AIデータセンターの800VDC化へ InfineonとEatonが協業：SiCパワーデバイスで効率／電力密度を向上

Infineon Technologiesは、Eatonの中電圧ソリッドステートトランスフォーマー（MVSST）2.0プラットフォーム向けに、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスを供給する。今回の協業は800VDC AIデータセンター電力配分アーキテクチャを対象としている。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

SiC技術と電力分配／電力変換技術を融合

　Infineon Technologies（以下、Infineon）は2026年10月、Eatonの中電圧ソリッドステートトランスフォーマー（MVSST）2.0プラットフォーム向けに、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスを供給すると発表した。今回の協業は800VDC AIデータセンター電力分配アーキテクチャを対象としている。

InfineonのAndreas Weisl氏［クリックで拡大］ 出所：Infineon Technologies

　EatonのMVSST 2.0プラットフォームは、従来のアーキテクチャに比べ電力変換の段数を減らすことで、効率や電力密度、導入の柔軟性を高めた。InfineonのSiCパワーデバイスを用いることで、効率や電力密度、システム信頼性のさらなる向上を図る。

　両社は今後、2.3kV／3.3kVのSiCパワーモジュールをベースとした次世代SSTプラットフォームの検討を進める。これによって、AIデータセンターや電力網の近代化、再生可能エネルギーなどの用途で、より高いシステム電圧やさらなる高効率化、信頼性向上を実現する考えだ。

　Infineonのエグゼクティブバイスプレジデント兼インダストリアル＆インフラストラクチャーチーフセールスオフィサー（CSO）を務めるAndreas Weisl氏は、「イートンとの協業を通じて、SST技術の発展を促進していくとともに、将来のAIデータセンターを支える、より拡張性が高く、効率的で持続可能なインフラの実現に貢献していく」とコメントした。