インフィニオン テクノロジーズは、SolarEdge Technologies(以下、ソーラーエッジ)との協業を拡大する。AIデータセンターやハイパースケールデータセンターに向けた高電圧DC配電用ソリッドステートサーキットブレーカー(SSCB)の技術開発を加速させる。
インフィニオン テクノロジーズは2026年9月、SolarEdge Technologies(以下、ソーラーエッジ)との協業を拡大すると発表した。AIデータセンターやハイパースケールデータセンターに向けた高電圧DC配電用ソリッドステートサーキットブレーカー(SSCB)の技術開発を加速させる。
ソーラーエッジは、DC結合型パワーエレクトロニクス分野での納入実績をベースに、AIファクトリーに向けた800VDCパワートレインの開発を行っている。一方、インフィニオンは炭化ケイ素(SiC)JFETなどのパワー半導体を手掛けている。これらを組み合わせ、よりコンパクトで高密度なDC配電設計を行っていく。
今回の協業では、ソーラーエッジのSSTプラットフォームにインフィニオン製のSiC JFETを採用する。SSTは中電圧(13.8〜34.5kV)から800〜1500VDCへの直接変換を、90%超という効率で実現できるよう設計されている。
ソーラーエッジのCEOを務めるShuki Nir氏は「ソリッドステート保護は、変換効率を損なうことなく、超高速で信頼性の高い故障切り離しを可能にする。それを大規模に実用化できるのがインフィニオンのSiC技術だ」とコメントした。
インフィニオンのインダストリアル&インフラストラクチャ担当エグゼクティブバイスプレジデント兼チーフセールスオフィサー(CSO)のAndreas Weisl氏は「よりスマートで高速かつ堅固な配電システムの需要が高まっている。両社の専門性を組み合わせることで、AIデータセンターにおける高速で安全かつ信頼性の高い運用を実現していく」と述べた。
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