエハー処理枚数が100万枚を超えたことを明らかにした。オーバーレイ精度、スループット、稼働率はいずれもIntel Foundryの想定を満たしているという。Intel 18Aで製造し、一部のレイヤーに高NA EUVを適用した製品についても、NA 0.33のEUV露光装置で形成した同等レイヤーと比較して、同等以上の性能を実現しているとしている。

　Intelによるロジック半導体への先行導入に続き、Samsungが2028年までのDRAM量産導入計画、TSMCが2030年からの先端ノードへの導入計画をそれぞれ発表した形だ。そして、2030年代には12インチフォトマスクへの移行も計画されるなど、高NA EUVの本格的な量産展開に向けた動きが加速している。