Navitasが1万V級SiC IGBT開発へ 米陸軍が選定：米国での製造プロセス確立目指す

Navitas Semiconductorが、10kV（1万V）級の次世代炭化ケイ素（SiC）IGBTを開発する米陸軍の「ALATTIS」プログラムに選定された。同社は独自の「Trench-Assisted Planar（TAP）」構造を活用し、SiC MOSFETから超高耐圧のSiC IGBTへと技術領域を広げる。

[永山準，EE Times Japan]

SiC MOSFETから超高耐圧SiC IGBTへ技術領域拡大

　Navitas Semiconductor（以下、Navitas）は2026年9月28日（米国時間）、10kV（1万V）級の次世代炭化ケイ素（SiC）IGBTを開発する米陸軍の「ALATTIS」プログラムに選定されたと発表した。同社はSiCパワー半導体で展開してきた独自の「Trench-Assisted Planar（TAP）」構造を活用し、SiC MOSFETから超高耐圧のSiC IGBTへと技術領域を広げる。

出所：Navitas Semiconductor

米陸軍研究所がスポンサーのプロジェクト

　ALATTIS（Accelerated, Large-Area, 10 kV SiC IGBT）は、10kV以上の超高耐圧SiCパワー半導体について、米国内での製造プロセスを開発、実行、検証するプロジェクト。設計、製造、テストを繰り返しながら、米国内で新たな製造プロセスの確立を目指す。

　米陸軍研究所（Army Research Laboratory：ARL）がスポンサーを務め、統合実験技術アクセラレータ（Joint Experimentation and Technology Accelerator：JETX）が支援する。防衛および重要インフラ用途に展開する高出力パワーエレクトロニクス技術の進歩を目的としていて、10kV級SiC IGBTおよび、関連するPiNダイオード技術の開発を進める。

独自のTAP構造を10kV級IGBTに

　Navitasは、SiCパワー半導体を「GeneSiC」ブランドで展開。独自の「Trench-Assisted Planar（TAP）」構造を採用したMOSFETアーキテクチャを中核に、650Vから6.5kVまでの電圧定格をカバーしている。

　同社はこれまで、2010年に6.5kV SiCサイリスタ、2012年に10〜15kV SiC PiNダイオードを開発したほか、2021年には6.5kV SiC MOSFETを商用化するなど、高電圧SiC分野でさまざまな成果を上げてきたとしている。

　Navitasのシニアバイスプレジデント兼最高技術責任者（CTO）を務めるSiddarth Sundaresan氏は「ALATTISによって、独自のTAP構造を採用し、先進的なPiNダイオード技術を統合した次世代10kV SiC IGBTを開発することで、SiC MOSFETを超えて当社のリーダーシップを拡大する」と述べている。