台湾の市場調査会社TrendForceによると、2026年第2四半期(4〜6月)のDRAM市場は、前四半期から59.5%増の1547億3000万米ドルになった。Samsung Electronicsがシェアを伸ばし、39.4%のシェアで首位を維持。中国CXMTも売上高をほぼ倍増させ、シェアを9.5%に拡大した。
台湾の市場調査会社TrendForceによると、2026年第2四半期(4〜6月)のDRAM市場は、前四半期から59.5%増と大幅に拡大し1547億2600万米ドルになった。メーカー別ではSamsung Electronics(以下、Samsung)がシェアを伸ばし、39.4%のシェアで首位を維持した。中国CXMTも売上高をほぼ倍増させ、シェアを9.5%に拡大した。
TrendForceによると、大規模言語モデル(LLM)の学習やAI推論向けサーバの需要拡大を背景に、広帯域メモリ(HBM)「HBM3E」の他、LPDDR5X、大容量RDIMMの出荷が増加。エージェント型AIアプリケーションの拡大も、さまざまな容量のRDIMM需要を押し上げているという。一方、DRAMメーカーの在庫は歴史的な低水準にあり、追加供給の多くはサーバ向けに割り当てられている。その結果、2026年第2四半期のDRAMビット出荷量の伸びは小幅にとどまったという。
TrendForceは、2026年第3四半期(7〜9月)については「ビット出荷量の小幅な増加が売上高を左右する要因の1つになる」と説明。従来型DRAMの契約価格は前四半期比13〜18%上昇に鈍化すると見ている。これは、大容量RDIMMから低容量品に需要の一部が移行していることに加え、PCやスマートフォンメーカーがさらなる価格上昇を吸収する余地が限られているためだ。一方で、コンシューマーDRAMは、メーカーが供給を大幅に削減していることから、最も大きな価格上昇が見込まれるという。
メーカー別でみるとSamsung、SK hynix、Micron Technology(以下、Micron)の3社を合わせた市場シェアは87.6%に達している。
Samsungは主要3社の中で最も高いビット出荷量の伸びを記録。HBM4の量産と出荷を早期に開始したことに加え、ASP(平均販売価格)が大幅に上昇したことが寄与したもので、売上高は前四半期比63.4%増と大きく伸び、609億8100万米ドルとなった。市場シェアも同0.9ポイント増の39.4%に拡大し、首位を維持した。
2位のSK hynixは、売上高が同37.9%増の385億9000万米ドルと成長したが、市場シェアは24.9%と前四半期から3.9ポイント低下した。主要3社の中でHBMが総ビット出荷量に占める割合が最も高く、ASPの伸びが比較的小さかったことが影響したという。
3位のMicron Technologyは、供給能力が限られる中、単価の高いサーバ向けDRAMを優先。これによって売上高は同65.5%増の360億米ドルとなり、市場シェアは同0.9ポイント増の23.3%に上昇した。
4位の中国CXMTは、売上高が前四半期比99.3%増の146億2400万米ドルとほぼ倍増した。市場シェアも前四半期から1.9ポイント伸ばし9.5%に拡大した。
TrendForceによるとSamsung、SK hynix、Micronは2026から2027年にかけ、先端プロセスへの移行を加速することでビット供給量を増やす見通しだ。一方で、ウエハー投入量の増加は限定的になると予測。生産プロセスの最適化やクリーンルームの取得、他製品向けクリーンルームの転用などによって供給能力を拡大するとしている。
主要3社が先端プロセスへの移行を進めることで、成熟プロセス製品を中心に手掛けるNanya Technology(以下、Nanya)、Winbond Electronics(以下、Winbond)、PSMCにも需要が流れているという。
DDR4とDDR3の契約価格が大幅に上昇したことで、Nanyaの2026年第2四半期のDRAM売上高は前四半期比68.3%増の26億1200万米ドルとなった。Winbondも同75.8%増の9億9800万米ドルに拡大した。
PSMCのDRAM売上高は同167.8%増の1億1500万米ドルとなった。同社のDRAM売上高は主にコンシューマー向け製品によるものだ。なお、ファウンドリー事業を含む全社売上高は同54%増となった。同社は今後、Micronからプロセス技術のライセンスを取得した後、次の供給拡大に着手する見通しだという。
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